IR2109SPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类栅极驱动器
- 中文描述双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
- 英文描述Dual Half Bridge MOSFET Power Driver 0.35A,10→20 V,Non-Inverting,SOIC 8-Pin
- 数据手册IR2109SPBF数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
IR2109SPBF概述
IR2109SPBF是一款高压高速功率MOSFET与IGBT半桥驱动器,高压侧和低压侧参考输出通道.专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构.逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,并且兼容3.3V逻辑.输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在确保最小的驱动器交叉传导.浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,高压侧配置下,工作电压高达600V.
浮动通道设计用于自举运作
可承受负瞬态电压(DV/DT免疫)
两条通道具有欠压闭锁
兼容3.3,5和15V逻辑输入
防跨导逻辑
两条通道具有匹配的传播延迟
高压侧输出与输入同相
低di/dt栅极驱动器,增强抗噪能力
关断输入可关闭2条通道
浮动通道设计用于自举运作
可承受负瞬态电压(DV/DT免疫)
两条通道具有欠压闭锁
兼容3.3,5和15V逻辑输入
防跨导逻辑
两条通道具有匹配的传播延迟
高压侧输出与输入同相
低di/dt栅极驱动器,增强抗噪能力
关断输入可关闭2条通道
IR2109SPBF中文参数
制造商:Infineon
产品种类:栅极驱动器
产品:Half-Bridge Drivers
类型:High-Side,Low-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:120 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:220 ns
下降时间:80 ns
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
逻辑类型:CMOS,TTL
最大关闭延迟时间:200 ns
最大开启延迟时间:750 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:1.6 mA
工作电源电压:10 V to 20 V
Pd-功率耗散:625 mW
产品类型:Gate Drivers
传播延迟—最大值:950 ns
产品种类:栅极驱动器
产品:Half-Bridge Drivers
类型:High-Side,Low-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
激励器数量:2 Driver
输出端数量:2 Output
输出电流:120 mA
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:20 V
上升时间:220 ns
下降时间:80 ns
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
逻辑类型:CMOS,TTL
最大关闭延迟时间:200 ns
最大开启延迟时间:750 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:1.6 mA
工作电源电压:10 V to 20 V
Pd-功率耗散:625 mW
产品类型:Gate Drivers
传播延迟—最大值:950 ns
IR2109SPBF引脚图
爆款物料推荐
型号
价格