美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS42SM16200D-6BLI 编号：C17443442

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM32100D-6BLI 编号：C17530045

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS65LV256AL-45TLA3 编号：C6577516

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR 编号：C5772448

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16320F-7BLA1 编号：C1352773

封装：TFBGA-54(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。

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型号：IS61WV25616FBLL-10TLI-TR 编号：C6061616

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS41LV16105D-50TLI-TR 编号：C2063732

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS41LV16105D是一款1,048,576 x 16-bit高性能CMOS动态随机存取存储器。它支持快速页模式，刷新间隔为1,024个周期/16毫秒，访问时间最短可达20纳秒。适用于高带宽图形、数字信号处理和高性能计算系统等应用。

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型号：IS62WV51216GBLL-45TLI 编号：C1352305

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61NLP6432A-200TQLI-TR 编号：C2064786

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61LP6432A-133TQLI-TR 编号：C2064800

封装：TQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16160J-7CTLA2-TR 编号：C2064270

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM16160K-75BLI-TR 编号：C2064572

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16160K 是一款移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

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型号：IS42RM16160K-75BLI-TR 编号：C2064574

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

数据手册

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型号：IS61C6416AL-12TI-TR 编号：C20543596

封装：44-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32400H-6BLI 编号：C1352306

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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型号：IS62C5128BL-45QLI 编号：C1353472

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV12816BLL-45TLI-TR 编号：C5772464

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 编号：C1352148

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WVS5128FALL-16NLI 编号：C1350399

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM16160K-6BLI-TR 编号：C2064429

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS66WV51216DBLL-70TLI-TR 编号：C20542191

封装：44-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS64WV6416BLL-15TLA3 编号：C1349862

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV12816BLL-55BI 编号：C20598027

封装：48-miniBGA (6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS63LV1024L-10T 编号：C20535520

封装：32-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 编号：C17356828

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM16160K-6BLI-TR 编号：C2065681

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16160K 是一款移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

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型号：IS42S32800J-6TL-TR 编号：C2064473

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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