IRF5210LPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,P通道,100 V,40 A,0.06 ohm,TO-262AB,通孔
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab)TO-262 Tube
- 数据手册IRF5210LPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF5210LPBF概述
IRF5210LPBF是一款HEXFET®单P沟道功率MOSFET，具有150°C结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩等级。这些特性使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种其他应用。
先进的工艺技术
超低导通电阻
快速开关
允许重复雪崩，最高可达Tjmax
先进的工艺技术
超低导通电阻
快速开关
允许重复雪崩，最高可达Tjmax
IRF5210LPBF中文参数
通道类型:P
最大连续漏极电流:38 A
最大漏源电压:100 V
系列:HEXFET
封装类型:I2PAK(TO-262)
安装类型:通孔
引脚数目:3
最大漏源电阻值:60 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:4V
最小栅阈值电压:2V
最大功率耗散:3.1 W
晶体管配置:单
最大栅源电压:-20 V、+20 V
最高工作温度:+150°C
晶体管材料:Si
每片芯片元件数目:1
长度:10.54mm
典型栅极电荷 Vgs:150 nC 10 V
宽度:4.69mm
高度:10.54mm
最低工作温度:-55°C
最大连续漏极电流:38 A
最大漏源电压:100 V
系列:HEXFET
封装类型:I2PAK(TO-262)
安装类型:通孔
引脚数目:3
最大漏源电阻值:60 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:4V
最小栅阈值电压:2V
最大功率耗散:3.1 W
晶体管配置:单
最大栅源电压:-20 V、+20 V
最高工作温度:+150°C
晶体管材料:Si
每片芯片元件数目:1
长度:10.54mm
典型栅极电荷 Vgs:150 nC 10 V
宽度:4.69mm
高度:10.54mm
最低工作温度:-55°C
IRF5210LPBF引脚图
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