IRF3205PBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述英飞凌,MOSFET,HEXFET系列,N沟道,Si,Vds=55 V,110 A,3引脚TO-220AB封装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRF3205PBF数据手册Datasheet PDF
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IRF3205PBF概述
IRF3205PBF是一款HEXFET®N沟道功率MOSFET,具有极低的导通电阻和快速开关性能.International rectifier的HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术,以实现极低的导通电阻.这一特点加上HEXFET功率MOSFET的快速开关速度,以及坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件,可用于多种应用.
动态dv/dt额定值
雪崩级别
快速开关
±20V栅-源电压
应用
电源管理
动态dv/dt额定值
雪崩级别
快速开关
±20V栅-源电压
应用
电源管理
IRF3205PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 110 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 55 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 高度 | 8.77mm |
| 安装类型 | 通孔 | 宽度 | 4.69mm |
| 引脚数目 | 3 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 8 mΩ | 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 10.54mm |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 系列 | HEXFET |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 典型栅极电荷@Vgs | 146 nC @ 10 V |
| 最大功率耗散 | 200 W | 最低工作温度 | -55 °C |
IRF3205PBF引脚图
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