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IS43R16800E 6TLI

型号：IS43R16800E-6TLI 编号：C1351251

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128-Mbit DDR SDRAM 采用流水线架构，每个时钟周期可进行两次数据字访问，实现高速数据传输。134,217,728 位的存储阵列内部组织为四个 32Mb 的存储体，以允许并发操作。流水线允许读写突发访问几乎连续进行，可选择连接或截断突发。突发长度、突发序列和 CAS 延迟的可编程特性带来更多优势。该器件有 16 位和 32 位数据字大小可选。输入数据在数据选通信号的两个边沿在 I/O 引脚上寄存，而输出数据参考数据选通的两个边沿和 CLK 的两个边沿。命令在 CLK 的正边沿寄存。提供自动刷新模式和自刷新模式。所有 I/O 均与 SSTL_2 兼容。

数据手册

1+
￥29.76
10+
￥29.07
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￥28.6

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IS42SM16400M 75BLI

型号：IS42SM16400M-75BLI 编号：C1351907

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

1+
￥30.06
10+
￥29.35
30+
￥28.89

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IS43DR86400E 25DBL

型号：IS43DR86400E-25DBL 编号：C1348900

封装：TWBGA-60(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥31.02
10+
￥30.29
30+
￥29.81

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IS66WVE1M16EBLL 70BLI

型号：IS66WVE1M16EBLL-70BLI 编号：C1352609

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥31.1
10+
￥30.38
30+
￥29.89

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IS43TR16640CL 125JBL

型号：IS43TR16640CL-125JBL 编号：C1236849

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx8 DDR3 SDRAM，标准电压1.5V，低电压1.35V，部分自刷新，后向兼容1.5V，异步复位引脚，高速数据传输速率，8个内部bank，可编程的CAS延迟，工作温度范围：商业级0°C至95°C

数据手册

1+
￥32.01
10+
￥31.26
30+
￥30.76

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IS62WV12816BLL 45TLI

型号：IS62WV12816BLL-45TLI 编号：C1351971

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥32.66
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￥31.93
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￥31.44

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IS42S16160J 7BL

型号：IS42S16160J-7BL 编号：C1351763

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥34.03
10+
￥33.23
30+
￥32.7

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IS43TR16640C 125JBL

型号：IS43TR16640C-125JBL 编号：C1236836

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx8 DDR3 SDRAM，标准电压1.5V，低电压1.35V，部分自刷新，后向兼容1.5V，异步复位引脚，高速数据传输速率，8个内部bank，可编程的CAS延迟，工作温度范围：商业级0°C至95°C

数据手册

1+
￥34.53
10+
￥33.76
30+
￥33.24

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IS43R16160F 6TLI

型号：IS43R16160F-6TLI 编号：C1348940

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥34.6
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￥33.79
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￥33.25

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IS46TR16128DL-125KBLA2

型号：IS46TR16128DL-125KBLA2 编号：C17527092

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mx8, 128Mx16 DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，系统频率高达1066MHz，具有8个内部bank，支持突发长度4和8，工作温度范围为-40°C至105°C。

1+
￥35.63
10+
￥30.83
30+
￥27.9

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IS42S16160J 7BLI TR

型号：IS42S16160J-7BLI-TR 编号：C2063757

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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￥37.99
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￥37.1
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￥36.5

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256Kx16高速异步CMOS静态RAM

型号：IS61WV25616FBLL-10TLI 编号：C6644080

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。当片选信号（CS#）为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能（WE#）控制存储器的读写操作。数据字节允许对高字节（UB#）和低字节（LB#）进行访问。有JEDEC标准的48球迷你BGA（6mm x 8mm）、44引脚400mil SOJ和44引脚TSOP（II型）封装。

1+
￥39.53
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￥38.65
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IS43DR16160B 37CBL

型号：IS43DR16160B-37CBL 编号：C1349788

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥40.78
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￥39.83
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128M×8、64M×16 DDR2 动态随机存取存储器

型号：IS43DR81280C-25DBLI 编号：C1350282

封装：TWBGA-60(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。

数据手册

1+
￥45.09
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￥43.94
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￥43.17

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IS43R86400F 5TL

型号：IS43R86400F-5TL 编号：C1351232

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥46.89
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￥45.79
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￥45.06

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IS43TR16128CL 125KBL TR

型号：IS43TR16128CL-125KBL-TR 编号：C2061036

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥46.91
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￥45.81
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IS43TR81280C-125JBLI

型号：IS43TR81280C-125JBLI 编号：C17296120

封装：TWBGA-78(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

128M x 8 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，兼容1.5V和1.35V低电压操作。

1+
￥47.48
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￥46.42
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IS43DR16640B-3DBLI-TR

型号：IS43DR16640B-3DBLI-TR 编号：C17452475

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥38.61
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IS43DR16320E-3DBLI

型号：IS43DR16320E-3DBLI 编号：C17624288

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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IS43DR16160B-3DBLI

型号：IS43DR16160B-3DBLI 编号：C17234645

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥51.84
10+
￥50.69
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IS45S16160J 7BLA2

型号：IS45S16160J-7BLA2 编号：C1352673

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥51.94
10+
￥50.72
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￥49.91

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IS42S83200J 6TLI

型号：IS42S83200J-6TLI 编号：C1351908

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥52.85
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￥51.61
30+
￥50.78

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IS43TR16128C 125KBL

型号：IS43TR16128C-125KBL 编号：C1353503

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥53.81
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￥52.55
30+
￥51.71

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2Gb DDR3 同步动态随机存取存储器

型号：IS43TR16128C-15HBL 编号：C1351815

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDO = 1.5V ± 0.075V；低电压（L）：VDD 和 VDDO = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 933 MHz。 8 个内部存储体用于并发操作。 8n 位预取架构。可编程 CAS 延迟

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1+
￥55.11
10+
￥53.82
30+
￥52.95

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IS42VM16160K 6BLI

型号：IS42VM16160K-6BLI 编号：C1351952

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16160K-6BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 1.8V 电源电压。

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1+
￥55.17
10+
￥53.88
30+
￥53.02

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型号：IS62WVS5128GBLL-45NLI 编号：C3646907

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS5128GALL/GBLL是4M位的快速串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字节×8位。它是由两片2Mb串行SRAM堆叠而成的双芯片堆栈。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

数据手册

1+
￥56.31
10+
￥49
30+
￥42.1

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IS43DR86400E 25DBLI

型号：IS43DR86400E-25DBLI 编号：C1350280

封装：TWBGA-60(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥57.54
10+
￥56.2
30+
￥55.3

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IS45S16160J 6BLA1

型号：IS45S16160J-6BLA1 编号：C1352121

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥57.86
10+
￥56.51
30+
￥55.6

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2Gb SLC-1b ECC 3.3V X8 NAND闪存存储器

型号：IS34ML02G081-TLI 编号：C17270026

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS34ML02G081-TLI 是一款2Gb SLC-1bECC 3.3V X8 NAND FLASH 内存，支持标准NAND接口。它具有灵活高效的架构，支持快速读写操作，适用于多种应用场景。

1+
￥57.92
10+
￥56.62
30+
￥55.76

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2Gb SLC-1b ECC 3.3V X8 NAND闪存存储器

型号：IS34ML02G081-TLI-TR 编号：C17490289

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS34ML02G081-TLI-TR 是一款2Gb SLC-1bECC 3.3V X8 NAND FLASH 内存，支持标准NAND接口。它具有灵活高效的架构，支持快速读写操作，适用于多种应用场景。

1+
￥57.92
10+
￥56.63
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