美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS62C25616BL-45TLI-TR 编号：C2065531

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S32800J-75EBL-TR 编号：C2064159

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

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型号：IS42S32800J-7TLI-TR 编号：C2064183

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

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型号：IS61LV6416-10BLI 编号：C20597317

封装：48-miniBGA (6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62WV5128BLL-55T2LI-TR 编号：C6968519

封装：TSOPII-32

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥42.98
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型号：IS42RM32800K-6BLI-TR 编号：C2064360

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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￥43.01
200+
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型号：IS66WVH8M8DBLL-100B1LI 编号：C17490422

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥43.01
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型号：IS42SM32800K-6BLI-TR 编号：C2064104

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32800K是移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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型号：IS62WV5128DBLL-45TLI 编号：C20471520

封装：32-TSOP I

品牌：ISSI(美国芯成)

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230+
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345+
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型号：IS61WV25616FALL-10TLI 编号：C6644076

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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135+
￥17.27
540+
￥16.69
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型号：IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR 编号：C6061608

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥43.32
200+
￥17.29
500+
￥16.71
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型号：IS42S16100C1-6T-TR 编号：C20453990

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥43.37
200+
￥17.31
500+
￥16.73
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型号：IS42S16400F-6TL-TR 编号：C20493490

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥43.37
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￥17.31
500+
￥16.73
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型号：IS64WV2568EDBLL-10BLA3-TR 编号：C2065611

封装：TFBGA-36(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥16.89
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￥16.3
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型号：IS61WV25616FALL-10BLI 编号：C7290432

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥43.64
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480+
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型号：IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 编号：C6883913

封装：SOJ-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS62C5128EL-45QLI-TR 编号：C6968506

封装：SOP-32

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥43.96
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型号：IS62C5128EL-45TLI-TR 编号：C5741516

封装：TSOPII-32

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥43.96
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型号：IS42VM32100D-6BLI-TR 编号：C17328855

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

1+
￥43.97
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型号：IS65C256AL-25TLA3-TR 编号：C6280251

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥44.1
200+
￥17.6
500+
￥17.01
1000+
￥16.72

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型号：IS42S16400F-7TL 编号：C20491013

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥44.2
216+
￥17.64
540+
￥17.05
972+
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型号：IS64WV5128EDBLL-10CTLA3-TR 编号：C2063848

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥44.29
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￥17.14
500+
￥16.54
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￥16.24

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型号：IS42RM32800K-75BLI 编号：C1353919

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

组织为4个bank，每个bank有2,097,152字x32位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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￥44.4
200+
￥17.18
500+
￥16.58
1000+
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型号：IS42S32800J-75EBLI-TR 编号：C2064380

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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