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IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O,以及标准、双输出和四输出SPI
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  • IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式,提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成的4线SPI接口进行访问,这些引脚也可配置为多I/O模式
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  • IS25LP064A/032A 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该产品具有高灵活性和高性能,且采用引脚数量精简的封装。闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成,也可配置为多 I/O 接口
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  • IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器(SRAM),其组织形式为131,072字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间
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  • IS42S16160J是一款256Mb同步动态随机存取存储器(SDRAM),支持166MHz和143MHz时钟频率。它具有3.3V供电,适用于工业温度范围(-40°C至+85°C)。该器件支持多种突发长度(1, 2, 4, 8, 全页)和CAS延迟(2, 3)。
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  • 256Mb Synchronous DRAM,支持高带宽数据传输,全同步设计,内部4个Bank,支持自动刷新和省电模式。
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  • IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式
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  • IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,也可配置为多 I/O 接口
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  • 256Mb Synchronous DRAM,支持高带宽数据传输,全同步设计,内部4个Bank,支持自动刷新和省电模式。
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  • IS62/65WV102416DALL、IS62/65WV102416DBLL 是超低功耗CMOS 16Mbit静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为1M字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
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  • IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式,提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成的4线SPI接口进行访问,这些引脚也可配置为多I/O模式
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  • IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 模式(请参阅引脚说明)
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  • 串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案,在简化引脚数封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和芯片使能(CE#)引脚组成,也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI
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  • IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,其采用引脚数量精简的封装,兼具高度灵活性和高性能。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE(overline))引脚组成,也可配置为多 I/O 接口。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式,以及标准、双输出和四输出 SPI 模式
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  • IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,它具有高度的灵活性和高性能,且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式,以及标准、双输出和四输出 SPI 模式
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  • IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式,以及标准、双输出和四输出SPI模式
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  • 256 Mbit DDR SDRAM采用流水线架构,每个时钟周期进行两次数据字访问,实现了高速数据传输。268,435,456位的存储阵列在内部被组织为四个64 Mb的存储体,以支持并发操作。流水线使读和写突发访问几乎可以连续进行,并且可以选择拼接或截断突发长度
    • 1+

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  • 16Mx16 DDR2 SDRAM,支持5-5-5速度等级,工作电压1.8V,适用于工业温度范围(-40°C至+95°C)。
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    • 10+

      ¥63.34
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  • IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式,提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成的4线SPI接口进行访问,这些引脚也可配置为多I/O模式
    数据手册
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  • IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式
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  • IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存提供了一种通用的存储解决方案,在引脚数量简化的封装中具备高度灵活性和高性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式
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  • IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案,该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O,以及标准、双输出和四输出SPI
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      ¥2.8864 ¥6.56
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  • 256-Kbit(32K x 8bit),并行接口,工作电压:5V
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  • IS25LP128 串行闪存为系统提供了一种灵活的存储解决方案,在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 模式
    数据手册
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