美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR 编号：C17416870

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV25616FALL-10TLI-TR 编号：C7211324

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR 编号：C2063871

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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型号：IS42S32800J-7BL-TR 编号：C2064463

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

数据手册

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型号：IS42SM16160K-75BLI 编号：C1353193

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM16160K-75BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 电源电压。

数据手册

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348+
￥15.73
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型号：IS42RM16160K-75BLI 编号：C1353196

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM16160K-75BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出均与系统时钟的正沿同步。支持 2.5V 电源电压。

数据手册

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348+
￥15.73
696+
￥15.18
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￥14.91

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型号：IS66WVE4M16TBLL-70BLI 编号：C1351548

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

65+
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￥30.87612

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型号：IS66WV51216DBLL-70BLI-TR 编号：C20597117

封装：48-miniBGA (6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VS16100C1-10TLI-TR 编号：C20455652

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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500+
￥15.7
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型号：IS45S16100C1-7TLA1-TR 编号：C20456186

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥40.71
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￥16.25
500+
￥15.7
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型号：IS42S32800J-75ETL-TR 编号：C2064372

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

数据手册

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型号：IS66WVE4M16ECLL-70BLI 编号：C1349047

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥40.86
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￥15.82
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￥15.26
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型号：IS42RM32800K-75BLI-TR 编号：C2064861

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42SM32800K-75BLI-TR 编号：C2064546

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥40.94
200+
￥15.84
500+
￥15.29
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型号：IS61LF6436A-8.5TQLI 编号：C1352184

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥40.98
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型号：IS61LP6436A-133TQLI 编号：C1352177

封装：TQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥15.86
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型号：IS66WVE2M16EALL-70BLI 编号：C1349695

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥15.31
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型号：IS61LV5128AL-10KLI-TR 编号：C2063365

封装：SOJ-36

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥15.07

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型号：IS61WV6416EEBLL-10KLI 编号：C20189633

封装：SOJ-36

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR 编号：C2064452

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥16.04
500+
￥15.48
1000+
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型号：IS62WV5128DBLL-45T2LI 编号：C20532384

封装：32-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥16.56
468+
￥16.01
1053+
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型号：IS42S32800J-6BL-TR 编号：C2064306

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机访问存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，每个bank有67,108,864位，组织为4,096行 x 512列 x 32位。支持全同步操作，所有信号参考时钟的上升沿。可编程突发长度，自动刷新模式，低功耗模式。

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