ST存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN8G6NDJR-XNC 编号：C2961593

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

10+
￥273.74
320+
￥258.68

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2895586

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

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1+
￥15.69
10+
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￥13.53
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￥12.36
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￥11.98
990+
￥11.8

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型号：H5TC4G63EFR-RDAR 编号：C37953994

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下，与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿（时钟的下降沿）上锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理，并预取8位以实现非常高的带宽。

1+
￥68.85
10+
￥60.43
30+
￥55.3
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￥51

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型号：MKDV8GCL-ABF 编号：C51966233

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥116.7835 ￥122.93
10+
￥111.6345 ￥117.51
30+
￥102.7045 ￥108.11
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￥94.9145 ￥99.91

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型号：P24C02A-SSH-MIR 编号：C2836794

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C02A是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有256 x 8位的存储阵列，支持页写模式和部分页写。工作电压范围为1.6V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C。

数据手册

10+
￥0.357
100+
￥0.2802
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￥0.2418
1000+
￥0.213
4000+
￥0.19
8000+
￥0.1785

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型号：BL24C64A-PARC 编号：C89291

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C64A 是一款64Kbits (8Kbytes)的串行低功耗、低电压EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，可实现部分页写入。提供多种封装形式，包括8-lead PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。

数据手册

5+
￥0.5929
50+
￥0.4775
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￥0.4198
500+
￥0.3765
2500+
￥0.3419
5000+
￥0.3246

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型号：AT24C02D-SSHM-T 编号：C34807

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供1,024/2,048位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为128/256个8位字。设备的可级联功能允许最多八个设备共享一个公共两线总线。适用于许多对低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用。有节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23和8球VFBGA封装。整个封装系列的工作电压为1.7V至3.6V。

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5+
￥1.4595
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￥1.1668
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￥1.0414
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￥0.8849
2500+
￥0.8447
4000+
￥0.8029

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型号：AT24C04C-SSHM-T 编号：C6205

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04C和AT24C08C提供4096/8192位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512/1024个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT24C04C/08C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并通过两线串行接口进行访问

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￥1.8559
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￥1.5186
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￥1.3741
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￥1.1938
2500+
￥0.9516
4000+
￥0.9034

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型号：AT24C02D-STUM-T 编号：C79996

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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5+
￥2.1917
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￥1.7482
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￥1.5581
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￥1.321
2500+
￥1.2154
5000+
￥1.152

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型号：24LC16BT-I/OT 编号：C2061286

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥2.2733
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￥1.8197
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￥1.6253
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￥1.1847
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￥1.1199

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型号：24LC256T-I/SN 编号：C5458

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24××256*）是一款 32K × 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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1+
￥3.19
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￥2.56
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￥2.3
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￥1.78
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￥1.69

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型号：AT24C512C-SSHM-T 编号：C54668

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C512C 提供 524,288 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 65,536 个 8 位字。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥4.25
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￥3.51
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￥2.77
500+
￥2.54
1000+
￥2.43

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型号：W25Q80DVSSIG 编号：C98163

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该设备采用2.7V至3.6V单电源供电，掉电时电流消耗低至1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由4096个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节

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1+
￥5.69
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￥5.02
30+
￥4.68
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￥4.35
500+
￥4.15
1000+
￥3.78

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型号：GD25Q32ESIG 编号：C2685733

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q32E（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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￥7.1
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￥5.3
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￥3.45
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￥3.09
1045+
￥2.9

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型号：MX25L6433FM2I-08G 编号：C706695

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

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￥8.87
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￥7.6
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￥6.9
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￥6.11
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￥5.76
1000+
￥5.6

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2985658

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

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1+
￥16.44
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￥14.82
30+
￥13.94
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500+
￥12.01
1000+
￥11.8

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

数据手册

1+
￥19.96
10+
￥17.99
30+
￥16.76
108+
￥14.82
540+
￥14.25
864+
￥14

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型号：W9812G6KH-6 编号：C62379

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥25.58
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￥22.86
30+
￥21.16
108+
￥18.13
540+
￥17.35
864+
￥17

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型号：MKDV4GCL-ABF 编号：C51966232

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥55.45
10+
￥47.97
30+
￥43.4
100+
￥38.93

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型号：H5TQ4G63EFR-RDI 编号：C7435512

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥67.54
10+
￥59.69
30+
￥54.91
100+
￥50.9

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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR 编号：C401001

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 4Gb NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能I/O操作。这些设备使用高度复用的8位总线（I/Ox）传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态（R/B#）。该设备具有内部4位ECC，可以通过GET/SET特性命令启用。

数据手册

1+
￥125.31
10+
￥120.04
30+
￥110.91
100+
￥102.94

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型号：FM24C16D-SO-T-G 编号：C285241

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C16D是一款16K位2线串行EEPROM，具有128位唯一ID和16字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为40年。

数据手册

5+
￥0.6406
50+
￥0.5163
150+
￥0.4541
500+
￥0.4075
2500+
￥0.3702
4000+
￥0.3516

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型号：AT24C64 编号：C18186739

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AT24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，存储容量为8192字节，分为256页，每页32字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，支持SOP-8和DIP-8封装。适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制。

5+
￥0.719
50+
￥0.5894
150+
￥0.5246
500+
￥0.476
2500+
￥0.3561
5000+
￥0.3366

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型号：AT24C64CM/TR 编号：C22446588

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C64M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.8108
50+
￥0.6381
150+
￥0.5517
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￥0.4869
2500+
￥0.4459
5000+
￥0.4199

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型号：BL24C256A-PARC 编号：C90485

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A 是一种256Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件写保护功能，适用于工业和商业应用。

数据手册

5+
￥0.9597
50+
￥0.7887
150+
￥0.7031
500+
￥0.639
2500+
￥0.5525
5000+
￥0.5268

有货

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型号：HT24LC64 编号：C73710

封装：SOP-8

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

64-Kbit(8K x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.8V to 5.5V

数据手册

5+
￥1.0663
50+
￥0.8471
150+
￥0.7531
500+
￥0.6359
2500+
￥0.5276
5000+
￥0.4963

有货

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型号：FM24C64D-SO-T-G 编号：C192126

封装：SO-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C64D提供65,536位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字，带有128位唯一ID和32字节安全区域。该设备支持最多8个设备共享一个2线总线，适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

数据手册

5+
￥1.1542
50+
￥0.8958
150+
￥0.7851
500+
￥0.647
2500+
￥0.5854
4000+
￥0.5485

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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥1.7634
50+
￥1.3789
150+
￥1.2141
500+
￥1.0085
2500+
￥0.917
5000+
￥0.8621

有货

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型号：CAT24C02TDI-GT3A 编号：C81340

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAT24C02 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.8875
50+
￥1.5166
150+
￥1.3576
500+
￥0.9289
3000+
￥0.8406
6000+
￥0.7876

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型号：MB85RC16PNF-G-AMERE2 编号：C46681954

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储产品。

1+
￥3.89
10+
￥3.18
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￥2.83
100+
￥2.47
500+
￥2.26
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