1N5818
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类肖特基二极管
- 中文描述直插肖特基二极管,1A,30V,DO-41,2针,单路
- 英文描述Schottky barrier diode,1N5818 1A 30V STMicroelectronics 1N5818 Schottky Diode,1A,30V,2-Pin DO-41
- 数据手册1N5818数据手册Datasheet PDF
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1N5818概述
1N5818是一款轴向封装的功率肖特基整流管，专为开关电源（SMPS）和高频直流-直流转换器设计。采用DO-41封装，适用于以下场景：
低压高频逆变器
续流二极管（Freewheeling）
极性保护电路
小型电池充电器
其高频性能和低损耗特性使其在高效能电源设计中表现出色。
特性
■极低的导通损耗
■可忽略的开关损耗
■超快开关速度
■低正向压降
■支持雪崩特性认证
低压高频逆变器
续流二极管（Freewheeling）
极性保护电路
小型电池充电器
其高频性能和低损耗特性使其在高效能电源设计中表现出色。
特性
■极低的导通损耗
■可忽略的开关损耗
■超快开关速度
■低正向压降
■支持雪崩特性认证
1N5818中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:肖特基二极管与整流器
安装风格:Through Hole
封装/箱体:DO-41
配置:Single
技术:Si
If-正向电流:1 A
Vrrm-重复反向电压:30 V
Vf-正向电压:500 mV
Ifsm-正向浪涌电流:25 A
Ir-反向电流:500 uA
最小工作温度:-65℃
最大工作温度:+150℃
系列:1N5818
产品种类:肖特基二极管与整流器
安装风格:Through Hole
封装/箱体:DO-41
配置:Single
技术:Si
If-正向电流:1 A
Vrrm-重复反向电压:30 V
Vf-正向电压:500 mV
Ifsm-正向浪涌电流:25 A
Ir-反向电流:500 uA
最小工作温度:-65℃
最大工作温度:+150℃
系列:1N5818
1N5818引脚图
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