美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS62WV12816BLL-45TLI 编号：C1351971

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥22.2088 ￥32.66
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￥18.5194 ￥31.93
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型号：IS61LV6416-10TLI 编号：C2940532

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV6416/IS61LV6416L是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为65,536字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快8 ns的存取时间

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￥23.03
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型号：IS61WV25616BLL-10TL 编号：C1351193

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV25616Axx/Bxx和IS64WV25616Bxx是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥27.16
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￥24
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型号：IS42S16160J-7TL 编号：C427060

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160J是一款256Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM），支持166MHz和143MHz时钟频率。它具有3.3V供电，适用于商业温度范围（0°C至+70°C）。该器件支持多种突发长度（1, 2, 4, 8, 全页）和CAS延迟（2, 3）。

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型号：IS42S16800F-7TL 编号：C2063470

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。这款128Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V Vdd和3.3V Vddq的存储系统，包含134,217,728位

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型号：IS45S16160J-7TLA2 编号：C1352108

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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￥58.2012 ￥85.59
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型号：IS42S32800J-7BLI-TR 编号：C2065206

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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型号：IS42S16320F-6BLI 编号：C1352196

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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型号：IS61WV102416BLL-10TLI 编号：C28124

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

16-Mbit(1M x 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

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型号：IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 编号：C1352580

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR 编号：C2064489

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、4,194,304位静态RAM，组织为262,144字×16位。采用高性能CMOS技术制造，该高可靠性工艺与创新电路设计技术相结合，产生高性能、低功耗的器件。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。采用JEDEC标准44引脚TSOP II型和48引脚Mini BGA（6mm x 8mm）封装。

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型号：PM25LQ010B-SCE 编号：C411812

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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型号：IS25LP016D-JNLE-TR 编号：C2653501

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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￥4.48
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型号：IS25WP032D-JNLE-TR 编号：C37789898

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16100H-7TL 编号：C150435

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

16-Mbit(1M × 16bit)，并行接口，工作电压：3V to 3.6V

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型号：IS25LP064D-JBLE-TR 编号：C5183018

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D和IS25WP064D串行闪存为用户提供了一种通用的存储解决方案，该方案采用引脚数精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

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型号：IS25LP032D-JNLA3-TR 编号：C6280152

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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￥14.19
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型号：IS25WP064A-JKLE 编号：C1349795

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成的 4 线 SPI 接口进行访问，也可以配置为多 I/O。该器件支持双 I/O 和四 I/O 以及标准、双输出和四输出 SPI。高达 133MHz 的时钟频率允许达到高达 532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于 66Mbytes/s 的数据吞吐量。IS25xR 系列闪存增加了对 DTR（双传输速率）命令的支持，该命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据

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1+
￥16.61
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￥15.99

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型号：IS62WV12816BLL-55BLI 编号：C5741528

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥25.77
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￥25.19
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￥24.81

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型号：IS25WP512M-JLLA3 编号：C2940514

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥28.62
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￥24.49
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￥22.04

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型号：IS25WP128F-JBLA3 编号：C5772401

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥44.96
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￥38.9
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￥35.2

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型号：IS45S32800J-7TLA1 编号：C1352565

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

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￥68.3604 ￥100.53
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￥56.5326 ￥97.47
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￥46.7856 ￥97.47

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型号：IS62WV51216EALL-55TLI 编号：C1352315

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥81.03
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￥69.71
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￥62.81

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI-TR 编号：C2065018

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

SRAM 是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM 支持三种不同的模式。每个功能在下面的真值表中描述。

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￥122.21
30+
￥116.15

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型号：IS61WV102416FBLL-8BLI 编号：C7211320

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、16M 位静态随机存取存储器，组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP（I 型）、48 引脚微型 BGA（6mm x 8mm）和 54 引脚 TSOP（II 型）封装。

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￥180.5
30+
￥172.06

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型号：IS21TF08G-JCLI 编号：C17293707

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS21TF08G-JCLI 是一款 8GB 的 eMMC 5.1 接口存储器，支持 pSLC 模式，适用于工业和汽车应用。该设备符合 eMMC 规范版本 4.3 至 5.1，支持高速 eMMC 协议，时钟频率最高可达 200MHz。支持三种数据总线宽度：1 位（默认）、4 位和 8 位。

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￥353.68
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￥337.14

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型号：IS25WP080D-JNLE-TR 编号：C2063085

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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￥2.31
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￥2.27
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￥2.24

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型号：IS25LP016D-JNLA3-TR 编号：C6969439

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥10.45
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￥10.21
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￥10.06

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型号：IS63WV1288DBLL-10TLI-TR 编号：C2062671

封装：TSOP-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS63/64WV1288Dxxx是一款高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS63/64WV1288DBLL采用ISSI的高性能CMOS工艺制造。这种高可靠性的工艺结合创新的电路设计技术，使器件具备更高的性能和更低的功耗

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1+
￥15.37
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￥15.01
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￥14.77

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型号：IS25WP064A-JBLE-TR 编号：C2062826

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25WP064A/032A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式

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