美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS25WP128-RHLE 编号：C1349419

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV1288EEBLL-10HLI 编号：C1349956

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61LV2568L-10TL 编号：C443412

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV2568L是一款高速、低功耗的262144字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS61LV2568L采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺结合创新的电路设计技术，使器件具备更高的性能和更低的功耗

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。

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型号：IS25LP256E-JLLE 编号：C5119923

封装：WSON-8(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256E和IS25WP256E串行闪存为简化引脚封装提供了一种灵活且高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，这些引脚也可配置为多I/O模式

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型号：IS25WP128-JKLE 编号：C1349189

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能，适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许等效时钟速率高达532MHz（133MHz x 4），相当于66MB/s的数据吞吐量

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型号：IS25LP128F-RHLE-TR 编号：C5656631

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS66WV51216EBLL-70TLI-TR 编号：C2063118

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速8M位静态随机存取存储器，组织为512K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE#）控制存储器的读写。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。采用JEDEC标准的48球微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。也提供裸片销售。

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型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS43TR16640CL-125JBL 编号：C1236849

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx8 DDR3 SDRAM，标准电压1.5V，低电压1.35V，部分自刷新，后向兼容1.5V，异步复位引脚，高速数据传输速率，8个内部bank，可编程的CAS延迟，工作温度范围：商业级0°C至95°C

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型号：IS66WVS1M8BLL-104NLI 编号：C5264271

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥33.22
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型号：IS29GL032-70TLED 编号：C6280178

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL064/032 提供 25ns 的快速页访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 字节，与标准编程算法相比，可实现更快的有效编程时间。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

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￥34.81
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￥34.04
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型号：IS61WV25616EFBLL-10BLI 编号：C6883906

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥34.94
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型号：IS42S16400J-6TLI 编号：C2897490

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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￥36
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型号：IS25LP128-JLLE 编号：C47521266

封装：WSON-8(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥39.48
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￥38.62
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型号：IS25LP128F-RHLA3 编号：C5741396

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥42.33
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型号：IS25WP128F-RHLA3 编号：C6644034

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥43.89
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￥42.91
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￥42.26

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型号：IS61C5128AS-25QLI-TR 编号：C2065530

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器，组织为524,288字×8位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用片选和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。一个数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。采用JEDEC标准的36引脚SOJ（400密耳）、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

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￥44.26
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￥43.22
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￥42.53

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型号：IS62WV5128EBLL-45TLI 编号：C5772470

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥44.69
10+
￥43.69
30+
￥43.02

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型号：IS61C5128AL-10TLI 编号：C5656690

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器，组织为524,288字×8位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用片选和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。一个数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。采用JEDEC标准的36引脚SOJ（400密耳）、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

1+
￥44.9
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￥43.9
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￥43.23

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型号：IS42S16160J-7TLI-TR 编号：C2065767

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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￥45.04
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￥38.74
30+
￥34.91

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型号：IS42S16800F-7BLI 编号：C1349600

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 和 54-ball BGA 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 工业级温度范围 -40°C 到 +85°C。

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1+
￥46
10+
￥39.89
30+
￥36.16

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型号：IS62WVS5128FBLL-20NLI 编号：C5741536

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥46.12
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￥44.94
30+
￥44.16

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型号：IS25LP256D-JHLE 编号：C6280158

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥49.65
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￥48.54
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￥47.8

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型号：IS29GL256-70SLEB 编号：C1236816

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL256/128 提供 20ns 的快速页访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

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￥49.22
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￥48.43

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型号：IS61WV25616BLS-25TLI 编号：C1351896

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器，组织为 262,144 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CE 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE，可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA（6mm x 8mm）封装。

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