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512Mb串行闪存存储器166/133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP512MG-RMLE-TR 编号：C5772382

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash memory offers a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. "Industry Standard Serial Interface" Flash is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. The device is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. The IS25xP series of Flash adds support for DTR (Double Transfer Rate) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These transfer rates can outperform 16-bit Parallel Flash memories allowing for efficient memory access to support XIP (execute in place) operation. Initial state of the memory array is erased (all bits are set to 1) when shipped from the factory. QPI (Quad Peripheral Interface) supports 2-cycle instruction further reducing instruction times. Pages can be erased in groups of 4Kbyte sectors, 32Kbyte blocks, 64K/256Kbyte blocks, and/or the entire chip. The uniform sector and block architecture allows for a high degree of flexibility so that the device can be utilized for a broad variety of applications requiring solid data retention.

1+
￥83.02
10+
￥71.82
30+
￥65

有货

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IS25WP512M-RHLE

型号：IS25WP512M-RHLE 编号：C5656664

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥93.28
10+
￥90.44

有货

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IS25LP512M-RHLA3

型号：IS25LP512M-RHLA3 编号：C6062487

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥98.69
10+
￥95.69

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512Mb串行闪存存储器133/112MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25WP512M-RHLA3 编号：C7211294

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash memory offers a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. "Industry Standard Serial Interface" Flash is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. The device is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. Clock frequencies of up to 133MHz allow for equivalent clock rates of up to 532MHz (133MHz x 4) which equates to 66.5Mbytes/s of data throughput. The IS25xP series of Flash adds support for DTR (Double Transfer Rate) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These transfer rates can outperform 16-bit Parallel Flash memories allowing for efficient memory access to support XIP (execute in place) operation. Initial state of the memory array is erased (all bits are set to 1) when shipped from the factory. QPI (Quad Peripheral Interface) supports 2-cycle instruction further reducing instruction times. Pages can be erased in groups of 4Kbyte sectors, 32Kbyte blocks, 64K/256Kbyte blocks, and/or the entire chip. The uniform sector and block architecture allows for a high degree of flexibility so that the device can be utilized for a broad variety of applications requiring solid data retention.

1+
￥100.17
10+
￥97.12

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IS43LD16320A 25BLI

型号：IS43LD16320A-25BLI 编号：C1351969

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

该产品为512Mbit CMOS LPDDR2 DRAM，组织形式为4个存储体，每个存储体包含8M个16位字或4M个32位字。采用双数据速率架构实现高速运行，本质上是4N预取架构，接口设计为每个时钟周期在I/O引脚上传输两个数据字。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线操作，并进行4n位预取以实现高带宽。

数据手册

1+
￥102.68
10+
￥97.87
30+
￥89.53

有货

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IS62WV102416GBLL 45TLI

型号：IS62WV102416GBLL-45TLI 编号：C1352370

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥108.68
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￥105.2

有货

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512Mb SDRAM高速数据同步突发

型号：IS42S32160F-7TLI-TR 编号：C17489827

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

1+
￥108.77
10+
￥103.87
30+
￥95.39

有货

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IS42VM16320E 6BLI

型号：IS42VM16320E-6BLI 编号：C1352427

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

数据手册

1+
￥109.52
10+
￥106.19

有货

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IS62WV102416FBLL-45BLI

型号：IS62WV102416FBLL-45BLI 编号：C5741520

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥118.91
10+
￥115.29

有货

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IS25LP01G-RILE

型号：IS25LP01G-RILE 编号：C5741382

封装：LFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥121.53
30+
￥115.03

有货

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IS61WV51216EDBLL-8TLI

型号：IS61WV51216EDBLL-8TLI 编号：C5741504

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥133.61
30+
￥127.36

有货

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IS61WV51216EDBLL 10BLI

型号：IS61WV51216EDBLL-10BLI 编号：C1349210

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥133.72
30+
￥127.16

有货

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2M x 8高速异步CMOS静态RAM，3.3V/1.8V供电

型号：IS61WV20488FBLL-10TLI 编号：C6644074

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、16M位静态随机存取存储器，按2048K字x8位组织。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件。当片选信号CS#为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能信号（WE#）控制存储器的读写操作。器件采用JEDEC标准的44引脚薄型小外形封装（TSOP II）、48引脚微型球栅阵列封装（6mm x 8mm）和54引脚薄型小外形封装（TSOP II）。

1+
￥136.06
30+
￥129.7

有货

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IS25LP01GG-RMLE-TY

型号：IS25LP01GG-RMLE-TY 编号：C20189611

封装：WSON-8(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥149.74
10+
￥145.18

有货

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IS25WP01G-RILE

型号：IS25WP01G-RILE 编号：C7290374

封装：LFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥156.51
30+
￥149.19

有货

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IS25LE01G RILE

型号：IS25LE01G-RILE 编号：C1236831

封装：LFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥158.16
30+
￥150.4

有货

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IS61WV102416EDBLL-10T2LI

型号：IS61WV102416EDBLL-10T2LI 编号：C6577483

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥165.93
30+
￥158.17

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1M x 8高速CMOS静态RAM

型号：IS61WV10248BLL-10MLI 编号：C6280212

封装：MiNiBGA-48(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

这是一款高速、低功耗、1M字x8位的CMOS静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。该工艺可靠性高，结合创新电路设计技术，使设备具有更高性能和低功耗。当CE为高电平时，设备进入待机模式，可通过CMOS输入电平降低功耗。该RAM使用单电源供电，所有输入均与TTL兼容，有48球迷你BGA和44引脚TSOP（II型）封装。

1+
￥169.48
10+
￥164.32

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IS43LQ32256B-062BLI

型号：IS43LQ32256B-062BLI 编号：C19673758

封装：FBGA-200

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LQ32256B 和 IS43/46LQ32256BL 是 8Gbit 的 CMOS LPDDR4 SDRAM。该器件每个包含 2 个通道，每个通道有 8 个存储体且位宽为 16 位。本产品采用双倍数据速率架构实现高速运行

1+
￥194.94
30+
￥185.82

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IS61WV102416BLL 10TLI TR

型号：IS61WV102416BLL-10TLI-TR 编号：C2066108

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥227.77
30+
￥216.59

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IS62WV5128BLL 55TLI

型号：IS62WV5128BLL-55TLI 编号：C1351529

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥13.44
10+
￥13.16
30+
￥12.97

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256KX8低电压快速串行SRAM，支持SPI、SDI和SQI接口

型号：IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR 编号：C5803538

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

ISS/IS62/65WVS2568GALL/GBLL 是 2M 位快速串行静态随机存取存储器（SRAM），按 256K×8 位组织。它采用的高性能 CMOS 技术制造。该器件通过与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

1+
￥13.81
10+
￥13.46
30+
￥13.23

有货

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IS42S16100H 6TLI

型号：IS42S16100H-6TLI 编号：C1350741

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

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1+
￥15.27
10+
￥14.91
30+
￥14.68

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IS42S16100H 6BLI

型号：IS42S16100H-6BLI 编号：C1350973

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

数据手册

1+
￥19.3
10+
￥18.85
30+
￥18.55

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IS63WV1024BLL 12TLI

型号：IS63WV1024BLL-12TLI 编号：C1350097

封装：TSOPII-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥21.53
10+
￥21.02
30+
￥20.69

有货

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IS61WV1288EEBLL 10HLI

型号：IS61WV1288EEBLL-10HLI 编号：C1349956

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥22.61
10+
￥22.08
30+
￥21.73

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256Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16160J-6BLI-TR 编号：C2063680

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥22.75
10+
￥22.17
30+
￥21.79

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256Kx8 低电压超低功耗 CMOS 静态 RAM

型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。

1+
￥24.14
10+
￥23.6
30+
￥23.24

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256Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16160J-7BL-TR 编号：C2065086

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥26.59
10+
￥26.01
30+
￥25.63

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IS66WV51216EBLL 70TLI TR

型号：IS66WV51216EBLL-70TLI-TR 编号：C2063118

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速8M位静态随机存取存储器，组织为512K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE#）控制存储器的读写。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。采用JEDEC标准的48球微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。也提供裸片销售。

数据手册

1+
￥29.68
10+
￥28.99
30+
￥28.53

有货

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