英特尔CEO：首款1.8nm芯片将在年内流片-立创商城

英特尔CEO：首款1.8nm芯片将在年内流片
2022-09-28 17:52:26 阅读量：725 来源：英特尔

导读：在9月28日凌晨举行的英特尔创新大会上，CEO基辛格强调摩尔定律不会死，还会活得很好，他们将在4年内搞定5代CPU工艺，包括年内将完成首款18A工艺芯片的流片。

图：英特尔

根据英特尔介绍，这五代工艺分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A及Intel 18A，其中Intel 7就是去年底12代酷睿上首发的工艺，13代酷睿也会继续用，明年则会升级Intel 4，首次支持EUV光刻工艺。

不过Intel真正在工艺上再次领先的是20A及18A两代工艺，从20A开始进入埃米级节点，放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管，相当于友商的2nm、1.8nm水平。

同时Intel也会在20A、18A上首发两大突破性技术，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

在这次创新大会上，Intel CEO基辛格还透露了18A工艺的最新进展，今年底将会有首款芯片流片，虽然他没有提及具体的芯片型号，但能够走到流片这一步，意味着Intel的“1.8nm”工艺已经有相当高的成熟度了。

　|　英特尔

上一篇：触屏迷你控制器下一篇： STM32调试过程中常见的问题及解决方法

分享到：

猜你喜欢

热门物料

型号

价格

TMS320F28335PGFA/单片机(MCU/MPU/SOC)		53.91
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片		1.63
ADUM4160BRWZ-RL/隔离式USB芯片		23.5
TPS54331DR/DC-DC电源芯片		0.839
TMS320F28027PTT/单片机(MCU/MPU/SOC)		12.65
OP2177ARZ-REEL7/运算放大器		7.71
MAX3232EUE+T/RS232芯片		6.55
XTR111AIDGQR/ADC/DAC-专用型		3.35
AM26C31IDR/缓冲器/驱动器/收发器		1.57
ADR4525BRZ-R7/电压基准芯片		23.03