美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

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型号：IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR 编号：C2063792

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV25616EDALL-20BLI-TR 编号：C2063786

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV25616BLL-10TL-TR 编号：C2065763

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV5128EBLL-45TLI-TR 编号：C7290452

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV25616EBLL-45TLI-TR 编号：C2063663

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16160J-6TLA1 -TR 编号：C2063811

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16100H-7BLA2 编号：C1351872

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。

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型号：IS62WVS2568GBLL-45NLI 编号：C20189634

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV2568EDBLL-10KLI 编号：C1351875

封装：SOJ-36

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV25616EBLL-45BLI 编号：C6211131

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS66WV51216EBLL-70BLI 编号：C7604007

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32400H-6BLI-TR 编号：C2063700

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

具有完全同步操作、自动刷新、部分阵列自刷新、可编程突发长度和突发类型等功能。

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型号：IS42SM32400H-6BLI-TR 编号：C2063721

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM32400H 是一款128Mb CMOS Synchronous DRAM，组织为4个bank，每个bank有1,048,576字 x 32位。支持3.3V、2.5V和1.8V电源电压，具有完全同步操作、自动刷新、部分阵列自刷新、可编程突发长度和突发类型等功能。

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型号：IS45S32200L-7TLA2-TR 编号：C2063863

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32200L 和 IS45S32200L 是 64Mb 同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为 524,288 bits x 32-bit x 4-bank。支持高时钟频率（200, 166, 143, 133 MHz），单 3.3V 电源供电，LVTTL 接口，可编程突发长度（1, 2, 4, 8, 全页）和 CAS 延迟（2, 3 个时钟周期）。

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