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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装,提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和芯片使能(CE#)引脚组成,也可配置为多 I/O 接口
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  • IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式,以及标准、双输出和四输出SPI模式
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  • IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存为简化引脚封装提供了一种高度灵活且高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,也可配置为多I/O接口
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      ¥2.76
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  • IS25LP032/064/128 串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案,该方案在引脚数量精简的封装中实现了高度的灵活性和出色的性能。IS25LP032/064/128 通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式,以及标准、双输出和四输出 SPI 模式
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  • 256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统,包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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      ¥27.88
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  • IS66WVO32M8DALL是一款256Mb Octal RAM串行PSRAM存储器,支持200MHz DTR协议。该存储器具有行业标准的串行接口,支持Octal Peripheral Interface (OPI)协议,适用于工业温度范围(-40°C到+85°C)。
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      ¥33.42
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      ¥22.29
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  • 高速16M位静态随机存取存储器,组织为1024K字x16位。采用高性能CMOS技术制造,此高可靠性工艺结合创新电路设计技术,可实现高性能和低功耗。当CE为高电平时(未选中),设备进入待机模式,可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入(CE和OE)可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写操作。数据字节支持高字节(UB)和低字节(LB)访问。器件封装采用JEDEC标准的48引脚TSOP I型和48引脚迷你BGA(9mm x 11mm)。
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      ¥90.36
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  • IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,它采用引脚数量精简的封装,具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,也可配置为多 I/O 模式
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  • IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM),支持多种时钟频率,包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电,支持 LVTTL 接口,适用于商业、工业和汽车级应用。
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  • IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
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  • 512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器,根据 DRAM 选项,可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM(536,870,912 位)包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据,并自动生成列地址,能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间,并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址
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  • 16-Mbit(1M x 16bit),并行接口,工作电压:2.4V to 3.6V
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  • IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式,提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成的4线SPI接口进行访问,这些引脚也可配置为多I/O模式
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  • IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案,该方案在简化引脚封装的情况下,仍具有高度的灵活性和出色的性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,也可配置为多I/O接口
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  • IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,它具有高度的灵活性和高性能,且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式,以及标准、双输出和四输出 SPI 模式
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  • IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O,以及标准、双输出和四输出SPI
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  • IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式,提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成的4线SPI接口进行访问,这些引脚也可配置为多I/O模式
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    • 1+

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      ¥2.904 ¥3.63
  • 有货
  • IS61LV6416/IS61LV6416L是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器(SRAM),其组织形式为65,536字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可实现低功耗下最快8 ns的存取时间
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    • 1+

      ¥20.3
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      ¥17.35
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      ¥15.5
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      ¥11.62
  • 有货
  • IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL是高速4M位静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
    数据手册
    • 1+

      ¥26.96
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      ¥22.85
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      ¥20.4
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      ¥17.93
    • 500+

      ¥16.79
  • 有货
  • IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式,以及标准、双输出和四输出SPI模式
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    • 1+

      ¥27.32
    • 10+

      ¥23.27
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      ¥17.66
  • 有货
  • 256Mb Synchronous DRAM,支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性,所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank,每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.7
    • 10+

      ¥32.3
    • 30+

      ¥29.01
    • 100+

      ¥26.26
  • 订货
  • 64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,专为在3.3V内存系统中运行而设计,包含67,108,864位。其内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个16,777,216位存储体被组织为2,048行×256列×32位
    数据手册
    • 1+

      ¥13.67
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      ¥12.98
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    • 108+

      ¥11.11
  • 有货
  • IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,它具有高度的灵活性和高性能,且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式,以及标准、双输出和四输出 SPI 模式
    数据手册
    • 1+

      ¥15.57
    • 10+

      ¥13.28
    • 30+

      ¥11.84
    • 100+

      ¥9.93
  • 有货
  • 128-Mbit(16M × 8bit),并行接口,工作电压:3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥23.32
    • 10+

      ¥19.94
    • 30+

      ¥17.93
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      ¥15.89
    • 500+

      ¥14.95
  • 有货
  • IS46TR16640C-125JBLA1是一款64Mx16 DDR3 SDRAM,支持1.5V供电,数据传输速率为1600MT/s,时序为10-10-10。适用于汽车A1等级,具有低功耗模式、自刷新模式和写入恢复时间等功能。
    • 1+

      ¥27.75
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      ¥23.52
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      ¥21
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      ¥18.46
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      ¥17.28
    • 950+

      ¥16.75
  • 有货
  • 32Mb QSPI,8-pin SOP 208Mil,RoHS,ET,T&R Flash 2.3V-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.87
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      ¥2.08
    • 1000+

      ¥1.97
  • 有货
  • IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 模式(请参阅引脚说明)
    • 1+

      ¥4.35
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      ¥2.29
    • 1000+

      ¥2.15
  • 有货
  • 256-Kbit(32K x 8bit),并行接口,工作电压:5V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.16
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      ¥6.42
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    • 234+

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