IRFP90N20DPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, 通孔
- 英文描述MOSFET N-Channel 200V 94A TO247AC Infineon IRFP90N20DPBF N-channel MOSFET Transistor, 94 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC<span> </span>
- 数据手册IRFP90N20DPBF数据手册Datasheet PDF
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IRFP90N20DPBF概述
IRFP90N20DPBF是一款200V单N沟道HEXFET®功率MOSFET，采用先进的平面技术，单位硅面积导通电阻极低，开关性能极快。
栅极至漏极电荷低，可降低开关损耗
完全特性化的电容和雪崩SOA
栅极至漏极电荷低，可降低开关损耗
完全特性化的电容和雪崩SOA
IRFP90N20DPBF中文参数
通道类型:N
最大连续漏极电流:94 A
最大漏源电压:200 V
封装类型:TO-247AC
系列:HEXFET
安装类型:通孔
引脚数目:3
最大漏源电阻值:23 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:5V
最小栅阈值电压:3V
最大功率耗散:580 W
晶体管配置:单
最大栅源电压:-30 V、+30 V
典型栅极电荷Vgs:180 nC 10 V
长度:15.9mm
宽度:5.3mm
每片芯片元件数目:1
晶体管材料:Si
最高工作温度:+175°C
最低工作温度:-55°C
高度:20.3mm
最大连续漏极电流:94 A
最大漏源电压:200 V
封装类型:TO-247AC
系列:HEXFET
安装类型:通孔
引脚数目:3
最大漏源电阻值:23 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:5V
最小栅阈值电压:3V
最大功率耗散:580 W
晶体管配置:单
最大栅源电压:-30 V、+30 V
典型栅极电荷Vgs:180 nC 10 V
长度:15.9mm
宽度:5.3mm
每片芯片元件数目:1
晶体管材料:Si
最高工作温度:+175°C
最低工作温度:-55°C
高度:20.3mm
IRFP90N20DPBF引脚图
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