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ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

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型号：BL24CM1A-PARC 编号：C414060

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM1A是一款1Mbit (131072 x 8)的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，提供高达4百万次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

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型号：P25Q32SH-SSH-IT 编号：C2833294

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P25Q32SH闪存是一款功能丰富且成本优化的串行外设接口（SPI）非易失性NOR闪存产品系列。

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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：W25X40CLSNIG 编号：C113674

封装：SOIC-8-150mil

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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型号：W25Q32JVUUIQ 编号：C2999380

封装：USON-8(3x4)

3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI

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型号：FM24W256-GTR 编号：C66020

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、快速2线串行接口（I2C），支持高达1 MHz的频率，低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据记录和工业控制。

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型号：W25Q128JWSIQ 编号：C2763561

封装：SOIC-8-208mil

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音……（原文“voi”后内容不完整）

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4ITR 编号：C2802769

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LF1GE4AB是一款采用串行接口的1Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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型号：MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2891523

封装：TSOPI-48

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

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型号：W25Q512JVFIQ 编号：C2962011

封装：SOIC-16-300mil

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

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型号：MX25L51245GZ2I-08G 编号：C2803021

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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￥58.68
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型号：K4A4G165WF-BCTD 编号：C2803249

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E 编号：C395385

封装：VFBGA-63

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 是一款高性能的闪存设备，支持异步接口，具有单层单元 (SLC) 技术。该设备提供 2112 字节的页面大小，每个块包含 64 个页面，总共有 2048 个块。支持 1.8V 和 3.3V 供电电压，工业温度范围为 -40°C 到 +85°C。

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型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI 编号：C57407

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

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型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥275.31 ￥289.8
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￥261.668 ￥275.44

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型号：MT25QU02GCBB8E12-0SIT 编号：C6916912

封装：TPBGA-24(6x8)

特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz

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￥508.92
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￥488.71

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型号：MKDV32GIL-STPB 编号：C48937379

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

32Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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￥590.311 ￥621.38
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￥562.2195 ￥591.81

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型号：MT40A1G16TB-062E:F 编号：C20561900

封装：FBGA-96(7.5x13)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

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￥627.33
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型号：AT24C02S 编号：C46550852

封装：SOT-23-5

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

24C02是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，施密特触发器，抑制输入噪声，双向数据传输协议，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，8-byte页，允许部分页写操作，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年，封装形式：DIP8、SOP8、TSSOP8、SOT23-5。

10+
￥0.2616
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￥0.2077
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￥0.1807
3000+
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型号：ZD24C08A-SSGMB 编号：C918266

封装：SOP-8

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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10+
￥0.27117 ￥0.3013
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￥0.23895 ￥0.2655
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￥0.21159 ￥0.2351
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￥0.19944 ￥0.2216
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￥0.18981 ￥0.2109
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￥0.18495 ￥0.2055

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型号：AD24C32 编号：C5125084

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C32是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具有4096字节的存储容量，支持1.8V至5.5V的工作电压，适用于多种应用场景，如智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子和通信设备等。

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5+
￥0.3924
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￥0.3464
150+
￥0.3234
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￥0.3061
2500+
￥0.2611
4000+
￥0.2542

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型号：24C64S(XBLW) 编号：C41408505

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行EEPROM，组织为8192个8位字。支持标准2线双向串行接口，适用于1.8V至5.5V的宽电压范围。

5+
￥0.526395 ￥0.5541
50+
￥0.412395 ￥0.4341
150+
￥0.355395 ￥0.3741
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￥0.312645 ￥0.3291
3000+
￥0.278445 ￥0.2931
6000+
￥0.26125 ￥0.275

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型号：AT24C08M5/TR 编号：C7432355

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥0.6908
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￥0.5461
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￥0.4737
500+
￥0.4195
3000+
￥0.376
6000+
￥0.3543

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型号：AT24C32N 编号：C434601

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C32 / AT24C64提供32,768 / 65,536位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为4096 / 8192个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT24C32 / AT24C64采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP和8引脚MSOP封装，通过两线串行接口进行访问

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5+
￥1.0104
50+
￥0.8005
150+
￥0.7032
500+
￥0.5818
2000+
￥0.5278
4000+
￥0.4954

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型号：ZD24C128A-XGMB 编号：C918272

封装：TSSOP-8

ZD24C128A是一款128Kbit (16,384 x 8) I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的低电压操作。该器件具有64字节的页写模式，1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间，并提供多种封装选项。

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￥1.1337
50+
￥0.901
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￥0.8013
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￥0.6769
2500+
￥0.6215
5000+
￥0.5882

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型号：ZD24C256A-SSGMB 编号：C918273

封装：SOIC-8