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封装：LQFP-48(7x7)

特性：Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O

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￥7.99
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￥7.03
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￥6.12
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￥5.44
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￥5.16
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￥5.02

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型号：STM8S003F3P6TR 编号：C52717

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。存储器：程序存储器：8 Kbyte闪存，在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除循环。时钟、复位和电源管理：2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器

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￥2.87
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￥1.88
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￥1.58
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￥1.5
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型号：STM32G030F6P6TR 编号：C529330

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32G030C8T6 编号：C529329

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32F030C8T6 编号：C23922

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

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￥5.77
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￥3.56
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￥3.38
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￥3.28

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型号：STM32F103RCT6 编号：C8323

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。存储器：256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM，带有4个片选的灵活静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器，LCD并行接口，8080/6800模式。

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￥13.28
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￥10.19
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￥9.03
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￥8.49
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￥8.27

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型号：STM32F407VET6 编号：C28730

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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￥20.39
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￥18.02
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￥16.82
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￥15.2
540+
￥14.62
1080+
￥14.37

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型号：STM8S003F3U6TR 编号：C35556

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，扩展指令集。程序存储器：8 Kbyte闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM：1 Kbyte。数据存储器：128字节真数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC

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￥2.54
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￥1.97
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￥1.69
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￥1.43
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￥1.36
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￥1.32

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型号：GD32E230C8T6 编号：C380535

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥3.19
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￥2.68
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￥2.31
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￥2.01
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￥1.91
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￥1.85

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型号：STM32G030F6P6 编号：C724040

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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￥4.98
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￥3.51
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￥3.01
500+
￥2.85
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￥2.76

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型号：STM32G070CBT6 编号：C529338

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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1+
￥7.14
10+
￥6.22
30+
￥5.36
250+
￥4.72
500+
￥4.45
1000+
￥4.32

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型号：STM32F103CBT6 编号：C8304

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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1+
￥11.06
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￥9.62
30+
￥8.6
250+
￥7.67
500+
￥7.25
1000+
￥7.07

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型号：STM32F103VET6 编号：C8308

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

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1+
￥16.86
10+
￥14.6
30+
￥13
100+
￥11.54
500+
￥10.86
1000+
￥10.59

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型号：STM32F405RGT6 编号：C15742

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存，高达192 + 4 Kbytes SRAM，包括64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM，灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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1+
￥20
10+
￥17.25
30+
￥15.84
100+
￥13.97
500+
￥13.29
1000+
￥13

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型号：STM8L051F3P6TR 编号：C18088

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件：工作电源：1.8V至3.6V。温度范围： -40℃至85℃。低功耗特性：5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停模式快速唤醒：5μs。先进的STM8内核：哈佛架构和3级流水线

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1+
￥3.78
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￥3.18
30+
￥2.75
100+
￥2.4
500+
￥2.07
1000+
￥2

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型号：STM8S005K6T6C 编号：C37925

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，指令集扩展。中密度闪存/EEPROM：程序存储器为32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年；数据存储器为128字节真正的数据EEPROM，可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。灵活的时钟控制，4个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统

数据手册

1+
￥4.99
10+
￥4.15
30+
￥3.56
250+
￥2.95
500+
￥2.8
1000+
￥2.7

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型号：STM32G030K6T6 编号：C529331

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

1+
￥5.61
10+
￥4.67
30+
￥4.01
250+
￥3.46
500+
￥3.29
1000+
￥3.18

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型号：STM32L051C8T6 编号：C110878

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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1+
￥8.93
10+
￥7.73
30+
￥6.88
250+
￥6.11
500+
￥5.75
1000+
￥5.6

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型号：STM32L431RCT6 编号：C92468

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71 V至3.6 V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200 nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8 nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280 nA。停止2模式电流为1.0 μA，带RTC的停止2模式电流为1.28 μA

数据手册

1+
￥12.76
10+
￥11.08
30+
￥9.9
100+
￥8.82
500+
￥8.33
1000+
￥8.12

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型号：STM32F103RET6 编号：C8322

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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1+
￥17.39
10+
￥14.99
30+
￥13.77
100+
￥12.13
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￥11.55
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