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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS61C5128AL 10KLI TR
型号：IS61C5128AL-10KLI-TR 编号：C2065174
封装：SOJ-36
品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WV6416BLL-55BLI-TR
    型号：IS62WV6416BLL-55BLI-TR 编号：C6883922
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WV12816EALL-55BLI
    型号：IS62WV12816EALL-55BLI 编号：C7290440
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S16160J 6BL TR
    型号：IS42S16160J-6BL-TR 编号：C2064932
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS45S16160J 7TLA1
    型号：IS45S16160J-7TLA1 编号：C1351596
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS61WV12816DBLL-10TLI-TR
    型号：IS61WV12816DBLL-10TLI-TR 编号：C6061606
    封装：TSOPII-44
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WV51216EALL 55BLI TR
    型号：IS62WV51216EALL-55BLI-TR 编号：C2065415
    封装：VFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM16800H 6BLI
    型号：IS42SM16800H-6BLI 编号：C1351469
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42SM16800H-6BLI 是一款134,217,728位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。
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    IS42RM16800H 6BLI
    型号：IS42RM16800H-6BLI 编号：C1351549
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    组织为4个bank，每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作，所有引脚与LVCMOS接口兼容。
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    IS61WV1288EEBLL-10BLI
    型号：IS61WV1288EEBLL-10BLI 编号：C6883902
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS45S16160J 7CTLA1 TR
    型号：IS45S16160J-7CTLA1-TR 编号：C2064048
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS45S16160J 7TLA2 TR
    型号：IS45S16160J-7TLA2-TR 编号：C2064834
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42S32400F 7TLI TR
    型号：IS42S32400F-7TLI-TR 编号：C2064046
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。
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    IS62WV5128BLL 55BLI
    型号：IS62WV5128BLL-55BLI 编号：C1353364
    封装：TFBGA-36(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS65C256AL-25ULA3-TR
    型号：IS65C256AL-25ULA3-TR 编号：C5656799
    封装：SOP-28
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS66WVQ8M4DALL-200BLI
    型号：IS66WVQ8M4DALL-200BLI 编号：C17569591
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    32Mb QUADRAM 串行PSRAM，支持200MHz QUAD DDR (x4 xSPI)接口，1.8V供电，适用于工业温度范围。

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    IS42S16100C1-5TL
    型号：IS42S16100C1-5TL 编号：C20454075
    封装：50-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WV12816BLL-55B2LI-TR
    型号：IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 编号：C5741524
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS66WVQ8M4DBLL-133BLI
    型号：IS66WVQ8M4DBLL-133BLI 编号：C7435279
    封装：TFBGA-24_6X8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WVS1288GBLL-45NLI-TR
    型号：IS62WVS1288GBLL-45NLI-TR 编号：C5656787
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42RM32400H 75BLI
    型号：IS42RM32400H-75BLI 编号：C1352284
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。
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    IS66WVH16M8BLL 100B1LI TR
    型号：IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR 编号：C2063562
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mbit HyperRAM是一款高速CMOS自刷新动态RAM，具有HyperBus接口。该设备支持非常低的信号计数，双数据速率传输，汽车温度范围操作，适用于移动和汽车应用。
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    IS61LV5128AL 10TLI TR
    型号：IS61LV5128AL-10TLI-TR 编号：C2065617
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS66WVH16M8ALL 166B1LI TR
    型号：IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR 编号：C2063564
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mbit HyperRAM是一款高速CMOS自刷新动态RAM，具有HyperBus接口。该设备支持非常低的信号计数，双数据速率传输，汽车温度范围操作，适用于移动和汽车应用。
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    IS45S16160J 6CTLA1 TR
    型号：IS45S16160J-6CTLA1-TR 编号：C2065330
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR
    型号：IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR 编号：C17569649
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42VM16160K 75BLI TR
    型号：IS42VM16160K-75BLI-TR 编号：C2063340
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42VM16160K-75BLI-TR 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 1.8V 电源电压。
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    IS64WV2568EDBLL 10CTLA3 TR
    型号：IS64WV2568EDBLL-10CTLA3-TR 编号：C2063477
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42VM32400H 6BLI
    型号：IS42VM32400H-6BLI 编号：C1352475
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。
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    IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR
    型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR 编号：C6061614
    封装：TSOPII-44
    品牌：ISSI(美国芯成)

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