ST存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：DS28E05R+T 编号：C2064942

封装：SOT-23-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-WireEEPROM、利用高效的单触点操作，为传感器和附件提供低成本的认证或校准

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￥8.27
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￥6.94
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￥5.39
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型号：W25X05CLSNIG 编号：C2641187

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25X05CL（512K位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25x系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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￥4.39
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￥3.7
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型号：W25Q80DVSNIG 编号：C115408

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。工作电压为 2.7V 至 3.6V 或 2.3V 至 3.6V,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 4,096 个可编程页面组成,每页 256 字节,每次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页(4KB 扇区擦除)、128 页(32KB 块擦除)、256 页(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。小的 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性

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￥4.6394
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￥4.1609
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￥3.9558
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￥3.6823
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￥3.5684
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型号：24AA025UIDT-I/OT 编号：C2061498

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02UID/24AA025UID（24AA02XUID*）是一款 2 Kbit 的电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该器件由两个 128×8 位的存储块组成，并配备两线串行接口。低电压设计允许其在低至 1 的电压下工作

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￥4.81
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￥4
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￥3.6
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￥3.2
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￥2.52
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型号：GX2431D 编号：C2758004

封装：DFN-6

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431D是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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￥4.93
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型号：24LC512T-I/SM 编号：C18091

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一款 64k x 8（512 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信和数据采集。该设备还具备高达 128 字节数据的页写入能力，能够在 512K 边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间可达 4 Mbit。该设备有标准的 8 引脚塑料 DIP、SOIJ、SOIC、TSSOP、DFN 和 14 引脚 TSSOP 封装。24AA512 还有 8 引脚芯片级封装。

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￥5.6
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￥3.1
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型号：GD25Q64ESIG 编号：C2685734

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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￥6.14
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型号：24AA64FT-I/OT 编号：C2061144

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/24FC64F(24XX64F*)是一款64Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储体组织为单个8K×8位的存储块。低电压设计使其能够在低至1V的电压下工作

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￥6.63
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￥5.49
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型号：AT24CM01-SSHM-T 编号：C68393

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥7.38
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￥6.08
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￥5.37
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型号：DS28E01P-100+T 编号：C143315

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1Kb、保护型1-WireEEPROM，带有SHA-1引擎、为外设和系统提供低成本世界级安全认证

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￥11.76
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￥10.11
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型号：SST26VF064B-104I/SM 编号：C638561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路I/O（SQI）系列闪存器件采用六线4位I/O接口，能在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥14.97
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￥12.58
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￥11.09
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型号：DS2431+ 编号：C143305

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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￥15.74
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￥13.43
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￥11.98
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500+
￥9.83
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型号：PM004MNIATR 编号：C5444277

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

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￥18.74
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￥15.88
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型号：MT25QL128ABA8ESF-0SIT 编号：C427722

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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￥31.82
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￥27
30+
￥24.13
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￥21.22
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￥19.89
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￥19.28

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型号：MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2891523

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

数据手册

1+
￥31.85
10+
￥27.77
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￥25.35
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￥20.54
500+
￥19.41
1000+
￥18.9

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型号：MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 编号：C189908

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用 262,144 字 × 8 位配置，使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据，存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作，写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。

数据手册

1+
￥34.69
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￥30.03
30+
￥26.4
100+
￥23.6
500+
￥22.3
1500+
￥21.72

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型号：MT41K128M16JT-125 IT:K 编号：C115792

封装：TFBGA-96

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。

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1+
￥41.46
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￥36.17
30+
￥33.02
100+
￥29.83
500+
￥28.37
1000+
￥27.71

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型号：FM25W256-GTR 编号：C23520

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写），151年的数据保持能力，无延迟写入，非常快的SPI接口（最高20 MHz），低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），以及工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥41.5
10+
￥38.8
30+
￥37.2
100+
￥34.09
500+
￥33.34
1000+
￥33

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型号：FM25V20A-GTR 编号：C466857

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口，最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

数据手册

1+
￥53.69
10+
￥45.91
30+
￥41.18
100+
￥37.2

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型号：EPCQ16ASI8N 编号：C467192

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

FPGA-配置存储器

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1+
￥56.16
10+
￥49.02
30+
￥44.67
100+
￥41.02

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型号：W29N02KVSIAF 编号：C2940193

封装：TSOPI-48

品牌：Winbond(华邦)

W29N02KV是一款2Gbit、3.3V供电的NAND Flash存储器，适用于低功耗和高可靠性的应用。支持标准NAND命令集，提供多种封装选项，包括48-pin TSOP1、48-ball VFBGA和63-ball VFBGA。

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1+
￥58.71
10+
￥53.82
30+
￥50.91
96+
￥47.97
480+
￥46.62
768+
￥46

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型号：MKDN064GIL-ZA 编号：C3041336

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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￥150.271 ￥158.18
30+
￥143.0035 ￥150.53

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型号：MKEMF032GT1E-C 编号：C22374386

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,32GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°,CLDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

1+
￥163.115 ￥171.7
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￥155.3535 ￥163.53

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型号：MT40A512M16LY-062E:E 编号：C1352320

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

1+
￥208.7
30+
￥189.29

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型号：ZD24C08A-SSGMB 编号：C918266

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

数据手册

10+
￥0.3498
100+
￥0.2779
300+
￥0.2314
1000+
￥0.2044
5000+
￥0.1829
10000+
￥0.1721

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型号：BL24C02F-RRRC 编号：C498263

封装：TSOT-23-5L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F 提供 2Kbits (256 字节) 的 EEPROM 存储，支持 I2C 协议，具有硬件数据保护功能。适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

数据手册

10+
￥0.3802
100+
￥0.3062
300+
￥0.2692
3000+
￥0.2415
6000+
￥0.2193
9000+
￥0.2082

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型号：AT24C02CM/TR 编号：C7432364

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C02M/TR升级替代料，建议试样，串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

10+
￥0.4245
100+
￥0.3376
300+
￥0.2942
2500+
￥0.2617
5000+
￥0.2356
10000+
￥0.2226

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型号：BL24C16F-PARC 编号：C2828223

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C16F提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为2048个字节。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。写保护引脚允许在接地时进行正常读写操作，连接到Vcc时启用写保护。

数据手册

10+
￥0.4529
100+
￥0.3665
300+
￥0.3233
2500+
￥0.2819
5000+
￥0.256
10000+
￥0.2431

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型号：AT24C128CDR140 编号：C51026304

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C128是一款提供128K比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为16384x8比特，内部分为256页，每页64字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，64-byte页写，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年。

5+
￥0.624
50+
￥0.4953
150+
￥0.431
500+
￥0.3828
2500+
￥0.3442
4000+
￥0.3249

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型号：NB25Q40BTIGT 编号：C44606203

封装：SOP-8-150mil

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,4Mbit， 1.65~3.6V 宽电压,高可靠性，确保10万次擦写，数据保存时间长达20年SOP8 150mil Tape&Reel

5+
￥0.6441
50+
￥0.5096
200+
￥0.4423
500+
￥0.3919
2500+
￥0.3459
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