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512Mb串行闪存，133/112MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP512M-RHLE-TR 编号：C2064518

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

数据手册

1+
￥58.49
10+
￥50.3
30+
￥45.31
100+
￥41.13

有货

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512Mb串行闪存，133/112MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25WP512M-JLLE-TR 编号：C6280174

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，其采用引脚数量精简的封装，具备高度灵活性和出色性能。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

1+
￥81.58
10+
￥77.9
30+
￥71.54

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IS62WV102416EBLL 45BLI TR

型号：IS62WV102416EBLL-45BLI-TR 编号：C2064146

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是低功耗、16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

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1+
￥120.92
10+
￥115.26
30+
￥105.44

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DDR3

型号：IS43TR16256BL-125KBLITR 编号：C2940752

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 1066 MHz。 8 个内部存储体，可并发操作。 8n 位预取架构

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1+
￥132.68
10+
￥128.24
30+
￥115.95

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IS61WV102416DBLL 10TLI

型号：IS61WV102416DBLL-10TLI 编号：C1348726

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥136.38
10+
￥123.06
30+
￥112.56

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具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存

型号：IS25LP016D-JBLA3-TR 编号：C5119922

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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1+
￥6.66
10+
￥5.3
30+
￥4.62

有货

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IS62WV1288BLL 55QLI

型号：IS62WV1288BLL-55QLI 编号：C1351025

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV1288ALL / IS62/65WV1288BLL是高速1M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥7.442 ￥12.2
10+
￥6.0843 ￥11.93
30+
￥4.8175 ￥11.75
100+
￥4.7437 ￥11.57

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4M/2M/1M/512K/256Kb串行闪存存储器，具备104MHz多I/O SPI和QPI接口

型号：IS25LP040E-JNLA3 编号：C6577425

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥9.83
10+
￥8.22
30+
￥7.34

有货

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的32Mb串行闪存

型号：IS25LP032D-JTLE-TR 编号：C5119926

封装：USON-8(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用的存储解决方案，该方案采用引脚数量简化的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多输入/输出（I/O）引脚

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1+
￥10.46
10+
￥8.95
30+
￥8.01
100+
￥6.59

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IS61C256AL 12JLI TR

型号：IS61C256AL-12JLI-TR 编号：C2062861

封装：SOJ-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达10 ns

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1+
￥11.3
10+
￥8.6086 ￥9.46
30+
￥6.7311 ￥8.31
100+
￥5.7753 ￥7.13
500+
￥5.346 ￥6.6
1000+
￥5.1597 ￥6.37

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IS61LV256AL 10TLI TR

型号：IS61LV256AL-10TLI-TR 编号：C2062662

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

数据手册

1+
￥12.23
10+
￥10.3
30+
￥9.09

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128Mb 四路 I/O QPI 双数据速率接口

型号：IS25LP128-JKLE-TR 编号：C2062901

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

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1+
￥15.93
10+
￥13.52
30+
￥12.01

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IS61WV25616EDBLL 10BLI

型号：IS61WV25616EDBLL-10BLI 编号：C1349085

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥18.45
10+
￥18.02
30+
￥17.73

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IS61C6416AL 12TLI

型号：IS61C6416AL-12TLI 编号：C1348981

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C6416AL、IS62C6416AL、IS64C6416AL和IS65C6416AL是高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达12 ns的存取时间

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1+
￥18.7
10+
￥15.7
30+
￥13.82

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IS34ML01G081 BLI

型号：IS34ML01G081-BLI 编号：C1348840

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

1Gb x8 3.3V NAND FLASH MEMORY with 1b ECC，具有高效读写模式、命令/地址/数据复用I/O、灵活的内存架构和高级安全保护功能。

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1+
￥22.5478 ￥30.47
10+
￥16.7744 ￥26.21
30+
￥12.7872 ￥23.68
100+
￥11.4048 ￥21.12
500+
￥10.7676 ￥19.94
1000+
￥10.4814 ￥19.41

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256Mb Octal RAM 串行 PSRAM 存储器，支持 200MHz DTR OP（八进制外设接口）协议

型号：IS66WVO32M8DALL-200BLI 编号：C17535354

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO32M8DALL是一款256Mb Octal RAM串行PSRAM存储器，支持200MHz DTR协议。该存储器具有行业标准的串行接口，支持Octal Peripheral Interface (OPI)协议，适用于工业温度范围（-40°C到+85°C）。

1+
￥23.15
10+
￥21.88
30+
￥21.13
100+
￥20.37

有货

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256KX16高速异步CMOS静态RAM

型号：IS61WV25616BLL-10BLI 编号：C427369

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV25616Axx/Bxx和IS64WV25616Bxx是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥31.55
10+
￥27.63
30+
￥25.3

有货

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512Kx16低电压超低功耗CMOS静态RAM

型号：IS62WV51216HBLL-45TLI 编号：C7211338

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV51216HALL/BLL是高速、低功耗的8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

1+
￥34.02
10+
￥29.11
30+
￥26.2

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256Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S32800J-7BL 编号：C1349284

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

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1+
￥38.26
10+
￥33.07
30+
￥29.91

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16Mb串行RAM，1.8V/3.0V，104MHz，SPI/QPI协议

型号：IS66WVS2M8BLL-104NLI 编号：C17522982

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥45.18
10+
￥39.09
30+
￥35.38

有货

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256Mb/128Mb，3.0V 页面模式并行闪存

型号：IS29GL256-70SLET 编号：C5803540

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS29GL256/128 提供 20ns 的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快可达 70ns。它具备一个写缓冲区，允许在一次操作中对最多 32 字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。这使得该器件非常适合当今需要更高密度、更优性能和更低功耗的嵌入式应用

1+
￥59.13
10+
￥51.63
30+
￥47.06

有货

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2M×8高速CMOS静态RAM

型号：IS61WV20488BLL-10TLI 编号：C412835

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV20488ALL/BLL和IS64WV20488BLL是高速、低功耗的2M字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS61WV20488ALL/BLL和IS64WV20488BLL采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥96.95
10+
￥92.4
30+
￥84.5

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IS43TR16512B 125KBLI

型号：IS43TR16512B-125KBLI 编号：C1349863

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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1+
￥104.4
10+
￥99.4
30+
￥90.75

有货

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IS25WP080D-JULA3-TR

型号：IS25WP080D-JULA3-TR 编号：C5656651

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥5.72
10+
￥4.64
30+
￥4.1

有货

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的32Mb串行闪存

型号：IS25LP032D-JBLA3-TR 编号：C5772370

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

1+
￥8.44
10+
￥7.04
30+
￥6.27
100+
￥5.4

有货

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的64Mb、3V串行闪存

型号：IS25LP064A-JKLE-TR 编号：C6062480

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

1+
￥11.29
10+
￥9.58
30+
￥8.51
100+
￥7.42

有货

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128K X 8高速CMOS静态RAM

型号：IS63LV1024L-10TLI 编号：C28179

封装：TSOP-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Kx8bit High-Speed CMOS STATIC RAM

数据手册

1+
￥19.15
10+
￥16.38
30+
￥14.64

有货

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具备166MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的128Mb串行闪存

型号：IS25LP128F-JBLA3-TR 编号：C6969441

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥20.55
10+
￥17.68
30+
￥15.97

有货

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具备166MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的128Mb串行闪存

型号：IS25LP128F-JKLE-TR 编号：C6062482

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥21.2
10+
￥18.39
30+
￥16.72
100+
￥15.03

有货

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IS62WV12816BLL 45TLI

型号：IS62WV12816BLL-45TLI 编号：C1351971

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥22.2088 ￥32.66
10+
￥18.5194 ￥31.93
30+
￥15.0912 ￥31.44
100+
￥14.8608 ￥30.96

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