STP10NK70ZFP
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 8.6 A, TO-220FP, 通孔安装, 3引脚
- 英文描述N-Channel MOSFET,8.6 A,700 V MDmesh,SuperMESH,3-Pin TO-220FP STMicroelectronics
- 数据手册STP10NK70ZFP数据手册Datasheet PDF
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STP10NK70ZFP概述
STP10NK70ZFP产品通过深度优化ST成熟的条形结构PowerMESH™布局实现技术创新突破，在显著降低导通电阻的同时，特别强化了dv/dt耐受性能，满足严苛应用场景需求。
核心技术亮点
■颠覆性布局优化：基于PowerMESH™基础架构进行极致拓扑重构
■关键参数突破：
♦导通阻抗（RDS(on)）实现跨代式降低
♦动态电压变化率（dv/dt）性能提升50%+
■增强型可靠性设计：应对高频开关工况下的电压尖峰挑战
典型应用领域
■大电流快速开关系统
♦工业级电机驱动
♦高频逆变器拓扑
■高效电源解决方案
♦离线式开关电源（适配器/充电器）
♦功率因数校正（PFC）电路
♦服务器电源模块
核心技术亮点
■颠覆性布局优化：基于PowerMESH™基础架构进行极致拓扑重构
■关键参数突破：
♦导通阻抗（RDS(on)）实现跨代式降低
♦动态电压变化率（dv/dt）性能提升50%+
■增强型可靠性设计：应对高频开关工况下的电压尖峰挑战
典型应用领域
■大电流快速开关系统
♦工业级电机驱动
♦高频逆变器拓扑
■高效电源解决方案
♦离线式开关电源（适配器/充电器）
♦功率因数校正（PFC）电路
♦服务器电源模块
STP10NK70ZFP中文参数
通道类型:N
最大连续漏极电流:8.6 A
最大漏源电压:700 V
封装类型:TO-220FP
系列:MDmesh,SuperMESH
安装类型:通孔
引脚数目:3
最大漏源电阻值:850 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:4.5V
最小栅阈值电压:3V
最大功率耗散:35 W
晶体管配置:单
最大栅源电压:-30 V、+30 V
宽度:4.6mm
长度:10.4mm
典型栅极电荷 Vgs:64 nC 10 V
晶体管材料:Si
每片芯片元件数目:1
最高工作温度:+150°C
最低工作温度:-55°C
高度:16.4mm
最大连续漏极电流:8.6 A
最大漏源电压:700 V
封装类型:TO-220FP
系列:MDmesh,SuperMESH
安装类型:通孔
引脚数目:3
最大漏源电阻值:850 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:4.5V
最小栅阈值电压:3V
最大功率耗散:35 W
晶体管配置:单
最大栅源电压:-30 V、+30 V
宽度:4.6mm
长度:10.4mm
典型栅极电荷 Vgs:64 nC 10 V
晶体管材料:Si
每片芯片元件数目:1
最高工作温度:+150°C
最低工作温度:-55°C
高度:16.4mm
STP10NK70ZFP引脚图
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