ST存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：GD25Q256EWIGR 编号：C6564321

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥20.82
10+
￥17.84
30+
￥16.08
100+
￥14.29
500+
￥13.46
1000+
￥13.09

有货

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型号：W989D6DBGX6I 编号：C2641243

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。以完全同步模式运行，输出数据与系统时钟的正边沿同步，能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。

数据手册

16+
￥39.37
160+
￥38.78
480+
￥38.39
1600+
￥38

有货

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型号：W971GG6NB-25 TR 编号：C17224612

封装：TFBGA-84(8x12.5)

品牌：Winbond(华邦)

W971GG6NB是1Gbit DDR2 SDRAM，组织为8,388,608字 × 8个bank × 16位。该设备分为以下等级：-18, 18l, 18J, -25, 25l, 25J 和 -3。-25, 25l 和 25J 等级符合DDR2-800 (5-5-5)或DDR2-800 (6-6-6)规范，支持-40°C至105°C的工作温度范围。工作电压为1.8V±0.1V。

20+
￥50.52
200+
￥45.56
600+
￥42.54
2500+
￥40

有货

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型号：H5AN4G6NBJR-VKC 编号：C2849414

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

数据手册

1+
￥70.52
10+
￥67.92
30+
￥66.33
100+
￥65

有货

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型号：W664GG6RB-06 编号：C41866572

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

24+
￥83.78
240+
￥73.98
720+
￥68.01
2400+
￥63

有货

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型号：SDINBDG4-8G 编号：C577444

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

数据手册

1+
￥192.52
30+
￥180

有货

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型号：MT29F8G08ABACAWP-IT:C 编号：C400999

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb NAND Flash Memory，支持单次编程操作，具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作，通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。

数据手册

1+
￥213.5
10+
￥207.99
30+
￥190.33
100+
￥182

有货

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C2803245

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

数据手册

1+
￥276.08
30+
￥242

有货

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型号：AT24C16 编号：C7507361

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款EEPROM元器件采用I2C接口，提供16Kbit存储容量，适应400kHz至1MHz的时钟频率。其工作电压范围为1.8V至5.5V，确保了良好的兼容性和稳定性。适用于多种设备，如通信设备、医疗设备，满足数据存储与管理的需求。

5+
￥0.4672
50+
￥0.3765
150+
￥0.3311
500+
￥0.2971
2500+
￥0.2489
4000+
￥0.2353

有货

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型号：ZD24C02B-MAGMT 编号：C28314538

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B提供2048位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作至关重要。

5+
￥0.6629
50+
￥0.5285
150+
￥0.4614
500+
￥0.411
3000+
￥0.3455
6000+
￥0.3254

有货

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型号：BL24C128A-PARC 编号：C90484

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C128A提供131,072位（16,384字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。BL24C128A具有两线串行接口，可在1.7V至5.5V的单电源电压下工作，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

5+
￥0.7584
50+
￥0.6108
150+
￥0.537
500+
￥0.4816
2500+
￥0.4373
5000+
￥0.4152

有货

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型号：CAT24C32WI-GT3 编号：C81193

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥2.0023
50+
￥1.5986
150+
￥1.4255
500+
￥1.1953
3000+
￥1.0991
6000+
￥1.0414

有货

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型号：ZD25WQ16CEIGR 编号：C7304007

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,16Mbit,1.65~3.6V,USON-8(2x3)，Tape&Reel

5+
￥2.0559
50+
￥1.6324
150+
￥1.4508
500+
￥1.2244
3000+
￥1.1514
6000+
￥1.0909

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型号：CAT24C128WI-GT3 编号：C81195

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

数据手册

1+
￥2.41
10+
￥1.88
30+
￥1.66
100+
￥1.38
500+
￥1.25
1000+
￥1.18

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型号：24LC08BT-I/OT 编号：C89050

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款8K位电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备由四个256×8位存储器块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达16字节数据的页写入能力。

数据手册

5+
￥2.6454
50+
￥2.0799
150+
￥1.8375
500+
￥1.4048
3000+
￥1.2702
6000+
￥1.1894

有货

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型号：ZD25WQ32CEIGR 编号：C5258281

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,32Mbit,1.65~3.6V,USON2x3x0.45mm，Tape&Reel

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.15
500+
￥1.83
1000+
￥1.73

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型号：24LC64T-I/OT 编号：C511267

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/ 24FC64 (24)xx64是一个64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个单块8Kx8位存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3 mA。

数据手册

1+
￥3.53
10+
￥2.82
30+
￥2.47
100+
￥2.12
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

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型号：AT25256B-SSHL-T 编号：C36901

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装

数据手册

1+
￥3.87
10+
￥3.16
30+
￥2.81
100+
￥2.45
500+
￥2.24
1000+
￥2.14

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型号：W25X40CLUXIG TR 编号：C401661

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

数据手册

1+
￥6.1
10+
￥5.28
30+
￥4.87
100+
￥4.47
500+
￥4.03
1000+
￥3.9

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型号：MX25V1635FZUI 编号：C6330274

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。支持唯一ID和安全OTP。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口模式0和模式3。具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或64K字节，任何块都可单独擦除。单电源供电，读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA

1+
￥10.16
10+
￥8.47
30+
￥7.54
100+
￥6.48
500+
￥6.02
1000+
￥5.8

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型号：W25N02KVZEIR 编号：C3010298

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N02KV是一款2G-bit的SLC QSPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。具有灵活的架构，每个块为128KB，支持高达104MHz的时钟频率，提供多种封装选项，包括8-pad WSON 8x6mm、24-ball TFBGA 8x6mm和16-pin SOIC 300-mil。

数据手册

30+
￥55.38
300+
￥46.77
960+
￥43.09

有货

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型号：W66DP2RQQAGJ 编号：C46681826

封装：TFBGA-200(10x14.5)

品牌：Winbond(华邦)

30+
￥155.51
900+
￥148

有货

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型号：KLMAG1JETD-B041 编号：C499919

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同，因此使用行业标准的MMC协议v5.1对内存进行简单的读写。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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