4月下旬,芯片大师曾率先爆料缺水缺电!台积电拟将2万片产能移至大陆,随后台积电正式宣布将对南京12英寸晶圆厂追加投资28.9亿美元,以扩充28nm产能。
尽管台积电同时在大陆和美国本土“押注”的行为在国内掀起争论,但大陆半导体业界对这项计划对大陆产业链的推动总体持积极评价和欢迎态度。
就在业内认为台积电南京厂将顺利扩产之时,近日有台湾消息人士称,台积电因此举正受到来自美国的压力。
据DIGITIMES报道,美国政府担忧,台积电南京工厂扩建项目将有助于中国大陆推动半导体自给自足的目标。该人士评论称,在中美之间台积电越发难以维持其所坚持的“中立”立场。
同时,台积电赴美建厂计划在美国国内出现“杂音”。
图:英特尔CEO Pat Gelsinger
6月,英特尔CEO帕特·盖尔辛格(Pat Gelsinger)在美国政治媒体《POLITICO》上刊文表示,美国应该重点扶植像英特尔一样的美国本土芯片厂商,而不是只在美国设厂的外国企业。
这篇名为《不只是制造,美国芯片投资须支持美国优先》的文章称,美国政府应该将纳税人的钱投资在美国的IP(知识产权)和能力上。
文中特别提到,台积电这类外国芯片制造商来美国争取政府补贴,但将最有价值的知识产权留在本部。不仅如此,台积电美国新工厂在2024年运营之时,其最先进的制程仍留在中国台湾。
图:知名半导体产业分析师陆行之
知名半导体产业分析师陆行之发文批评称,英特尔“打从心里”就没把台积电当合作伙伴,争抢美国政府将提供的巨额补助。现在英特尔代工能力还没赶上来,只是暂时逼不得续找台积电代工。
他认为,台积电赴美设厂如果未来不能获得公平的补助和优惠,也就不必太认真,“弄个样板厂敷衍一下就好”,不要执意增加成本那么高的产能。在台积电宣布赴美建厂之前,陆行之就曾警告,美国建厂风险较大,劝台积电“千万别上当”。
FS55X106K101EGG/贴片电容(MLCC) | 1.28 | |
CA45-A016K106T/钽电容 | 0.224 | |
LKS665B/仿真器/烧录器 | 589.08 | |
FS32X225K101EGG/贴片电容(MLCC) | 0.229602 | |
FE2HX475M251LGL/贴片电容(MLCC) | 7.07 | |
DMS3R3224RS/超级电容器 | 1.57 | |
SM3R3703T01U/超级电容器 | 0.952 | |
FS32X106K101EGG/贴片电容(MLCC) | 1.42 | |
CA45-A010K106T/钽电容 | 0.2016 | |
SX32Y025000BK1T003/无源晶振 | 0.222 |
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