美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS43TR85120BL-125KBLI 编号：C17616180

封装：TWBGA-78(9x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有异步复位引脚，支持部分阵列自刷新，适用于多种工业和汽车级应用。

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型号：IS43LD32320C-18BLI 编号：C1352538

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43LD32320C-18BLI是一款1Gb (32M x 32) 的低功耗移动DDR2 SDRAM。该设备具有4位预取架构，支持高速操作。工作电压为VDD1: 1.70-1.95V, VDD2: 1.14-1.30V, VDDCA/VDDQ: 1.14-1.30V。时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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型号：IS43TR16256BL-107MBLI 编号：C1349393

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：IS42S16320F-7TL 编号：C1348750

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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型号：IS42VM32160E-75BLI 编号：C1352542

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

这些是移动536,870,912位CMOS同步DRAM，组织为4个存储体，每个存储体有4,194,304个32位字。这些产品提供完全同步操作，并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径在内部采用流水线设计以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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型号：IS42SM16320E-75BLI 编号：C1353890

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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型号：IS62WV51216ALL-70BLI 编号：C1352777

封装：MBGA-48(7.2x8.7)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS46TR16256BL-125KBLA2 编号：C2940530

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43QR16256B-083RBL 编号：C17535353

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43DR16128C-25DBLI 编号：C1348891

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的2Gb DDR2 SDRAM采用双倍数据速率架构实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一种4n预取架构，其接口设计为在I/O焊球处以每个时钟周期传输两个数据字。对DDR2 SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按照编程顺序以4或8的突发长度继续进行

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型号：IS46QR16256B-083RBLA2 编号：C5119925

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR85120B-125KBLI 编号：C17616138

封装：TWBGA-78(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

DDR3 SDRAM，512Mx8，256Mx16，4Gb存储容量，支持1.5V和1.35V供电，具有自刷新和低功耗模式，适用于商业和工业温度范围。

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型号：IS42S86400F-7TLI 编号：C1350475

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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型号：IS42S32160F-7TL 编号：C17295913

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16320F-6TL 编号：C17672183

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。

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型号：IS43TR16512BL-125KBLI 编号：C2940542

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。低电压（L）：VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构

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型号：IS43LQ16256B-062BLI 编号：C22409682

封装：FBGA-200(10x14.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

是4Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM。产品组织为每个设备1个通道，通道为8个存储体和16位。使用双数据速率架构实现高速运行，本质上是16N预取架构，接口设计为在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线处理，预取16n位以实现非常高的带宽。片上温度传感器，其状态可从MR4读取。

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型号：IS46TR16256BL-107MBLA2 编号：C17672173

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有异步复位引脚，支持部分阵列自刷新，适用于多种工业和汽车级应用。

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型号：IS43LR32640A-6BLI 编号：C1350093

封装：WBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43LR32640A是一款2,147,483,648位CMOS移动双数据速率同步DRAM，组织为4个banks，每个banks包含33,554,432个字x32位。该产品使用双数据率架构实现高速操作。数据输入/输出信号通过32位总线传输。双数据率架构本质上是一个2n预取架构，设计用于在I/O球上每时钟周期传输两个数据字。

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型号：IS43QR16256B-075UBL 编号：C7603963

封装：TWBGA-96(7.5x13.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR16256ECL-125LB2LI 编号：C22456158

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16320F-7BLA2 编号：C1352576

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。

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型号：IS22TF08G-JCLA1 编号：C17296893

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS22TF08G-JCLA1 是一款 8GB 的 eMMC 5.1 接口存储器，支持 pSLC 模式，适用于工业和汽车应用。该设备符合 eMMC 规范版本 4.3 至 5.1，支持高速 eMMC 协议，时钟频率最高可达 200MHz。支持三种数据总线宽度：1 位（默认）、4 位和 8 位。

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￥186.97

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型号：IS43LQ32128A-062TBLI 编号：C17234585

封装：TFBGA-200(10x14.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR16512B-125KBL 编号：C1350347

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：IS43TR16512BL-107MBL 编号：C1236817

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-107MBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：IS43TR16512BL-125KBL 编号：C1350343

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：IS46TR16256ECL-125LB2LA2 编号：C32237594

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LP080D-JBLE-TR 编号：C2061030

封装：SOP-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS61C256AL-12JLI 编号：C1349797

封装：SOJ-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达10 ns

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