美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS42S16800F-7TL 编号：C2063470

封装：TSOPII-54-10.2mm

128Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。这款128Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V Vdd和3.3V Vddq的存储系统，包含134,217,728位

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型号：IS42S16160J-6TLI-TR 编号：C2065667

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：IS25LP064A-JMLE 编号：C1349157

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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￥26.7993 ￥27.07
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型号：IS42S16160J-7TL 编号：C427060

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160J是一款256Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM），支持166MHz和143MHz时钟频率。它具有3.3V供电，适用于商业温度范围（0°C至+70°C）。该器件支持多种突发长度（1, 2, 4, 8, 全页）和CAS延迟（2, 3）。

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型号：IS61LPS12836EC-200TQLI 编号：C1351151

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

4Mb产品系列具备高速、低功耗同步静态随机存取存储器（SRAM），旨在为通信和网络应用提供可突发访问的高性能内存。IS61(04)LPS/VPS12832EC的存储结构为131,072字×36位。IS61(64)LPS/VPS12832EC的存储结构为131,072字×32位

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型号：IS43TR16256B-125KBLI-TR 编号：C17490362

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

DDR3 SDRAM，512Mx8，256Mx16，4Gb存储容量，支持1.5V和1.35V供电，具有自刷新和低功耗模式，适用于商业和工业温度范围。

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￥48.33
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型号：IS43TR16512BL-107MBLI 编号：C1236815

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-107MBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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￥81.8693 ￥174.19
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￥64.4503 ￥174.19
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型号：IS61WV20488BLL-10TLI 编号：C412835

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV20488ALL/BLL和IS64WV20488BLL是高速、低功耗的2M字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS61WV20488ALL/BLL和IS64WV20488BLL采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS25LP040E-JNLE 编号：C5693021

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

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￥3.07
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￥3
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型号：IS25WP080D-JNLE 编号：C411810

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在引脚数量简化的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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型号：IS25LP020E-JNLE 编号：C3034696

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LP064D-JBLE-TR 编号：C5183018

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D和IS25WP064D串行闪存为用户提供了一种通用的存储解决方案，该方案采用引脚数精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

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￥9.18
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型号：IS61WV3216BLL-12TLI 编号：C1351245

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV3216BLL是一款高速的524,288位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为32,768字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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型号：IS42S16100H-7TL 编号：C150435

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

16-Mbit(1M × 16bit)，并行接口，工作电压：3V to 3.6V

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型号：IS63WV1288DBLL-10HLI 编号：C1350843

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、低功耗的131,072字x8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，在CMOS输入电平下，功耗可降至25μW（典型值）。有32引脚TSOP（II型）、32引脚sTSOP（I型）、48球miniBGA（6mm x 8mm）、32引脚SOJ（400密耳）和32引脚SOJ（300密耳）等封装形式。

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型号：IS42S32200L-7TL 编号：C427372

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V内存系统，包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。每个16,777,216位的存储体被组织成2,048行×256列×32位。64Mb SDRAM 包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：IS25WP128-JBLE 编号：C1349162

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS61LV12816L-10TLI 编号：C3646906

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

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型号：IS29GL128-70SLET 编号：C1236808

封装：TSOPI-56-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR16256BL-125KBL 编号：C17672254

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有异步复位引脚，支持部分阵列自刷新，适用于多种工业和汽车级应用。

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型号：IS25LX256-JHLA3 编号：C22128311

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43TR16512B-125KBLI 编号：C1349863

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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￥104.4
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￥99.4
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型号：IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 编号：C1352580

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥106.87
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￥101.86
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￥93.18

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI-TR 编号：C2065018

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

SRAM 是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM 支持三种不同的模式。每个功能在下面的真值表中描述。

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型号：IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 编号：C2064913

封装：TFBGA-165(13x15)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥47.24
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型号：IS61WV102416DBLL-10TLI 编号：C1348726

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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￥127.46
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型号：IS43LQ32128A-062TBLI 编号：C17234585

封装：TFBGA-200(10x14.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥124.83

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型号：IS64WV102416BLL-10MLA3 编号：C1352718

封装：TFBGA-48(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥329.84

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型号：IS25WP080D-JNLE-TR 编号：C2063085

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：PM25LQ020B-SCE 编号：C411813

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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