IKW50N65H5
- 厂商名称Infineon
- 元件分类IGBT晶体管
- 中文描述IGBT,50 A,1.65 V,305 W,650 V,TO-247,3引脚
- 英文描述Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT,80 A 650 V,3-Pin TO-247
- 数据手册IKW50N65H5数据手册Datasheet PDF
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IKW50N65H5概述
IKW50N65H5是一款高速IGBT,采用TRENCHSTOP™5技术,配有RAPID 1快速和软反并联二极。TRENCHSTOP™5 IGBT技术提供硬开关应用方面提供无与伦比的性能,制造出高性能IGBT。新系列是IGBT设计重大突破,可以满足市场对未来高效率的需求。具有卓越的效率,降低了结温和外壳温度,从而提高器件的可靠性。
低Qg
降低开关损耗
低COES/EOSS
正温度系数VCE(sat)
Vf温度稳定性
高功率密度设计
VCE(sat)降低200mV
可提升总线电压50V,不会影响可靠性
绿色产品
无卤素
低Qg
降低开关损耗
低COES/EOSS
正温度系数VCE(sat)
Vf温度稳定性
高功率密度设计
VCE(sat)降低200mV
可提升总线电压50V,不会影响可靠性
绿色产品
无卤素
IKW50N65H5中文参数
制造商:Infineon
产品种类:IGBT晶体管
技术:Si
封装/箱体:TO-247-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:1.65 V
栅极/发射极最大电压:-20 V,20 V
在25 C的连续集电极电流:80 A
Pd-功率耗散:305 W
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+175℃
系列:TRENCHSTOP 5 H5
栅极—射极漏泄电流:100 nA
产品种类:IGBT晶体管
技术:Si
封装/箱体:TO-247-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:1.65 V
栅极/发射极最大电压:-20 V,20 V
在25 C的连续集电极电流:80 A
Pd-功率耗散:305 W
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+175℃
系列:TRENCHSTOP 5 H5
栅极—射极漏泄电流:100 nA
IKW50N65H5引脚图
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