菊厂与中科院将发布下一代DRAM技术

导读：据日媒Tech+报道，HW（以下均简称菊厂）将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术，进行各种有关内存的演示。

据Tech+透露，菊厂这次发布的3D DRAM技术，是基于铟镓锌氧IGZO-FET材料的CAA构型晶体管3D DRAM技术，具有出色的温度稳定性和可靠性。

氧化物IGZO由东京工业大学的细野教授于2004年发现并发表在《自然》杂志上。对于该论文，日本媒体评价道：“令人惊讶的是，受到美国政府半导体技术禁运的中国人从事如此尖端的半导体研究，并在国际会议上以30%的接受率被采用。”

该成果被选作该会议程序委员会选出的推荐论文之一，除菊厂之外，IBM、三星、英特尔、Meta、斯坦福大学、乔治亚理工学院等都将展示存储领域的新突破。

实际上，早在去年的IEDM 2021上，中科院微电子所团队联合海思，就曾提出新型垂直环形沟道器件结构（CAA）。该结构减小了器件面积，支持多层堆叠。其通过将上下两个CAA器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至4F2。

而在菊厂官网上，公开对外征集挑战的奥林帕斯难题中，就包括下一代新型存储介质技术，本次成果展示的3D DRAM正在其中，可见菊厂对存储器基础理论的研究早有渊源。

而就在5月19日，麒麟公众号在一篇关于存储器的科普文章中写到，随着芯片尺寸的微缩，DRAM工艺微缩将越来越困难，“摩尔定律”走向极限，因此各大厂商在研究3D DRAM作为解决方案来延续DRAM的使用。

随着DRAM市场历经多年起伏，现今全球主要供应商仅剩3家，包括三星、SK海力士与美光，占据去年整体DRAM市场产值高达94%，为寡占市场，三星与海力士更高达71.3%。

而当前量产的DARM技术中，国内最大制造商工艺大约落后三星、SK海力士五年以上，市占更不足1%。因此，下一代存储技术的预研和产业化成为关键节点。