IR2130STRPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类栅极驱动器
- 中文描述MOSFET驱动器,三相桥,10 V至20 V电源,420 mA输出,425 ns延迟,WSOIC-28
- 英文描述MOSFET/IGBT DRIVER,3-PH BRIDGE,WSOIC28
- 数据手册IR2130STRPBF数据手册Datasheet PDF
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IR2130STRPBF概述
IR2130STRPBF是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT桥式驱动器，具有三个独立的高压侧和低压侧参考输出通道。专有的HVIC技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS或LSTTL输出，逻辑电压低至2.5V。接地运算放大器通过外部电流检测电阻器提供电桥电流的模拟反馈。终止所有六个输出的电流跳闸功能也来自该电阻器。漏极开路故障信号可指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉传导降至最低。传播延迟与高频率下的使用相匹配。浮动通道可用于驱动高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。
浮动通道设计用于自启动操作，可在+600V电压下完全工作
耐负瞬态电压dV/dt免疫，双通道欠压锁定
跨导防止逻辑，死区时间为2.5µs（典型值，TA=25°C）
过流关断功能可关闭所有六个独立半桥驱动器
所有通道的传播延迟相匹配，兼容2.5V逻辑，输出与输入不同相位
输出高电平短路脉冲电流最小为200mA（VO=0V，VIN=0V，PW≤10µs）
输出低电平短路脉冲电流为420mA min（VO=15V，VIN=5V，PW≤10µs）
675ns接通传播延迟（典型值，VBIAS（VCC、VBS1,2,3）=15V、VS0,1,2,3=VSS、CL=1000pF、TA=25°C）
关断传播延迟为425ns（典型值，CL=1000pF，TA=25°C）
28引脚SOIC封装，环境温度范围为-40至125°C
浮动通道设计用于自启动操作，可在+600V电压下完全工作
耐负瞬态电压dV/dt免疫，双通道欠压锁定
跨导防止逻辑，死区时间为2.5µs（典型值，TA=25°C）
过流关断功能可关闭所有六个独立半桥驱动器
所有通道的传播延迟相匹配，兼容2.5V逻辑，输出与输入不同相位
输出高电平短路脉冲电流最小为200mA（VO=0V，VIN=0V，PW≤10µs）
输出低电平短路脉冲电流为420mA min（VO=15V，VIN=5V，PW≤10µs）
675ns接通传播延迟（典型值，VBIAS（VCC、VBS1,2,3）=15V、VS0,1,2,3=VSS、CL=1000pF、TA=25°C）
关断传播延迟为425ns（典型值，CL=1000pF，TA=25°C）
28引脚SOIC封装，环境温度范围为-40至125°C
IR2130STRPBF中文参数
制造商:Infineon
产品种类:栅极驱动器
产品:IGBT,MOSFET Gate Drivers
类型:Half-Bridge
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-28
激励器数量:6 Driver
输出端数量:6 Output
输出电流:500 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:80 ns
下降时间:35 ns
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
逻辑类型:CMOS,TTL
最大关闭延迟时间:550 ns
最大开启延迟时间:850 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:4 mA
输出电压:10 V to 20 V
Pd-功率耗散:1.5 W
产品种类:栅极驱动器
产品:IGBT,MOSFET Gate Drivers
类型:Half-Bridge
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-28
激励器数量:6 Driver
输出端数量:6 Output
输出电流:500 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:80 ns
下降时间:35 ns
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
逻辑类型:CMOS,TTL
最大关闭延迟时间:550 ns
最大开启延迟时间:850 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:4 mA
输出电压:10 V to 20 V
Pd-功率耗散:1.5 W
IR2130STRPBF引脚图
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