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封装：SOP-8

GD25Q16E（16M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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￥3.45
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￥2.72
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￥2.4
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￥2.01
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￥1.84
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￥1.73

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型号：FM25V10-GTR 编号：C44173

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，适用于需要频繁写入的应用。

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￥36.92
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￥31.62
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￥26.33
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型号：MT41K128M16JT-125:k 编号：C36513

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V

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￥47.22
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￥42.53
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￥39.74
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￥32.59
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￥32

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型号：MT25QU512ABB1EW9-0SIT 编号：C2060949

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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￥79.21
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￥75.39
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￥63

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型号：MKDN256GCL-ZA 编号：C2913169

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，采用LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商业级应用。Nano SD NAND 包含NAND闪存和高性能控制器，支持SD3.0接口，工作电压为3.3V。

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￥162.925 ￥171.5
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￥148.6655 ￥156.49

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJ 编号：C2842431

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥440.44
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￥319.72

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型号：24C16BN(XBLW) 编号：C18723545

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16K位的串行EEPROM，采用8位宽的存储结构，支持标准2线双向串行接口。该设备适用于低电压和低功耗应用，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。

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￥0.25574 ￥0.2692
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￥0.21413 ￥0.2254
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￥0.193325 ￥0.2035
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￥0.177745 ￥0.1871
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￥0.165205 ￥0.1739
8000+
￥0.15903 ￥0.1674

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型号：BL24C64A-PARC 编号：C89291

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C64A 是一款64Kbits (8Kbytes)的串行低功耗、低电压EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，可实现部分页写入。提供多种封装形式，包括8-lead PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。

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￥0.5924
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￥0.4771
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￥0.4195
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型号：FM24C16D-SO-T-G 编号：C285241

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C16D是一款16K位2线串行EEPROM，具有128位唯一ID和16字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为40年。

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￥0.6106
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￥0.4863
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￥0.4241
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￥0.3402
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型号：CAT25640VI-GT3 编号：C153776

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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5+
￥1.7501
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￥1.3566
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￥1.1879
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￥0.9775
3000+
￥0.8838
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￥0.8276

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

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5+
￥1.9331
50+
￥1.5063
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￥1.3233
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￥1.095
3000+
￥0.9462
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￥0.8852

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型号：24AA02T-I/OT 编号：C478090

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥2.0128
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￥1.5642
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￥1.372
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￥1.0253

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型号：ZD25WQ32CEIGR 编号：C5258281

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,32Mbit,1.65~3.6V,USON2x3x0.45mm，Tape&Reel

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￥2.2682
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￥1.7965
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￥1.5944
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￥1.2673
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￥1.1549
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型号：GD25Q80CTIGR 编号：C395464

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

C版本是8寸的晶元，65纳米的工艺

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￥3.37
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￥2.66
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￥2.36
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￥1.98
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￥1.82
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￥1.71

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型号：24AA02E48T-I/OT 编号：C38987

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该器件由两个128×8位存储器块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，I温度下的最大待机电流仅为1μA，E温度下为5μA，最大工作电流为1 mA。还具备最多八字节数据的页写能力（24AA025E48/24AA025E64为16字节）。有标准8引脚SOIC、5引脚SOT-23和6引脚SOT-23封装可供选择。

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1+
￥3.5
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￥2.8
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￥2.46
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￥2.11
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￥2.04
1000+
￥1.93

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型号：CAT24C512YI-GT3 编号：C56096

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥3.99
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￥3.21
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￥2.83
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￥2.44
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￥2.07
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￥1.95

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型号：GD25Q32ESIGR 编号：C2832998

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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1+
￥4.34
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￥3.3
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￥2.96
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￥2.11
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￥2

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型号：W25X20CLUXIG-TR 编号：C164121

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

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1+
￥4.78
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￥4.01
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￥3.68
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￥3.2274 ￥3.26
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￥2.8908 ￥2.92
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￥2.7819 ￥2.81

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型号：W25Q80DVUXIE 编号：C401667

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q80DV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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1+
￥5.16
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￥4.32
30+
￥3.9
100+
￥3.48
500+
￥3.02
1000+
￥2.89

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型号：MX25V1635FZUI 编号：C6330274

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。支持唯一ID和安全OTP。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口模式0和模式3。具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或64K字节，任何块都可单独擦除。单电源供电，读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA

1+
￥6.69
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￥5.5
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￥4.85
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￥4.12
500+
￥3.79
1000+
￥3.64

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型号：MB85RC64VPNF-G-JNERE1 编号：C8740

封装：SOIC-8-150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V

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1+
￥8.32
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￥6.94
30+
￥6.18
100+
￥5.32
500+
￥4.93
1500+
￥4.76

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型号：W25Q64JWUUIQ 编号：C6604692

封装：USON-8(3x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

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￥10.8
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￥9.59
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￥8.92
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￥8.17
500+
￥7.83
1000+
￥7.68

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型号：W25Q64JVZEIQ 编号：C571262

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥11.23
10+
￥10.04
30+
￥9.39
100+
￥8.65
500+
￥8.32
1000+
￥8.17

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型号：W9812G6KH-6 编号：C62379

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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1+
￥19.85
10+
￥17.8
30+
￥16.51
108+
￥14.22
540+
￥13.63
864+
￥13.37

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

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1+
￥25.12
10+
￥23.19
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￥21.98
108+
￥20.08
540+
￥19.53
864+
￥19.28

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型号：W25N01GWZEIG 编号：C2940194

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥38.83
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￥35.89
30+
￥34.05
100+
￥31.8483 ￥32.17
480+
￥31.0068 ￥31.32
960+
￥30.6405 ￥30.95

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型号：MKDV8GCL-ABF 编号：C51966233

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥39.7385 ￥41.83
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￥34.2475 ￥36.05
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￥30.894 ￥32.52
100+
￥28.0915 ￥29.57

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型号：W989D6DBGX6I 编号：C2641243

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。以完全同步模式运行，输出数据与系统时钟的正边沿同步，能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。

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