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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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停产 采用多I/O SPI接口的3V四路串行闪存
型号：IS25LQ040B-JBLE-TR 编号：C2064721
封装：SOIC-8-208mil
品牌：ISSI(美国芯成)
IS25LQ040B/020B/010B/512B/025B（4M/2M/1M/512K/256K位）串行闪存为用户提供了一种兼具灵活性和高性能的存储解决方案，采用简化引脚封装。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双路和四路模式下还可作为多功能I/O引脚。IS25xQ系列闪存非常适合用于代码映射到RAM、原地执行（XIP）操作以及存储非易失性数据
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    3V 四通道串行闪存存储器，支持多 I/O SPI
    型号：IS25LQ040B-JNLA3-TR 编号：C2940540
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)
    串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据

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    4M/2M/1M/512K/256Kb串行闪存存储器，具备104MHz多I/O SPI和QPI接口
    型号：IS25LP010E-JNLE 编号：C6969438
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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    32Mb 1.8V 串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口
    型号：IS25WJ032F-JNLE 编号：C7290366
    封装：SOP-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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    IS61LV256AL 10TLI TR
    型号：IS61LV256AL-10TLI-TR 编号：C2062662
    封装：TSOPI-28
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns
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    IS63WV1288DBLL 10TLI
    型号：IS63WV1288DBLL-10TLI 编号：C1350838
    封装：TSOPII-32-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    是高速、低功耗的131,072字x8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，在CMOS输入电平下，功耗可降至25μW（典型值）。有32引脚TSOP（II型）、32引脚sTSOP（I型）、48球miniBGA（6mm x 8mm）、32引脚SOJ（400密耳）和32引脚SOJ（300密耳）等封装形式。
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    128K X 8高速CMOS静态RAM
    型号：IS63LV1024L-10TLI 编号：C28179
    封装：TSOP-32-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Kx8bit High-Speed CMOS STATIC RAM
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    128K x 8 低压超低功耗 CMOS 静态 RAM
    型号：IS62WV1288BLL-55HLI 编号：C29388
    封装：STSOP-32-11.8mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    1-Mbit(128K × 8bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V
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    IS25WP128-JLLE
    型号：IS25WP128-JLLE 编号：C2063153
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS62WV12816BLL-55BLI
    型号：IS62WV12816BLL-55BLI 编号：C5741528
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS66WVS2M8BLL-104NLI
    型号：IS66WVS2M8BLL-104NLI 编号：C17522982
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16800F-7BLI 编号：C1349600
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-pin TSOPII 和 54-ball BGA 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 工业级温度范围 -40°C 到 +85°C。
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    IS66WVH8M8DALL-200B1LI
    型号：IS66WVH8M8DALL-200B1LI 编号：C17616223
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    是集成内存设备，包含64Mbit伪静态随机存取存储器，采用自刷新DRAM阵列，组织为8M字×8位。支持HyperBus接口、极低信号数量（通过8个DQ引脚传输地址、命令和数据）、隐藏刷新操作和汽车温度操作，专为移动和汽车应用而设计。

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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32800J-7BLI-TR 编号：C2065206
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
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    512Mb串行闪存，133/112MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口
    型号：IS25LP512M-JLLE 编号：C1351993
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）
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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32800J-6BLI 编号：C1351419
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。
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    IS66WVH16M8DALL-166B1LI
    型号：IS66WVH16M8DALL-166B1LI 编号：C17234581
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mbit HyperRAM是一款高速CMOS自刷新动态RAM，具有HyperBus接口。该设备支持非常低的信号计数，双数据速率传输，汽车温度范围操作，适用于移动和汽车应用。

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    IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
    型号：IS66WVH16M8DBLL-100B1LI 编号：C5274126
    封装：TBGA-24
    品牌：ISSI(美国芯成)
    是集成128Mbit伪静态随机存取存储器的存储设备，采用自刷新DRAM阵列，按16M字×8位组织。该设备是两个64Mb管芯的双管芯堆叠。支持HyperBus接口、极低信号数量（通过8个DQ引脚传输地址、命令和数据）、隐藏刷新操作以及汽车温度操作，专为移动和汽车应用而设计。

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    IS42S32800J 7TL
    型号：IS42S32800J-7TL 编号：C1348830
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。
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    IS43TR82560C-125KBL
    型号：IS43TR82560C-125KBL 编号：C17246418
    封装：TWBGA-78(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S16160J-6TLA1 编号：C521295
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。该256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    IS61WV51216EDBLL 10TLI TR
    型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR 编号：C2065273
    封装：TSOP-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61WV51216EDALL和IS61/64WV51216EDBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
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    IS21TF16G-JCLI
    型号：IS21TF16G-JCLI 编号：C17441928
    封装：VFBGA-153(11.5x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI IS21TF16G-JCLI是一款16GB的eMMC 5.1存储器，支持TLC NAND技术。它适用于工业应用，支持高速数据传输和多种数据保护功能。

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    4M/2M/1M/512K/256Kb串行闪存存储器，具备104MHz多I/O SPI和QPI接口
    型号：IS25LP020E-JNLE-TR 编号：C7211260
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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    IS25WP032D-JNLE-TR
    型号：IS25WP032D-JNLE-TR 编号：C37789898
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存
    型号：IS25LP016D-JBLE 编号：C1349857
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式
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    采用多I/O SPI接口的3V四路串行闪存
    型号：IS25LQ040B-JULE-TR 编号：C2976733
    封装：USON-8-EP(2x3)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据
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    型号：IS25LP080D-JBLE 编号：C2940518
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式（请参阅引脚说明）

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    具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的串行闪存
    型号：IS25LP080D-JNLA3-TR 编号：C1236801
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI
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    IS25LP064A JLLE
    型号：IS25LP064A-JLLE 编号：C1349830
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多输入输出。该设备支持双输入输出和四输入输出以及标准、双输出和四输出SPI
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