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封装：SOP-8

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

数据手册

1+
￥7.41
10+
￥6.28
30+
￥5.66
100+
￥4.95
500+
￥4.35
1500+
￥4.2

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型号：BL24C512A-SFRC 编号：C169114

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C512A是一款512Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业和商业应用。提供页写操作，可在3ms内完成写操作，具有100年的数据保留时间和400万次写周期寿命。

数据手册

5+
￥1.6367
50+
￥1.3109
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￥0.9194
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￥0.8728

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型号：AT24C04D-SSHM-T 编号：C116667

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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5+
￥1.8166
50+
￥1.4212
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￥1.2517
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2500+
￥0.8965
4000+
￥0.8401

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型号：24LC02BT-I/SN 编号：C5453

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02/24LC02B（24xx02*）是一款 2 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用 2 线串行接口，组织为一个 256×8 位的存储块。低电压设计允许其在低至 1 V 的电压下工作

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5+
￥1.9002
50+
￥1.5166
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￥1.1471
3300+
￥1.0558

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

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5+
￥1.9458
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￥1.5189
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￥0.9589
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型号：24LC04BT-I/SN 编号：C511263

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx04是一款4 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个256×8位的存储块组成，具备两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.3869
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￥1.9737
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￥1.7967
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￥1.5757
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￥1.4774

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型号：W25X40CLSSIG-TR 编号：C164122

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

数据手册

1+
￥5.51
10+
￥4.86
30+
￥4.53
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￥4.01
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￥3.9

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型号：AT45DB041E-SHN-T 编号：C63570

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

数据手册

1+
￥6.72
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￥5.62
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￥5.08
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￥4.53
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￥3.8
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￥3.63

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型号：FM24CL16B-GTR 编号：C31082

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥7.49
10+
￥6.63
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￥5.82
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￥5.22
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￥4.98
1000+
￥4.85

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型号：ZD25Q128CSIGT 编号：C19626875

封装：SOP-8-208mil

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,128Mbit,2.7~3.6V,SOP-8-208mil,Tube

1+
￥7.69
10+
￥6.43
30+
￥5.73
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￥4.71
480+
￥4.36
960+
￥4.2

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型号：GD25Q32CSIGR 编号：C318845

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

数据手册

1+
￥8.19
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￥6.81
30+
￥6.05
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￥5.19
500+
￥4.43
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￥4.25

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型号：W25Q32JVSNIQ 编号：C5355146

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作。

1+
￥10.48
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￥9.13
30+
￥8.38
100+
￥7.55
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￥7.17
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￥7

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型号：MX25R3235FM1IL0 编号：C2802824

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位(双I/O模式)结构或8,388,608 x 4位(四I/O模式)结构。每个扇区为4K字节,每个块为32K字节或64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源操作

1+
￥10.63
10+
￥8.44
30+
￥7.24
100+
￥5.88
500+
￥5.28
1000+
￥5

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型号：FM25V10-GTR 编号：C44173

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，适用于需要频繁写入的应用。

数据手册

1+
￥39.6
10+
￥34.4
30+
￥29.22
100+
￥26.09
500+
￥24.65
1000+
￥24

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型号：MT25QL128ABA1ESE-0SIT 编号：C41359590

封装：SOP-8-208mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议

1+
￥40.28
10+
￥34.43
30+
￥30.87
100+
￥27.88

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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

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1+
￥75.15
10+
￥71.48
30+
￥57.55
100+
￥52

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型号：W29N02KVSIAF 编号：C2940193

封装：TSOPI-48

品牌：Winbond(华邦)

W29N02KV是一款2Gbit、3.3V供电的NAND Flash存储器，适用于低功耗和高可靠性的应用。支持标准NAND命令集，提供多种封装选项，包括48-pin TSOP1、48-ball VFBGA和63-ball VFBGA。

数据手册

8+
￥75.24
80+
￥64.28
192+
￥57.6
768+
￥52

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型号：W25N04KVZEIR 编号：C5342170

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

40+
￥80.66
400+
￥73.28
960+
￥68.78
3840+
￥65

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

数据手册

1+
￥81.03
10+
￥70.36
30+
￥63.86
100+
￥53

有货

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型号：K4A8G165WC-BCTD 编号：C2803251

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥191.24
30+
￥178

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型号：THGBMUG6C1LBAIL 编号：C7509349

封装：BGA-153(13X11.5)

品牌：KIOXIA(铠侠)

集成闪存和e-MMC控制器于单个BGA封装，执行纠错、损耗均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理等功能。支持符合JEDEC 5.0/5.1版本的高速内存接口，无需主机直接控制闪存。适用于因所需密度处于较低GB范围，或处理器尚不支持UFS接口而无法迁移到最新一代UFS的应用。

1+
￥266.18
30+
￥257

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型号：MKDV16GIL-STPA 编号：C20607687

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥298.0055 ￥313.69
30+
￥283.366 ￥298.28

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型号：AT24C02 编号：C7470930

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

10+
￥0.2954
100+
￥0.2442
300+
￥0.2186
1000+
￥0.1994
4000+
￥0.1532
8000+
￥0.1455

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型号：ZD24C02B-XGMT 编号：C5375516

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。

数据手册

10+
￥0.38151 ￥0.4239
100+
￥0.30375 ￥0.3375
300+
￥0.26487 ￥0.2943
3000+
￥0.22761 ￥0.2529
6000+
￥0.2043 ￥0.227
9000+
￥0.1926 ￥0.214

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型号：AT24C16D 编号：C7432022

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AT24C16D是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，存储容量为2048字节，分为128页，每页16字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。

10+
￥0.4395
100+
￥0.3532
300+
￥0.3101
1000+
￥0.2777
4000+
￥0.2518
8000+
￥0.2389

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型号：BL24C16F-PARC 编号：C2828223

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C16F提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为2048个字节。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。写保护引脚允许在接地时进行正常读写操作，连接到Vcc时启用写保护。

数据手册

10+
￥0.4747
100+
￥0.3931
300+
￥0.3523
2500+
￥0.3132
5000+
￥0.2887
10000+
￥0.2765

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型号：FT24C16A-KLR-T 编号：C5263774

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C16A是一款16,384位的串行EEPROM，支持标准的2线双向串行接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.7V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。该器件支持16字节页写模式，具有自定时编程周期（最大5ms），1 MHz（2.5-5V）和400 kHz（1.7V）兼容性，以及100年的数据保留能力。