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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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芯片
型号：IS62WVS5128GBLL-45NLI 编号：C3646907
封装：SOIC-8
品牌：ISSI(美国芯成)
IS62/65WVS5128GALL/GBLL是4M位的快速串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字节×8位。它是由两片2Mb串行SRAM堆叠而成的双芯片堆栈。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问
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    IS66WVC4M16EALL 7010BLI
    型号：IS66WVC4M16EALL-7010BLI 编号：C1351697
    封装：VFBGA-54(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS66WVC4M16ECLL 7010BLI
    型号：IS66WVC4M16ECLL-7010BLI 编号：C1351632
    封装：VFBGA-54(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    CellularRAM产品是为低功耗、便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心设备组织为4兆x 16位。该设备是行业标准闪存控制接口的一种变体，与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品相比，显著提高了读写带宽。为了在突发闪存总线上无缝运行，CellularRAM产品采用了透明的自刷新机制。隐藏刷新不需要系统内存控制器的额外支持，并且对设备的读写性能没有显著影响。两个用户可访问的控制寄存器定义设备操作
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    IS43DR86400E 25DBLI
    型号：IS43DR86400E-25DBLI 编号：C1350280
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS45S16160J 6BLA1
    型号：IS45S16160J-6BLA1 编号：C1352121
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    2Gb SLC-1b ECC 3.3V X8 NAND闪存存储器
    型号：IS34ML02G081-TLI-TR 编号：C17490289
    封装：TFSOP-48-18.4mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS34ML02G081-TLI-TR 是一款2Gb SLC-1bECC 3.3V X8 NAND FLASH 内存，支持标准NAND接口。它具有灵活高效的架构，支持快速读写操作，适用于多种应用场景。

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    IS42S16160L-7TLI
    型号：IS42S16160L-7TLI 编号：C27838516
    封装：TSOP-54
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR
    型号：IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR 编号：C6280236
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS66WVO8M8FBLL-166BLI
    型号：IS66WVO8M8FBLL-166BLI 编号：C38387131
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32400J-7TLI
    型号：IS42S32400J-7TLI 编号：C22670485
    封装：TSOP-86
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS64WV12816DBLL 12CTLA3
    型号：IS64WV12816DBLL-12CTLA3 编号：C1351714
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R16320F 6TLI
    型号：IS43R16320F-6TLI 编号：C1349243
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS46DR16640C 25DBLA2
    型号：IS46DR16640C-25DBLA2 编号：C1351829
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。
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    型号：IS43R86400F-5TLI 编号：C1350264
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    4Mx16BitsX4Banks 移动同步 DRAM
    型号：IS42RM16160K-6BLI 编号：C17616231
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS41LV16105D-50TLI
    型号：IS41LV16105D-50TLI 编号：C1352511
    封装：TSOP-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS41LV16105D是一款1,048,576 x 16-bit高性能CMOS动态随机存取存储器。它支持快速页模式，刷新间隔为1,024个周期/16毫秒，访问时间最短可达20纳秒。适用于高带宽图形、数字信号处理和高性能计算系统等应用。
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    IS42SM32800K 6BLI
    型号：IS42SM32800K-6BLI 编号：C1352131
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS43TR16128DL 125KBL
    型号：IS43TR16128DL-125KBL 编号：C1349333
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM，支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率，系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部banks并发操作，具有自动预充电和部分阵列自刷新功能。
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    IS43LR16320C 6BLI
    型号：IS43LR16320C-6BLI 编号：C1351787
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM16160K 6BLI
    型号：IS42SM16160K-6BLI 编号：C1351718
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16160K-6BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 电源电压。
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    IS42S32800J 6BLI TR
    型号：IS42S32800J-6BLI-TR 编号：C2064743
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
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    IS61WV102416DBLL 10BLI
    型号：IS61WV102416DBLL-10BLI 编号：C1348743
    封装：BGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件
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    IS42S32160F 6BLI TR
    型号：IS42S32160F-6BLI-TR 编号：C2064627
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。
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    IS43DR16640B-3DBL
    型号：IS43DR16640B-3DBL 编号：C17390151
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM
    型号：IS43TR16512S2DL-125KBLI 编号：C17672218
    封装：LWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM，支持标准电压1.5V和低电压1.35V，刷新间隔为7.8us（8192周期/64ms）在-40°C到85°C范围内，高速数据传输速率高达933MHz，8个内部bank支持并发操作，异步复位引脚，8位预取架构，支持可编程CAS延迟，动态ODT，可编程附加延迟0, CL-1, CL-2，支持写入均衡，可编程突发长度4和8，支持突发截断。

    • 1+

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    • 10+

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    DDR2 DRAM双数据速率接口
    型号：IS43DR86400C-3DBLI 编号：C17377298
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43DR86400C-3DBLI是一款64Mx8的DDR2 SDRAM，支持高速读写操作，具有4个内部bank，支持突发长度为4或8的数据传输。

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    IS46TR16128CL 125KBLA2
    型号：IS46TR16128CL-125KBLA2 编号：C1353894
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS42VM16320E 75BLI
    型号：IS42VM16320E-75BLI 编号：C1352683
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42VM16320E 6BLI
    型号：IS42VM16320E-6BLI 编号：C1352427
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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    IS42S32800L-6BLI
    型号：IS42S32800L-6BLI 编号：C23768283
    封装：BGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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