ST存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24CM02-SSHM-T 编号：C779670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8（2 Mbit）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

数据手册

1+
￥19.83
10+
￥16.97
30+
￥15.18
100+
￥12.28
500+
￥11.45
1000+
￥11.09

有货

立即购买

型号：HG24C32MM/TR 编号：C5310845

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

数据手册

5+
￥0.7126
50+
￥0.551
150+
￥0.4701
500+
￥0.4095
3000+
￥0.3947
6000+
￥0.3705

有货

立即购买

型号：HX24LC16BDRG 编号：C2987259

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

5+
￥0.7656
50+
￥0.6096
150+
￥0.5316
500+
￥0.4731
2500+
￥0.4135
5000+
￥0.39

有货

立即购买

型号：FM24C64D-SO-T-G 编号：C192126

封装：SO-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C64D提供65,536位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字，带有128位唯一ID和32字节安全区域。该设备支持最多8个设备共享一个2线总线，适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

数据手册

5+
￥0.9956
50+
￥0.777
150+
￥0.6677
500+
￥0.5857
2500+
￥0.5201
4000+
￥0.4873

有货

立即购买

型号：ZD25WQ80CEIGR 编号：C16197313

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,8Mbit，1.65V~3.6V,USON-8(2x3),Tape&Reel

5+
￥1.1899
50+
￥0.9382
150+
￥0.8304
500+
￥0.6958
3000+
￥0.6154
6000+
￥0.5794

有货

立即购买

型号：AT24C16D-STUM-T-TUDI 编号：C22469411

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C16提供16,384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，特别是在低功耗和低电压操作至关重要的场合。AT24C16可通过2线串行接口访问，工作电压范围为1.7V至5.5V。

5+
￥1.99348 ￥2.0984
50+
￥1.56256 ￥1.6448
150+
￥1.37788 ￥1.4504
500+
￥1.147505 ￥1.2079
2500+
￥1.044905 ￥1.0999
5000+
￥0.98325 ￥1.035

有货

立即购买

型号：AT24C01C-SSHM-T 编号：C36157

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256个字，每个字8位。两款器件均具备级联功能，最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

数据手册

5+
￥2.168
50+
￥1.7277
150+
￥1.539
500+
￥1.3035
2500+
￥1.1987

有货

立即购买

型号：GD25Q16ESIG 编号：C2693492

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.67
30+
￥2.44
95+
￥1.7

有货

立即购买

型号：AT24C04D-STUM-T 编号：C2061208

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.68
30+
￥2.33
100+
￥1.99
500+
￥1.79
1000+
￥1.69

有货

立即购买

型号：CAT24C256YI-GT3 编号：C146734

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256是一款256kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、低功耗CMOS技术、工业和扩展温度范围。

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.93
30+
￥2.61
100+
￥2.21
500+
￥2.03
1000+
￥1.93

有货

立即购买

型号：25LC256T-I/SN 编号：C188247

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

数据手册

1+
￥6.03
10+
￥4.82
30+
￥4.22
100+
￥3.62
500+
￥3.26
1000+
￥3.08

有货

立即购买

型号：DS28E07P+T 编号：C2063921

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

数据手册

1+
￥11.12
10+
￥9.42
30+
￥8.36
100+
￥7.26
500+
￥6.77
1000+
￥6.56

有货

立即购买

型号：W25Q128JVEIQ 编号：C401662

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

1+
￥13.6
10+
￥12.08
30+
￥11.12
100+
￥10.14
480+
￥9.21
960+
￥9.02

有货

立即购买

型号：W25Q128JWSIQ 编号：C2763561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音……（原文“voi”后内容不完整）

数据手册

1+
￥16.68
10+
￥14.75
30+
￥13.54
90+
￥12.31
540+
￥11.75

有货

立即购买

型号：W25Q128FVSIG 编号：C571265

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该器件在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，工作电流低至 4mA，掉电电流低至 1μA。

数据手册

1+
￥18.51
10+
￥16.27
30+
￥14.86
100+
￥13.43
500+
￥12.78
1000+
￥12.49

有货

立即购买

型号：MKDV4GCL-ABF 编号：C51966232

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥22.71
10+
￥19.46
30+
￥17.54
100+
￥15.59
480+
￥14.69
960+
￥14.28

有货

立即购买

型号：DS28EC20+ 编号：C722465

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

1+
￥27.06
10+
￥23.15
30+
￥20.82
100+
￥18.47

有货

立即购买

型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI 编号：C883296

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥29.78
10+
￥25.08
30+
￥22.28
100+
￥19.45
500+
￥18.15
1000+
￥17.56

有货

立即购买

型号：IS62WV51216EBLL-45TLI 编号：C1348903

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 512K 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥34.29
10+
￥29.87
30+
￥26.12
135+
￥23.46
540+
￥22.23
945+
￥21.68

有货

立即购买

型号：MKDV4GIL-AST 编号：C26159626

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV4GIL-AS的升级款，4Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV4GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C10；IOPS R/W 1633/90；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

1+
￥35.76
10+
￥30.96
30+
￥28.04
100+
￥25.59

有货

立即购买

型号：H5TQ4G63EFR-RDC 编号：C2803259

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样

数据手册