美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS64WV12816DBLL-12CTLA3 编号：C1351714

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥64.83
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￥62.75

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型号：IS43DR16640C-25DBLI-TR 编号：C2064599

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

16Mx16 DDR2 SDRAM，支持5-5-5速度等级，工作电压1.8V，适用于工业温度范围（-40°C至+95°C）。

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￥50.82

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型号：IS43R16320F-6TLI 编号：C1349243

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS46DR16640C-25DBLA2 编号：C1351829

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。

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型号：IS42S32160F-7BLI 编号：C2064441

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

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￥64.76
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￥59.49

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型号：IS43R86400F-5TLI 编号：C1350264

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥65.38

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型号：IS43LD16640C-25BLI-TR 编号：C2061815

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43LD16640C-25BLI-TR是一款1Gb (64M x 16) 的低功耗移动DDR2 SDRAM。该设备具有4位预取架构，支持高速操作。工作电压为VDD1: 1.70-1.95V, VDD2: 1.14-1.30V, VDDCA/VDDQ: 1.14-1.30V。时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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￥68.3

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型号：IS42RM16160K-6BLI 编号：C17616231

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR16512BL-125KBL-TR 编号：C17530108

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。低电压（L）：VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构

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￥80.19
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￥77.38

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型号：IS43TR16128DL-125KBLI-TR 编号：C17328900

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz，具有1.5V±0.075V的标准电压和1.35V±0.1V的低电压选项。支持异步复位和TDQS功能。

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￥82.14
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￥64.32

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型号：IS42SM32800K-6BLI 编号：C1352131

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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￥82.22
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￥70.73
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￥63.73

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型号：IS43LR16320C-6BLI 编号：C1351787

封装：TFBGA-60(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥83.41
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￥80.74

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型号：IS45S16160J-7TLA2 编号：C1352108

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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￥85.59
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￥81.74
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￥75.07

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型号：IS42S32800J-6BLI-TR 编号：C2064743

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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￥87.81
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￥83.7
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￥76.57

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型号：IS43DR16640B-3DBL 编号：C17390151

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥89.22
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￥85.21
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￥78.25

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型号：IS43TR16512S2DL-125KBLI 编号：C17672218

封装：LWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM，支持标准电压1.5V和低电压1.35V，刷新间隔为7.8us（8192周期/64ms）在-40°C到85°C范围内，高速数据传输速率高达933MHz，8个内部bank支持并发操作，异步复位引脚，8位预取架构，支持可编程CAS延迟，动态ODT，可编程附加延迟0, CL-1, CL-2，支持写入均衡，可编程突发长度4和8，支持突发截断。

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￥89.86
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￥86.4

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型号：IS43DR86400C-3DBLI 编号：C17377298

封装：TWBGA-60(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43DR86400C-3DBLI是一款64Mx8的DDR2 SDRAM，支持高速读写操作，具有4个内部bank，支持突发长度为4或8的数据传输。

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￥90.93
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￥86.83
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￥79.74

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型号：IS46TR16128CL-125KBLA2 编号：C1353894

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥95.5
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￥92.45

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型号：IS21ES08GA-JQLI-TR 编号：C17379119

封装：LFBGA-100(14x18)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI eMMC 产品遵循 JEDEC eMMC 5.0 标准。它非常适合工业应用和汽车应用的嵌入式存储解决方案，这些应用需要在广泛的工作温度范围内具备高性能。eMMC 将 MLC NAND 闪存和 eMMC 控制器封装在一个 JEDEC 标准封装内，为主机提供标准接口

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￥99.7
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￥95.21
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￥87.44

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型号：IS42VM16320E-75BLI 编号：C1352683

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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￥99.89
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￥96.69

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型号：IS45S32800J-7TLA1 编号：C1352565

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

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￥100.53
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￥97.47

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型号：IS43DR16320D-25DBLI 编号：C17204653

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥103.38
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￥98.73
30+
￥90.67

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型号：IS42S32160F-6BLI-TR 编号：C2064627

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V和2.5V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种时钟频率，包括167 MHz和143 MHz。

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1+
￥104.94
10+
￥100.18
30+
￥91.93

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型号：IS43TR16512BL-125KBLI-TR 编号：C17530166

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。低电压（L）：VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构

1+
￥109.83
10+
￥105.6

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型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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￥114.25
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￥110.77

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型号：IS43TR85120BL-125KBLI 编号：C17616180

封装：TWBGA-78(9x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有异步复位引脚，支持部分阵列自刷新，适用于多种工业和汽车级应用。

1+
￥114.49
10+
￥109.79
30+
￥101.65

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型号：IS43LD32320C-18BLI 编号：C1352538

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43LD32320C-18BLI是一款1Gb (32M x 32) 的低功耗移动DDR2 SDRAM。该设备具有4位预取架构，支持高速操作。工作电压为VDD1: 1.70-1.95V, VDD2: 1.14-1.30V, VDDCA/VDDQ: 1.14-1.30V。时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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￥116.85
10+
￥113.11

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型号：IS43TR16256BL-107MBLI 编号：C1349393

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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1+
￥117.77
10+
￥112.47
30+
￥103.29

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型号：IS42S16320F-7TL 编号：C1348750

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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1+
￥120.85
10+
￥115.41
30+
￥105.99

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型号：IS42VM32160E-75BLI 编号：C1352542

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

这些是移动536,870,912位CMOS同步DRAM，组织为4个存储体，每个存储体有4,194,304个32位字。这些产品提供完全同步操作，并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径在内部采用流水线设计以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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