4 月 16 日，据韩媒报道，三星电子计划最早于 2026 年 5 月完成首批下一代高带宽内存 HBM4E 的样品生产，并在内部验证后交付给英伟达。
三星电子的目标是抢占下一代HBM市场。
从技术路线看，HBM4E延续了HBM4的整体架构，但在性能和带宽上提升了不少。
其逻辑芯片采用 4nm 工艺制造，DRAM 部分则基于 10nm 级第六代（1c）工艺。接口位宽达到 2048 位，数据传输速率提升至 16 Gb/s。在多堆栈系统中，整体内存带宽最高可达 24.6 TB/s。
图源：朝鲜商报
每个堆栈的独立通道数量增加至 32 个，每个通道还包含 2 个伪通道，使得数据访问更加灵活高效。
同时，HBM4E 还引入了定向刷新管理（DRFM）等机制，用于提升可靠性、可用性和可维护性，并对行锤击等问题进行优化处理，进一步增强系统稳定性。
在上一代HBM4芯片的竞争中，三星率先实现了量产，领先于竞争对手SK海力士和美光。
这次HBM4E中，SK海力士也正全力投入，并考虑采用比HBM4先进一代的DRAM产品，优先采用台积电的3nm工艺制造逻辑芯片。
图片来源：DIGITIMES
此前，SK海力士在HBM4逻辑芯片上采用的是台积电12nm工艺，而HBM4 DRAM则采用的是10nm的第五代（1b）工艺。
目前HBM4 和 HBM4E 的主要应用平台——英伟达 Vera Rubin 系列 AI 芯片，发布时间有所调整，整体产量规划也在动态变化，但并不影响存储厂商的布局节奏。
消息数据来源：朝鲜日报、韩国商业报
