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256Mb串行闪存，133/166MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP256E-JLLE 编号：C5119923

封装：WSON-8(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256E和IS25WP256E串行闪存为简化引脚封装提供了一种灵活且高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，这些引脚也可配置为多I/O模式

1+
￥22.56
10+
￥19.35
30+
￥17.45

有货

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256K X 16 低压超低功耗 CMOS 静态 SRAM

型号：IS62WV25616BLL-55TLI-TR 编号：C76487

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥30.31
10+
￥25.94
30+
￥23.34

有货

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256Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S32800J-6TLI 编号：C1351836

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

数据手册

1+
￥41.1
10+
￥35.36
30+
￥31.87

有货

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1Gx8, 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

型号：IS43TR16512BL-125KBLI 编号：C2940542

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。低电压（L）：VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构

数据手册

1+
￥123.48
10+
￥109.22
30+
￥99.17

有货

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IS25LP016D JNLE

型号：IS25LP016D-JNLE 编号：C1348801

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.66
30+
￥2.31
100+
￥1.97
500+
￥1.77
1000+
￥1.66

有货

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具备104 MHz多I/O SPI和QPI接口的串行闪存

型号：IS25LP040E-JNLE-TR 编号：C6280156

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

1+
￥3.61
10+
￥2.91
30+
￥2.61

有货

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的64/32Mb、3V串行闪存

型号：IS25LP064A-JBLA3-TR 编号：C2972290

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A/032A 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该产品具有高灵活性和高性能，且采用引脚数量精简的封装。闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

数据手册

1+
￥8.51
10+
￥7.04
30+
￥6.23
100+
￥5.31

有货

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具备166MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的64Mb串行闪存

型号：IS25LP064D-JBLE 编号：C4943337

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，其采用引脚数量精简的封装，兼具高度灵活性和高性能。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE(overline)）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

数据手册

1+
￥10.01
10+
￥8.62
30+
￥7.85

有货

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IS25WX064-JHLE

型号：IS25WX064-JHLE 编号：C21442431

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥21.16
10+
￥20.69
30+
￥20.38
100+
￥20.06

有货

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256Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16160J-7TLI 编号：C412833

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160J是一款256Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM），支持166MHz和143MHz时钟频率。它具有3.3V供电，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件支持多种突发长度（1, 2, 4, 8, 全页）和CAS延迟（2, 3）。

数据手册

1+
￥29.17
10+
￥24.78
30+
￥22.17
100+
￥19.53

有货

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IS62WV102416EBLL 45BLI TR

型号：IS62WV102416EBLL-45BLI-TR 编号：C2064146

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是低功耗、16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

数据手册

1+
￥120.92
10+
￥115.26
30+
￥105.44

有货

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支持多I/O SPI接口，具备512K/1M/2M/4Mbit容量的3V四路串行闪存

型号：PM25LQ010B-SCE 编号：C411812

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

数据手册

1+
￥2.367 ￥2.63
10+
￥1.863 ￥2.07
30+
￥1.656 ￥1.84
100+
￥1.377 ￥1.53
500+
￥1.251 ￥1.39
1000+
￥1.179 ￥1.31

有货

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具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存

型号：IS25LP016D-JBLA3-TR 编号：C5119922

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

数据手册

1+
￥5.92
10+
￥4.48
30+
￥3.75
100+
￥3.03

有货

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的32Mb串行闪存

型号：IS25LP032D-JTLE-TR 编号：C5119926

封装：USON-8(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用的存储解决方案，该方案采用引脚数量简化的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多输入/输出（I/O）引脚

数据手册

1+
￥10.31
10+
￥8.81
30+
￥7.87
100+
￥6.45

有货

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256KX16高速异步CMOS静态RAM

型号：IS61WV25616BLL-10BLI 编号：C427369

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV25616Axx/Bxx和IS64WV25616Bxx是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥26.76
10+
￥22.84
30+
￥20.51

有货

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IS43TR16640C 125JBLI

型号：IS43TR16640C-125JBLI 编号：C1236847

封装：BGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx8 DDR3 SDRAM，标准电压1.5V，低电压1.35V，部分自刷新，后向兼容1.5V，异步复位引脚，高速数据传输速率，8个内部bank，可编程的CAS延迟，工作温度范围：工业级-40°C至95°C

数据手册

1+
￥30.24
10+
￥26.9
30+
￥24.92

有货

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IS66WVS4M8ALL-104NLI

型号：IS66WVS4M8ALL-104NLI 编号：C17645790

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥35.64
10+
￥30.33
30+
￥27.1

有货

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512KX8高速CMOS静态RAM

型号：IS61LV5128AL-10TLI 编号：C40493

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(512K × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥39.49
10+
￥33.76
30+
￥30.36

有货

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512M×8、256M×16，4Gb DDR3 SDRAM

型号：IS46TR16256BL-107MBLA3 编号：C25092608

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V，向后兼容1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达1066MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构。可编程CAS延迟

1+
￥53.99
10+
￥46.45
30+
￥41.85
100+
￥38

有货

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512M×8、256M×16，4Gb DDR3 SDRAM

型号：IS43TR16256B-125KBLI 编号：C1349408

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256B-125KBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

数据手册

1+
￥56.57
10+
￥48.18
30+
￥43.06
100+
￥38.77

有货

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IS62WV51216EALL 55TLI

型号：IS62WV51216EALL-55TLI 编号：C1352315

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥81.03
10+
￥69.71
30+
￥62.81

有货

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512Mb串行闪存，133/112MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25WP512M-JLLE-TR 编号：C6280174

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，其采用引脚数量精简的封装，具备高度灵活性和出色性能。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

1+
￥81.58
10+
￥77.9
30+
￥71.54

有货

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NOR闪存 64Mb QPI/QSPI

型号：IS25WP064D-JBLE-TR 编号：C2995543

封装：SOP-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

数据手册

1+
￥7.83
10+
￥7.1
30+
￥6.71
100+
￥6.26

有货

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4M/2M/1M/512K/256Kb串行闪存存储器，具备104MHz多I/O SPI和QPI接口

型号：IS25LP040E-JNLA3 编号：C6577425

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥8.85
10+
￥7.24
30+
￥6.36
100+
￥5.37

有货

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IS62LV256AL 45TLI

型号：IS62LV256AL-45TLI 编号：C1350442

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大存取时间最快可达15 ns

数据手册

1+
￥8.865 ￥11.82
10+
￥6.552 ￥10.08
30+
￥4.9445 ￥8.99
100+
￥4.3285 ￥7.87
500+
￥4.048 ￥7.36
1000+
￥3.9325 ￥7.15

有货

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的64/32Mb、1.8V串行闪存

型号：IS25WP064A-JBLE-TR 编号：C2062826

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25WP064A/032A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式

数据手册

1+
￥10.791 ￥10.9
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￥9.1971 ￥9.29
30+
￥8.2071 ￥8.29
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￥7.1874 ￥7.26
500+
￥6.7221 ￥6.79
1000+
￥6.5241 ￥6.59

有货

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的64Mb、3V串行闪存

型号：IS25LP064A-JKLE-TR 编号：C6062480

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

1+
￥11.36
10+
￥9.65
30+
￥8.58
100+
￥7.49

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IS25WP512M-JLLA3

型号：IS25WP512M-JLLA3 编号：C2940514

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥28.62
10+
￥24.49
30+
￥22.04
100+
￥19.56

有货

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256Mb DDR同步动态随机存取存储器

型号：IS43R16160F-5TL 编号：C17616322

封装：TSSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256 Mbit DDR SDRAM采用流水线架构，每个时钟周期进行两次数据字访问，实现了高速数据传输。268,435,456位的存储阵列在内部被组织为四个64 Mb的存储体，以支持并发操作。流水线使读和写突发访问几乎可以连续进行，并且可以选择拼接或截断突发长度

1+
￥30.99
10+
￥26.37
30+
￥23.56
108+
￥21.2

有货

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256K X 16高速异步CMOS静态RAM，3.3V电源

型号：IS61LV25616AL-10TL 编号：C16001

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

65+
￥26.948855
100+
￥24.910708
1000+
￥22.929173

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