MJ11016G
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类达林顿晶体管
- 中文描述NPN达林顿晶体管,30 A,TO-204封装,通孔安装,3引脚
- 英文描述Junction Temperature to+200°C;High DC Current Gain-hFE=1000(Min) IC-20 Adc;Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistor
- 数据手册MJ11016G数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
MJ11016G概述
MJ11016G是一款120V硅NPN双极达林顿功率晶体管，设计用作互补通用放大器应用中的输出设备。该晶体管采用单片结构，内置基极-发射极分流电阻器。
高直流电流增益
集电极基极电压（Vcbo=120V）
发射极基极电压（Vcbo=5V）
高直流电流增益
集电极基极电压（Vcbo=120V）
发射极基极电压（Vcbo=5V）
MJ11016G中文参数
晶体管类型:NPN
最大连续集电极电流:30 A
最大集电极-发射极电压:120 V
最大发射极-基极电压:5 V
封装类型:TO-204
安装类型:通孔
引脚数目:3
晶体管配置:单
每片芯片元件数目:1
最小直流电流增益:200
最大基极-发射极饱和电压:5 V
最大集电极-基极电压:120 V
最大集电极-发射极饱和电压:4 V
尺寸:39.37 x 26.67 x 8.51mm
最低工作温度:-55°C
高度:8.51mm
长度:39.37mm
宽度:26.67mm
最高工作温度:+200°C
最大连续集电极电流:30 A
最大集电极-发射极电压:120 V
最大发射极-基极电压:5 V
封装类型:TO-204
安装类型:通孔
引脚数目:3
晶体管配置:单
每片芯片元件数目:1
最小直流电流增益:200
最大基极-发射极饱和电压:5 V
最大集电极-基极电压:120 V
最大集电极-发射极饱和电压:4 V
尺寸:39.37 x 26.67 x 8.51mm
最低工作温度:-55°C
高度:8.51mm
长度:39.37mm
宽度:26.67mm
最高工作温度:+200°C
MJ11016G引脚图
爆款物料推荐
型号
价格