美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS61WV12816BLL-12TLI 编号：C1351680

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV25616BLL-55BLI 编号：C1351412

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、低功耗的4M位SRAM，由256K字x16位组成。采用高性能CMOS技术制造，这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，使器件具有高性能和低功耗的特点。当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。

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型号：IS66WVH16M8DALL-166B1LI 编号：C17234581

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mbit HyperRAM是一款高速CMOS自刷新动态RAM，具有HyperBus接口。该设备支持非常低的信号计数，双数据速率传输，汽车温度范围操作，适用于移动和汽车应用。

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型号：IS42S83200J-6TLI 编号：C1351908

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR82560C-125KBL 编号：C17246418

封装：TWBGA-78(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS66WVO8M8DBLL-166BLI 编号：C17616210

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO8M8DBLL-166BLI 是一款64Mb Octal RAM，支持200MHz的双传输速率协议，具有低功耗和高带宽的特点，适用于工业和汽车应用。支持1.8V和3.0V供电，工作温度范围为-40°C到+125°C。

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型号：IS66WVH16M8DBLL-100B1LI 编号：C5274126

封装：TBGA-24

品牌：ISSI(美国芯成)

是集成128Mbit伪静态随机存取存储器的存储设备，采用自刷新DRAM阵列，按16M字×8位组织。该设备是两个64Mb管芯的双管芯堆叠。支持HyperBus接口、极低信号数量（通过8个DQ引脚传输地址、命令和数据）、隐藏刷新操作以及汽车温度操作，专为移动和汽车应用而设计。

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型号：IS29GL128-70DLET 编号：C6577449

封装：LFBGA-64(9x9)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV102416FBLL-10TLI 编号：C1352436

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LP512M-JLLE 编号：C1351993

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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型号：IS62WV10248HBLL-45TLI 编号：C5381992

封装：TSOP-44II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43DR16320D-25DBLI 编号：C17204653

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR16256BL-125KBL 编号：C17672254

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有异步复位引脚，支持部分阵列自刷新，适用于多种工业和汽车级应用。

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型号：IS61WV102416EDBLL-10T2LI 编号：C6577483

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV204816ALL-12BLI 编号：C5741494

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LP064A-JLLE 编号：C1349830

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多输入输出。该设备支持双输入输出和四输入输出以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS42S16100H-7TLI 编号：C1349844

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为143 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

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型号：IS63WV1288DBLL-10HLI 编号：C1350843

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、低功耗的131,072字x8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，在CMOS输入电平下，功耗可降至25μW（典型值）。有32引脚TSOP（II型）、32引脚sTSOP（I型）、48球miniBGA（6mm x 8mm）、32引脚SOJ（400密耳）和32引脚SOJ（300密耳）等封装形式。

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型号：IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR 编号：C5803538

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

ISS/IS62/65WVS2568GALL/GBLL 是 2M 位快速串行静态随机存取存储器（SRAM），按 256K×8 位组织。它采用的高性能 CMOS 技术制造。该器件通过与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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型号：IS63WV1288DBLL-10TLI 编号：C1350838

封装：TSOPII-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、低功耗的131,072字x8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，在CMOS输入电平下，功耗可降至25μW（典型值）。有32引脚TSOP（II型）、32引脚sTSOP（I型）、48球miniBGA（6mm x 8mm）、32引脚SOJ（400密耳）和32引脚SOJ（300密耳）等封装形式。

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型号：IS61WV1288EEBLL-10TLI 编号：C443418

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV1288EEBLL是高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为131,072字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS25LP032D-JTLA3-TR 编号：C6280154

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV1288FBLL-45TLI 编号：C1351370

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LP016D-JBLA3 编号：C1236814

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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