ST存储器_厂家_价格_品牌_库存

特性：支持串行外设接口。支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源供电

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12+
￥5.83
120+
￥4.99
360+
￥4.37
1200+
￥3.95
6000+
￥3.7
12000+
￥3.57

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型号：24LC512T-I/SN 编号：C52088

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24XX12）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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1+
￥6.38
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￥5.08
30+
￥4.43
100+
￥3.79
500+
￥3.4
1000+
￥3.2

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型号：MX25L3233FM2I-08G 编号：C190802

封装：SOP-8-208mil

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10+
￥6.42
100+
￥5.33
300+
￥4.59
2000+
￥3.92
4000+
￥3.62
10000+
￥3.48

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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￥7.21
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￥5.79
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￥5.08
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￥4.38
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￥3.73
1000+
￥3.51

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型号：AT45DB161E-SHD-T 编号：C64021

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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1+
￥11.84
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￥10.14
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￥9.21
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￥8.16
500+
￥6.33
1000+
￥6.11

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型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2980994

封装：WSON-8-EP(6x8)

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4+
￥27.02
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￥23.92
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￥21.11
400+
￥19.25
2000+
￥18.39
4000+
￥18

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型号：W25Q512JVEIQ TR 编号：C7389628

封装：WSON-8(6x8)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

40+
￥48.09
400+
￥41.92
1200+
￥38.16
4000+
￥35

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型号：H5TQ4G63EFR-RDC 编号：C2803259

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样

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1+
￥73.93
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￥65.6
30+
￥60.52
100+
￥52

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型号：W634GU6RB-11 编号：C29801372

封装：-

10+
￥79.89
100+
￥69.57
300+
￥63.28
1000+
￥58

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型号：MT40A512M16LY-075:E 编号：C598779

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）

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1+
￥223.79
30+
￥210

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型号：MT40A512M16LY-062E:E 编号：C1352320

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

1+
￥234.78
30+
￥210

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型号：MKDV32GCL-STP 编号：C7500179

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 6万次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥260.205 ￥273.9
30+
￥250.8 ￥264

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型号：CSNP32GCR01-AOW 编号：C2841139

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代32Gb.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.耐高温,具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.别称:mini eMMC/贴片式TF卡

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1+
￥280.72
30+
￥241.67

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型号：MKDN512GCL-ZC 编号：C52753986

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC, 512Gbit(64GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压，别名SDNAND、贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;

1+
￥284.9792 ￥309.76
30+
￥271.308 ￥294.9

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型号：24C32BN(XBLW) 编号：C18723546

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

10+
￥0.378955 ￥0.3989
100+
￥0.296875 ￥0.3125
300+
￥0.255835 ￥0.2693
1000+
￥0.225055 ￥0.2369
4000+
￥0.20045 ￥0.211
8000+
￥0.1881 ￥0.198

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型号：AT24C02CM/TR 编号：C7432364

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C02M/TR升级替代料，建议试样，串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

10+
￥0.4227
100+
￥0.3362
300+
￥0.293
2500+
￥0.2606
5000+
￥0.2347
10000+
￥0.2217

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型号：AT24C64CM/TR 编号：C22446588

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C64M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.8108
50+
￥0.6381
150+
￥0.5517
500+
￥0.4869
2500+
￥0.4459
5000+
￥0.4199

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型号：ZD24C64A-XGMT 编号：C2875852

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C64A是一款低电压操作的64Kbit (8,192 x 8) I2C兼容串行EEPROM，支持100kHz至1MHz的时钟频率，具有32字节页写模式，高可靠性和超低功耗。

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5+
￥0.9857
50+
￥0.7831
150+
￥0.6963
500+
￥0.588
3000+
￥0.5181
6000+
￥0.4892

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型号：CAT24C08WI-GT3 编号：C80801

封装：SOIC-8

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.7468
50+
￥1.3766
150+
￥1.2179
500+
￥0.9411
3000+
￥0.8529
6000+
￥0.8

有货

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型号：CAT24C16WI-GT3 编号：C81197

封装：SOIC-8

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.7562
50+
￥1.3782
150+
￥1.2162
500+
￥1.0141
3000+
￥0.8491
6000+
￥0.7951

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型号：CAT24C02TDI-GT3A 编号：C81340

封装：TSOT-23-5

CAT24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAT24C02 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.8875
50+
￥1.5166
150+
￥1.3576
500+
￥0.9289
3000+
￥0.8406
6000+
￥0.7876

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型号：ZD24C256A-SSGMT 编号：C2896642

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥1.9733
50+
￥1.5841
150+
￥1.4172
500+
￥1.2091
3000+
￥1.0239
6000+
￥0.9683

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型号：24AA02E48T-I/OT 编号：C38987

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该器件由两个128×8位存储器块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，I温度下的最大待机电流仅为1μA，E温度下为5μA，最大工作电流为1 mA。还具备最多八字节数据的页写能力（24AA025E48/24AA025E64为16字节）。有标准8引脚SOIC、5引脚SOT-23和6引脚SOT-23封装可供选择。

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.12
30+
￥2.79
100+
￥2.46
500+
￥2.4
1000+
￥2.29

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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥3.59
30+
￥3.3
100+
￥2.95
500+
￥2.66
1000+
￥2.56

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型号：MX25R4035FZUIL0 编号：C7009757

封装：USON-8(2x3)

4Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 524,288 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 1048,576 位 x 4 或 2,097,152 位 x 2。具有串行外设接口和软件功能。

1+
￥6.8
10+
￥6.02
30+
￥5.64
100+
￥5.25
500+
￥5.02
1000+
￥4.9

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型号：AT45DB321E-SHF-T 编号：C60544

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V

数据手册

1+
￥12.82
10+
￥11.14
30+
￥10.1
100+
￥9.02
500+
￥7.8
1000+
￥7.59

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型号：MX25L12833FM2I-10G 编号：C701355

封装：SOP-8-200mil

特性：支持串行外设接口-模式 0 和模式 3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏。134,217,728 x 1 位结构，或 67,108,864 x 2 位（双 I/O 模式）结构，或 33,554,432 x 4 位（四 I/O 模式）结构。协议支持-单 I/O、双 I/O 和四 I/O。从 -1V 到 Vcc + 1V 可承受 100mA 的闩锁保护

数据手册

1+
￥17.32
10+
￥14.5
30+
￥12.74
92+
￥9.17
460+
￥8.36
920+
￥8

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型号：AT24CM02-SSHM-T 编号：C779670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8（2 Mbit）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

数据手册

1+
￥19.83
10+
￥16.97
30+
￥15.18
100+
￥12.28
500+
￥11.45
1000+
￥11.09

有货

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型号：W25Q128JWSIQ TR 编号：C7150045

封装：SOIC-8-208mil