导读:近日据快科技报道,英特尔CEO基辛格接受媒体采访,特别提到了Intel在EUV光刻工艺上的选择错误。
图:ASML光刻机
最近几年,台积电及三星在半导体工艺上超越了Intel,后者在14nm节点之前都是全球最先进的半导体公司,然而在10nm节点面临各种困难,给了对手可乘之机。那么,Intel在这个过程中是如何被超越的呢?
英特尔CEO基辛格称,在EUV技术研发上,Intel是全球重要推手,ASML研发EUV光刻机也得到了Intel的不少帮助,但是Intel在10nm节点没有选择EUV光刻,而是尝试了新的SAQP四重曝光技术,它们的目标是不依赖EUV光刻机也能生产先进工艺。
基辛格表示,当初这个目标是很好的,然而SAQP曝光工艺非常复杂,成本高,随着时间的推移,Intel站在了EUV错误的一边,基辛格表示当时应该至少有一个并行的EUV战略才对。
基辛格所说的这个事其实就是过去几年中Intel在10nm工艺上多次跳票的关键,这两年才算是搞定了10nm工艺的量产,现在改名为Intel 7工艺。
至于EUV工艺,Intel现在也重视起来了,跟ASML的合作很好,今年底量产的Intel 4工艺就是Intel首个EUV工艺,用于首发量产14代酷睿Meteor Lake,明年上市。
UT116A/测试夹 | 149 | |
UT890C/万用表 | 99 | |
DL241025/螺丝批套装 | 18.22 | |
DP-366D/吸锡器/吸锡线 | 17.21 | |
BK881/热风拆焊台 | 368.85 | |
STM8L051F3P6TR/单片机(MCU/MPU/SOC) | 2.2 | |
207112/防静电刷子 | 5.58 | |
DP-366P/吸锡器/吸锡线 | 27.61 | |
PM-905F/斜嘴钳 | 37.35 | |
CA-IS3720LS/数字隔离器 | 0.7648 |
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