美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS62C1024AL-35QLI-TR 编号：C2653510

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62C1024AL/IS65C1024AL是一款低功耗、131,072字×8位的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥20.08
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￥17.19
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型号：IS25WP128F-JKLE 编号：C1351165

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WP128-JLLE-TR 编号：C1349321

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25WP128 串行闪存存储器在简化引脚封装中提供了一种灵活且高性能的通用存储解决方案。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

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￥21.45
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型号：IS25WP128-RHLE 编号：C1349419

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥22.13
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型号：IS61WV12816EDBLL-10TLI 编号：C1351846

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV12816EDBLL是高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为131,072字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥23.02
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型号：IS61LV2568L-10TL 编号：C443412

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV2568L是一款高速、低功耗的262144字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS61LV2568L采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺结合创新的电路设计技术，使器件具备更高的性能和更低的功耗

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￥23.99
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型号：IS25WP128-JKLE 编号：C1349189

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能，适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许等效时钟速率高达532MHz（133MHz x 4），相当于66MB/s的数据吞吐量

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￥26.04
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￥25.46
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￥25.07

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型号：IS25LP128F-RHLE 编号：C5656625

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥27.12
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￥26.51
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￥26.11

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型号：IS25LP128F-RHLE-TR 编号：C5656631

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS43TR16128D-125KBLI-TR 编号：C5259147

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。低电压（L）：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 1066 MHz。 8 个内部存储体，可并发操作。 8n 位预取架构

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￥30.41
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￥22.25

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型号：IS34ML01G081-BLI 编号：C1348840

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

1Gb x8 3.3V NAND FLASH MEMORY with 1b ECC，具有高效读写模式、命令/地址/数据复用I/O、灵活的内存架构和高级安全保护功能。

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1+
￥30.47
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￥26.21
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￥23.68

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型号：IS25LP128F-JLLA3 编号：C1236846

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥32.26
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￥31.5
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￥31

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型号：IS25LP256E-JLLE-TR 编号：C6280160

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥34.81
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￥34.04
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￥33.52

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型号：IS61WV25616EFBLL-10BLI 编号：C6883906

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
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型号：IS43DR16640C-25DBL 编号：C1349090

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。

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￥37.95
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￥36.53

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型号：IS25LP256D-RHLE 编号：C1350739

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥38.06
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￥36.57

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型号：IS61C5128AS-25QLI-TR 编号：C2065530

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器，组织为524,288字×8位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用片选和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。一个数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。采用JEDEC标准的36引脚SOJ（400密耳）、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

1+
￥44.26
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￥43.22
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￥42.53

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型号：IS62WV5128EBLL-45TLI 编号：C5772470

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥44.69
10+
￥43.69
30+
￥43.02

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型号：IS61C5128AL-10TLI 编号：C5656690

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器，组织为524,288字×8位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用片选和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。一个数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。采用JEDEC标准的36引脚SOJ（400密耳）、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

1+
￥44.9
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￥43.23

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型号：IS25WX256-JHLE 编号：C20945254

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥46.42
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￥45.38
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￥44.69

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型号：IS29GL256-70SLEB 编号：C1236816

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL256/128 提供 20ns 的快速页访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

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￥50.4
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￥49.22
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￥48.43

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型号：IS61WV25616BLS-25TLI 编号：C1351896

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器，组织为 262,144 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CE 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE，可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA（6mm x 8mm）封装。

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