美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS61LV25616AL-10TL 编号：C16001

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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65+
￥26.948855
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￥24.910708
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￥22.929173

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型号：IS43TR16128CL-125KBLI 编号：C1348824

封装：BGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDO = 1.5V ± 0.075V；低电压（L）：VDD 和 VDDO = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 933 MHz。 8 个内部存储体用于并发操作。 8n 位预取架构。可编程 CAS 延迟

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￥77.7645 ￥78.55
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￥74.2698 ￥75.02
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￥68.2011 ￥68.89
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型号：IS61LPS12836A-200TQLI 编号：C1348927

封装：TQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥105.98
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￥101.01
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型号：IS25WP016D-JNLE 编号：C1349678

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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￥3.67
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型号：IS25LP032D-JBLA3-TR 编号：C5772370

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

1+
￥8.44
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￥7.04
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￥5.01

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型号：IS25LP128-JKLE 编号：C3001859

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128 串行闪存为系统提供了一种灵活的存储解决方案，在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式

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1+
￥14.84
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￥12.59
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￥11.19

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型号：IS42S16400J-6TLI-TR 编号：C17216754

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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￥18.42
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￥15.83
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￥14.21
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型号：IS61C6416AL-12TLI 编号：C1348981

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C6416AL、IS62C6416AL、IS64C6416AL和IS65C6416AL是高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达12 ns的存取时间

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1+
￥18.62
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￥15.62
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型号：IS42S32800J-7BL 编号：C1349284

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

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1+
￥28.11
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￥26.81
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￥26.02
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型号：IS61WV5128EDBLL-10TLI 编号：C1349067

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV5128EDBLL是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为524,288字×8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥30.2841 ￥30.59
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￥26.0469 ￥26.31
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￥23.5323 ￥23.77
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￥20.9979 ￥21.21
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￥19.8198 ￥20.02
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￥19.2951 ￥19.49

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型号：IS66WVE4M16EALL-70BLI 编号：C1349876

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥55.91
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￥48.07
30+
￥43.29

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型号：IS29GL128-70DLET 编号：C6577449

封装：LFBGA-64(9x9)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥81.59
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￥70.59
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￥63.89

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型号：IS25LP016D-JBLA3 编号：C1236814

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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1+
￥4.857 ￥16.19
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￥4.14 ￥13.8
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￥3.69 ￥12.3
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￥3.024 ￥10.08
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￥2.934 ￥9.78

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型号：IS25WP080D-JULA3-TR 编号：C5656651

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥5.72
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￥4.64
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￥4.1

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型号：IS62WV1288BLL-55QLI 编号：C1351025

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV1288ALL / IS62/65WV1288BLL是高速1M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥8.296 ￥12.2
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￥6.9194 ￥11.93
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￥5.64 ￥11.75
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￥5.5536 ￥11.57

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型号：IS61C256AL-12JLI-TR 编号：C2062861

封装：SOJ-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达10 ns

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1+
￥12.56
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￥10.75
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￥9.62

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型号：IS61C25616AL-10TLI 编号：C1353475

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C25616AL/AS 和 IS64C25616AL/AS 是高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 262,144 字×16 位。它们采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达 12 ns 的存取时间

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￥14.7378 ￥35.09
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￥10.976 ￥34.3
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￥7.4316 ￥33.78
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￥7.3172 ￥33.26

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型号：IS25LP128-JKLE-TR 编号：C2062901

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

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1+
￥15.4
10+
￥13.29
30+
￥11.97

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型号：IS62WVS2568FBLL-20NLI 编号：C1353427

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS2568FALLFBLL是2M位的串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字节×8位。它采用高性能CMOS技术制造。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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1+
￥16.04
10+
￥15.7
30+
￥15.47

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型号：IS61WV25616EDBLL-10BLI 编号：C1349085

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥18.45
10+
￥18.02
30+
￥17.73

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型号：IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR 编号：C2063954

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS2568FALLFBLL是2M位的串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字节×8位。它采用高性能CMOS技术制造。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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1+
￥18.82
10+
￥15.97
30+
￥14.19

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型号：IS25LP128F-JBLA3-TR 编号：C6969441

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥20.55
10+
￥17.68
30+
￥15.97

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型号：IS66WV51216EBLL-55TLI 编号：C1348810

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WV51216EALL和IS66/67WV51216EBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥33.53
10+
￥28.5
30+
￥25.51

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型号：IS25LP512M-RHLE-TR 编号：C2064518

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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1+
￥43.51
10+
￥42.49
30+
￥41.81
100+
￥41.13

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型号：IS43TR16256BL-125KBLITR 编号：C2940752

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 1066 MHz。 8 个内部存储体，可并发操作。 8n 位预取架构

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1+
￥59.48772
20+
￥57.06952
100+
￥55.6186
200+
￥53.2004
500+
￥52.23312

我要订货

型号：IS66WVO8M8DBLL-166BLI 编号：C17616210

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO8M8DBLL-166BLI 是一款64Mb Octal RAM，支持200MHz的双传输速率协议，具有低功耗和高带宽的特点，适用于工业和汽车应用。支持1.8V和3.0V供电，工作温度范围为-40°C到+125°C。

1+
￥57.19
10+
￥49.48
30+
￥44.78

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型号：IS29GL256-70SLET 编号：C5803540

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL256/128 提供 20ns 的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中对最多 32 字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

1+
￥59.13
10+
￥51.63
30+
￥47.06

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型号：IS21TF32G-JCLI 编号：C17463513

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI IS21TF32G-JCLI是一款32GB的eMMC 5.1存储器，支持TLC NAND技术。它适用于工业应用，支持高速数据传输和多种数据保护功能。

1+
￥287.3
30+
￥273.41

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型号：IS25LP032D-JNLE 编号：C521283

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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1+
￥5.08
10+
￥4.96
30+
￥4.88

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型号：IS25WJ032F-JTLE-TR 编号：C7290368

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥8.28
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