BSS138-7-F
- 厂商名称Diodes
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, 表面安装
- 英文描述N-Channel 50 V 200mA(Ta)300mW(Ta)Surface Mount SOT-23-3
- 数据手册BSS138-7-F数据手册Datasheet PDF
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BSS138-7-F概述
BSS138-7-F是一款50V N沟道增强型MOSFET,带镀雾锡端子.符合MIL-STD-202,method 208,端子可焊接.外壳由模制塑料(UL94V-0)制成.MOSFET具有低栅极阈值电压,快速开关速度和低输入电容.
低导通电阻
低输入/输出泄漏
无卤素,无锑
绿色设备
符合AEC-Q101标准,高可靠性
低导通电阻
低输入/输出泄漏
无卤素,无锑
绿色设备
符合AEC-Q101标准,高可靠性
BSS138-7-F中文参数
制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:50 V
Id-连续漏极电流:200 mA
Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:300 mW
通道模式:Enhancement
正向跨导-最小值:100 mS
高度:1 mm
长度:2.9 mm
产品:MOSFET Small Signals
产品类型:MOSFETs
系列:BSS138
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:20 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:50 V
Id-连续漏极电流:200 mA
Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:300 mW
通道模式:Enhancement
正向跨导-最小值:100 mS
高度:1 mm
长度:2.9 mm
产品:MOSFET Small Signals
产品类型:MOSFETs
系列:BSS138
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:20 ns
BSS138-7-F引脚图
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