6月4日消息，据韩媒报道，SK海力士计划在未来五年内将内存晶圆产能翻倍，并预计由人工智能驱动的内存市场短缺，可能会持续到2030年。
相关报道称，SK海力士并未透露此次扩产的具体金额，但公司表示，2026年的投资规模将远超2025年的30.2万亿韩元（约合人民币1328 亿元）。
具体来看，到2026年底，SK海力士第六代10纳米级DRAM，也就是1c DRAM的月产能，预计将从约2万片提高到16万至19万片，增幅达到8至9倍。
这部分扩产规模将占DRAM总产能的三分之一以上，并支持GDDR7和SOICAMM2等产品生产。
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按照规划，SK海力士将通过升级现有设施和建设新产线来提升产能。到2027年，公司还计划将M16工厂的1a和1b DRAM生产线转换为1c DRAM生产线。届时，1c DRAM月产能目标将达到17万至20万片，较此前目标几乎翻倍。
目前，HBM每比特所需的晶圆数量远高于标准DRAM，同时利润率也更高，因此存储大厂正在持续将产能向HBM等高端产品倾斜。
SK海力士目前在全球HBM市场占据约58%的份额，在全球DRAM市场也占据重要位置。
随着AI服务器、GPU加速卡和下一代AI平台持续放量，HBM、GDDR7、SOCAMM2等高端内存产品的需求仍在快速增长。
价格方面，TrendForce数据显示，2026年第一季度传统DRAM合约价格环比上涨约93%至98%。预计第二季度传统DRAM合约价格还将继续上涨58%至63%。
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不过，SK海力士现在加速扩产，短期内也很难立刻缓解内存紧缺。因为从建厂、洁净室建设，到设备采购、安装调试，再到良率爬坡，本身就需要很长时间。
除了DRAM，SK海力士还在推进NAND产能升级。
据报道，SK海力士计划在大连二厂建设200层级的FG，也就是浮栅结构3D NAND产线，相关设备采购已经启动，目标是在2027年下半年实现全面量产。
目前，三星、美光、铠侠、西部数据等主要闪存原厂，大多在3D NAND中采用CT，也就是电荷阱结构。而SK海力士则通过收购英特尔NAND业务，保留了FG NAND产线。
SK海力士大连一厂目前仍具备192层NAND量产能力。
相比CT结构，FG结构在高容量QLC NAND上仍有一定优势，尤其适合面向大容量、读取密集型SSD的应用场景。
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这正好符合AI存储的新需求。因为AI推理、模型加载、数据检索等场景，对高容量、低成本、读取密集型SSD的需求正在上升。
对存储厂商来说，HBM解决的是“算力旁边的高速内存”问题，而大容量QLC SSD解决的，则是AI数据中心里越来越庞大的存储问题。
消息数据来源：汤姆硬件、the bell、彭博社
