4月24日消息，据路透社报道，一名三星电子前工程师全某，因为泄露敏感技术，被韩国法院判处7年有期徒刑，并处罚2亿韩元罚款（约 92.38 万元人民币）。
据悉该工程师56岁，曾掌握三星存储芯片制造相关核心技术。法院认定，他窃取并泄露了存储芯片制造过程中的约600个详细步骤，相关内容涉及先进 DRAM 生产工艺。
三星曾在 5 年内为 10nm 级 DRAM 技术投入约 1.6 万亿韩元研发成本（约 73.90 亿元人民币），而全某在相近时期加入同行公司，并通过手写笔记等方式外泄芯片制造机密。
调查显示，全某在 6 年间共受贿29 亿韩元（约 133.95 万元人民币），其中包括合同奖励和股票期权等形式的利益，作为技术转让的回报。
法院认为，其行为严重损害了企业核心竞争力，也对韩国半导体产业安全造成了重大影响。
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事实上，这并不是三星首次遭遇类似技术泄密事件。
2025 年，韩国方面曾拘留 3 名前三星员工，其中包括一名高管，原因是他们涉嫌将三星核心技术泄露给竞争对手，用于开发 18nm DRAM 存储芯片。该案也被认为是韩国半导体产业近年来规模较大的技术泄密事件之一。
相关报道曾指出，这类技术外泄可能已导致三星遭受巨额损失。仅去年一年，三星相关销售损失就被估算高达 5 万亿韩元（约 230.95 亿元人民币），未来数年仍可能继续造成数万亿韩元级别的潜在影响。
2024年，一名在中国工作的韩国籍工程师A某，也因涉嫌向韩国泄露国内存储芯片机密，被中国警方逮捕。
据悉，A某曾是三星电子芯片部门员工，2016年起先后在包括长鑫存储在内的多家中国芯片企业任职。
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