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IS61WV5128BLL 10TLI TR

型号：IS61WV5128BLL-10TLI-TR 编号：C2064977

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx是高速、低功耗的524,288字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥33.45
10+
￥28.63
30+
￥25.76

有货

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IS42S32800J-6TL

型号：IS42S32800J-6TL 编号：C5714538

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥42.9
10+
￥41.89
30+
￥41.22

有货

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128M×8、64M×16 DDR2 动态随机存取存储器

型号：IS43DR81280C-25DBLI 编号：C1350282

封装：TWBGA-60(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。

数据手册

1+
￥47.04
10+
￥45.89
30+
￥45.12

有货

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1Gb DDR3 SDRAM

型号：IS43TR81280C-125JBLI 编号：C17296120

封装：TWBGA-78(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

128M x 8 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，兼容1.5V和1.35V低电压操作。

1+
￥47.48
10+
￥46.42
30+
￥45.71

有货

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具备多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的256Mb串行闪存

型号：IS25WP256D-RHLE 编号：C1348936

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

数据手册

1+
￥49.63
10+
￥42.94
30+
￥38.86
100+
￥35.44

有货

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IS42S32800J 7TL

型号：IS42S32800J-7TL 编号：C1348830

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

数据手册

1+
￥50.59
10+
￥43.52
30+
￥39.22

有货

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256Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS45S16160J-6TLA1 编号：C521295

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个67,108,864位的存储体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。该256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥54.82
10+
￥53.54
30+
￥52.68

有货

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IS61WV25616EDBLL 8TLI

型号：IS61WV25616EDBLL-8TLI 编号：C1351821

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥56.15
10+
￥54.84
30+
￥53.96

有货

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2Gb SLC-1b ECC 3.3V X8 NAND闪存存储器

型号：IS34ML02G081-TLI 编号：C17270026

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS34ML02G081-TLI 是一款2Gb SLC-1bECC 3.3V X8 NAND FLASH 内存，支持标准NAND接口。它具有灵活高效的架构，支持快速读写操作，适用于多种应用场景。

1+
￥57.92
10+
￥56.62
30+
￥55.76

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IS61WV51216EDBLL 10TLI TR

型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR 编号：C2065273

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216EDALL和IS61/64WV51216EDBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥62.24
10+
￥60.24

有货

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512Mb串行闪存存储器166/133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP512MG-RMLE-TR 编号：C5772382

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash memory offers a versatile storage solution with high flexibility and performance in a simplified pin count package. "Industry Standard Serial Interface" Flash is for systems that require limited space, a low pin count, and low power consumption. The device is accessed through a 4-wire SPI Interface consisting of a Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), Serial Clock (SCK), and Chip Enable (CE#) pins, which can also be configured to serve as multi-I/O. The device supports Dual and Quad I/O as well as standard, Dual Output, and Quad Output SPI. The IS25xP series of Flash adds support for DTR (Double Transfer Rate) commands that transfer addresses and read data on both edges of the clock. These transfer rates can outperform 16-bit Parallel Flash memories allowing for efficient memory access to support XIP (execute in place) operation. Initial state of the memory array is erased (all bits are set to 1) when shipped from the factory. QPI (Quad Peripheral Interface) supports 2-cycle instruction further reducing instruction times. Pages can be erased in groups of 4Kbyte sectors, 32Kbyte blocks, 64K/256Kbyte blocks, and/or the entire chip. The uniform sector and block architecture allows for a high degree of flexibility so that the device can be utilized for a broad variety of applications requiring solid data retention.

1+
￥83.02
10+
￥71.82
30+
￥65

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1Gx8、512Mx16，8Gb DDR3 SDRAM

型号：IS43TR16512BL-125KBL-TR 编号：C17530108

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。低电压（L）：VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构

1+
￥87.37
10+
￥84.57

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IS46TR16256B-125KBLA2

型号：IS46TR16256B-125KBLA2 编号：C17234670

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-125KBLA2 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

1+
￥163.99
10+
￥158.99

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IS62WV102416BLL-25TLI

型号：IS62WV102416BLL-25TLI 编号：C7211327

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥250.72
30+
￥238.99

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IS64WV102416BLL 10MLA3

型号：IS64WV102416BLL-10MLA3 编号：C1352718

封装：TFBGA-48(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥346.86
30+
￥329.84

有货

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具备133 MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的串行闪存

型号：IS25WP080D-JNLE 编号：C411810

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在引脚数量简化的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

数据手册

1+
￥3.46
10+
￥3.38
30+
￥3.33

有货

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4M/2M/1M/512K/256Kb串行闪存存储器，具备104MHz多I/O SPI和QPI接口

型号：IS25LP020E-JNLE-TR 编号：C7211260

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥3.52
10+
￥3.44
30+
￥3.39

有货

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3V 四通道串行闪存存储器，支持多 I/O SPI

型号：IS25LQ040B-JNLA3-TR 编号：C2940540

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据

1+
￥3.71
10+
￥3.63
30+
￥3.57

有货

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IS25LP010E-JNLE-TR

型号：IS25LP010E-JNLE-TR 编号：C6883823

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥5.06
10+
￥4.95
30+
￥4.87

有货

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具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存

型号：IS25LP016D-JBLE 编号：C1349857

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

数据手册

1+
￥6.01
10+
￥5.87
30+
￥5.78
90+
￥5.69

有货

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采用多I/O SPI接口的3V四路串行闪存

型号：IS25LQ040B-JULE-TR 编号：C2976733

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据

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1+
￥6.38
10+
￥5.3
30+
￥4.71

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存储IC

型号：IS25LP020E-JNLE 编号：C3034696

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥6.4
10+
￥5.2
30+
￥4.6

有货

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4M/2M/1M/512K/256Kb串行闪存存储器，具备104MHz多I/O SPI和QPI接口

型号：IS25LP010E-JNLE 编号：C6969438

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥6.52
10+
￥5.29
30+
￥4.68

有货

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32Mb 1.8V串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口

型号：IS25WJ032F-JNLE 编号：C7290366

封装：SOP-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥7.43
10+
￥7.27
30+
￥7.16

有货

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32Mb 1.8V串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口

型号：IS25WJ032F-JTLE-TR 编号：C7290368

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥8.28
10+
￥8.1
30+
￥7.97

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IS25LP080D-JKLE

型号：IS25LP080D-JKLE 编号：C7211267

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥9.29
10+
￥9.08
30+
￥8.94

有货

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具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存

型号：IS25LP016D-JLLE 编号：C3033374

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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1+
￥12.74
10+
￥10.69
30+
￥9.42

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IS61C25616AL 10TLI

型号：IS61C25616AL-10TLI 编号：C1353475

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C25616AL/AS 和 IS64C25616AL/AS 是高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 262,144 字×16 位。它们采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达 12 ns 的存取时间

数据手册

1+
￥35.09
10+
￥34.3
30+
￥33.78

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IS42S16160J 6BL

型号：IS42S16160J-6BL 编号：C1351505

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥35.2
10+
￥34.38
30+
￥33.83

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IS25LP256D RHLE

型号：IS25LP256D-RHLE 编号：C1350739

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥38.06
10+
￥37.17
30+
￥36.57

有货

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