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具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存

型号：IS25LP016D-JLLE 编号：C3033374

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

数据手册

1+
￥12.74
10+
￥10.69
30+
￥9.42

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IS42S16100H 7TLI

型号：IS42S16100H-7TLI 编号：C1349844

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为143 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

数据手册

1+
￥12.9
10+
￥12.61
30+
￥12.42

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的32Mb串行闪存

型号：IS25LP032D-JNLA3-TR 编号：C6280152

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

1+
￥14.19
10+
￥13.87
30+
￥13.66

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128K X 8 高速异步CMOS静态RAM带ECC

型号：IS61WV1288EEBLL-10TLI 编号：C443418

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV1288EEBLL是高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为131,072字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥14.24
10+
￥13.89
30+
￥13.66

有货

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IS63WV1288DBLL 10TLI TR

型号：IS63WV1288DBLL-10TLI-TR 编号：C2062671

封装：TSOP-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS63/64WV1288Dxxx是一款高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS63/64WV1288DBLL采用ISSI的高性能CMOS工艺制造。这种高可靠性的工艺结合创新的电路设计技术，使器件具备更高的性能和更低的功耗

数据手册

1+
￥15.37
10+
￥15.01
30+
￥14.77

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512Kx8高速异步CMOS静态RAM

型号：IS61WV5128FBLL-10TLI 编号：C5803539

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV5128FALL/FBLL是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器（SRAM），其结构为512K字×8位。该产品采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

1+
￥17.84
10+
￥17.38
30+
￥17.08

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IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR

型号：IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR 编号：C6211125

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥18.45
10+
￥18.02
30+
￥17.73

有货

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IS62WV51216HBLL-45TLI-TR

型号：IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 编号：C6211137

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥24.47
10+
￥23.93
30+
￥23.56

有货

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8Mb串行RAM，1.8V/3.0V，104MHz，SPI和QPI协议

型号：IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR 编号：C17452695

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

集成内存设备包含 8Mb 伪静态随机存取存储器，采用自刷新 DRAM 阵列，组织为 1M 字 x 8 位。该设备支持 SPI（串行外设接口）和 QPI（四路外设接口）协议，信号引脚数量极少（6 个信号引脚：CLK、CE# 和 4 个 SIO），具有隐藏刷新操作，适用于工业温度和汽车 A2 级温度范围。支持带内复位，而非专用的 RESET# 引脚，最小传输数据大小为 8 位。

1+
￥26.54
10+
￥25.95
30+
￥25.56

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256KX16高速异步CMOS静态随机存储器（带ECC）

型号：IS61WV25616EFBLL-10TLI 编号：C6280218

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EFALL/EFBLL是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造，并集成了ECC功能以提高可靠性。这种高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，包括ECC（SEC - DED：单错误纠正 - 双错误检测），造就了高性能、高可靠性的器件

1+
￥27.08
10+
￥26.47
30+
￥26.07

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64Mb/32Mb，3.0V页模式并行闪存

型号：IS29GL032-70TLED 编号：C6280178

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL064/032 提供 25ns 的快速页访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 字节，与标准编程算法相比，可实现更快的有效编程时间。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

1+
￥34.81
10+
￥34.04
30+
￥33.52

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IS42S16160J 6BL

型号：IS42S16160J-6BL 编号：C1351505

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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1+
￥35.2
10+
￥34.38
30+
￥33.83

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IS61WV12816BLL 12TLI

型号：IS61WV12816BLL-12TLI 编号：C1351680

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥39.49
10+
￥38.56
30+
￥37.95

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IS62WV25616BLL 55BLI

型号：IS62WV25616BLL-55BLI 编号：C1351412

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、低功耗的4M位SRAM，由256K字x16位组成。采用高性能CMOS技术制造，这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，使器件具有高性能和低功耗的特点。当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。

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1+
￥45.07
10+
￥44.01
30+
￥43.31

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移动同步动态随机存取存储器

型号：IS42VM32800K-75BLI 编号：C443413

封装：BGA-90

品牌：ISSI(美国芯成)

这些 IS42/45SM/RM/VM32800K 是移动用 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织形式为 4 个存储体，每个存储体有 2,097,152 字 × 32 位。这些产品提供完全同步操作，并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步

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1+
￥46.42
10+
￥44.17
30+
￥42.8

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IS66WVC4M16ECLL 7010BLI

型号：IS66WVC4M16ECLL-7010BLI 编号：C1351632

封装：VFBGA-54(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

CellularRAM产品是为低功耗、便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心设备组织为4兆x 16位。该设备是行业标准闪存控制接口的一种变体，与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品相比，显著提高了读写带宽。为了在突发闪存总线上无缝运行，CellularRAM产品采用了透明的自刷新机制。隐藏刷新不需要系统内存控制器的额外支持，并且对设备的读写性能没有显著影响。两个用户可访问的控制寄存器定义设备操作

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1+
￥57
10+
￥55.73
30+
￥54.88

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IS61WV10248EEBLL-10TLI

型号：IS61WV10248EEBLL-10TLI 编号：C6644072

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥99.84
135+
￥39.84
540+
￥38.51
945+
￥37.85

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IS64WV25616BLL 10CTLA3 TR

型号：IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR 编号：C2064489

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、4,194,304位静态RAM，组织为262,144字×16位。采用高性能CMOS技术制造，该高可靠性工艺与创新电路设计技术相结合，产生高性能、低功耗的器件。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。采用JEDEC标准44引脚TSOP II型和48引脚Mini BGA（6mm x 8mm）封装。

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1+
￥120.57
10+
￥114.92
30+
￥105.12

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IS62WV102416BLL-25TLI

型号：IS62WV102416BLL-25TLI 编号：C7211327

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥250.72
30+
￥238.99

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16Mb串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP016D-JKLE-TR 编号：C5656608

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥8.72
10+
￥8.52
30+
￥8.39

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16Mb串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP016D-JNLA3-TR 编号：C6969439

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥10.45
10+
￥10.21
30+
￥10.06

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IS62LV256AL 20TLI

型号：IS62LV256AL-20TLI 编号：C1352060

封装：TSOPI-28-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，设备进入待机模式，在CMOS输入电平下功耗降至150 μW（典型值）。通过使用低电平有效芯片使能（CE）可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE）控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP（I型）封装。

数据手册

1+
￥15.16
10+
￥14.81
30+
￥14.57

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IS25LP032D-JTLA3-TR

型号：IS25LP032D-JTLA3-TR 编号：C6280154

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥15.24
10+
￥14.9
30+
￥14.67

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IS62WV1288FBLL 45TLI

型号：IS62WV1288FBLL-45TLI 编号：C1351370

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥15.42
10+
￥15.06
30+
￥14.82

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IS25WP064A JKLE

型号：IS25WP064A-JKLE 编号：C1349795

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成的 4 线 SPI 接口进行访问，也可以配置为多 I/O。该器件支持双 I/O 和四 I/O 以及标准、双输出和四输出 SPI。高达 133MHz 的时钟频率允许达到高达 532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于 66Mbytes/s 的数据吞吐量。IS25xR 系列闪存增加了对 DTR（双传输速率）命令的支持，该命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据

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1+
￥16.61
10+
￥16.24
30+
￥15.99

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IS25LP064D-JKLE

型号：IS25LP064D-JKLE 编号：C6969440

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥17.38
10+
￥17
30+
￥16.74

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128K x 8低功耗CMOS静态RAM

型号：IS62C1024AL-35QLI 编号：C397875

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62C1024AL/IS65C1024AL是一款低功耗、131,072字×8位的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥17.49
10+
￥17.06
30+
￥16.77

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IS42S16100H 7BLI

型号：IS42S16100H-7BLI 编号：C1351409

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为143 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

数据手册

1+
￥17.62
10+
￥17.21
30+
￥16.94

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IS61WV6416EEBLL-10TLI

型号：IS61WV6416EEBLL-10TLI 编号：C6644082

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥18.09
10+
￥17.69
30+
￥17.42

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64Kx16低电压超低功耗CMOS静态RAM

型号：IS62WV6416FBLL-45TLI 编号：C6644095

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的1M位静态随机存取存储器，组织为64k字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时使用CMOS输入电平可降低功耗

1+
￥18.99
10+
￥18.57
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￥18.29

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