美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS25LP032D-JNLA3 编号：C1236825

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥15.9
10+
￥13.37
30+
￥11.79
100+
￥10.17
500+
￥9.43
1000+
￥9.12

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型号：IS25LP064D-JBLA3 编号：C1236820

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥17.73
10+
￥17.31
30+
￥17.04
100+
￥16.76

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型号：IS34ML01G084-TLI 编号：C17231272

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥18.5
10+
￥15.77
30+
￥14.06
96+
￥12.31
480+
￥11.52
960+
￥11.18

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型号：IS25LP064A-JKLE 编号：C1349823

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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单价：
￥10.413268 / 个

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型号：IS25LP128-JBLE 编号：C2063048

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥18.96
10+
￥16.22
30+
￥14.6
100+
￥12.96
500+
￥12.2
1000+
￥11.86

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型号：IS61C1024AL-12TLI 编号：C1350118

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C1024AL/IS64C1024AL是一款高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥20.13
10+
￥17.4
30+
￥15.7
100+
￥13.95
500+
￥13.17
1000+
￥12.82

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型号：IS43LR16800G-6BLI 编号：C1351476

封装：TFBGA-60(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LR16800G 是 134,217,728 bits CMOS Mobile Double Data Rate Synchronous DRAM，组织为 4 个banks，每个banks有 2,097,152 字 x 16 位。使用双数据速率架构实现高速操作，数据输入/输出信号通过 16 位总线传输。支持 64ms 刷新周期，1.8V 电源，自动刷新和自刷新功能，四内部banks并发操作，部分阵列自刷新等。

数据手册

1+
￥20.78
10+
￥17.75
30+
￥15.95
300+
￥14.12
600+
￥13.28
900+
￥12.9

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型号：IS29GL256-70DLET 编号：C1236805

封装：LFBGA-64(9x9)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥20.94
10+
￥20.45
30+
￥20.12
100+
￥19.79

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型号：IS34ML01G081-TLI 编号：C1349231

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

1Gb x8 3.3V NAND FLASH MEMORY with 1b ECC，具有高效读写模式、命令/地址/数据复用I/O、灵活的内存架构和高级安全保护功能。

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45+
￥42.341914
100+
￥39.139584
1000+
￥36.026208

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型号：IS43TR16128D-125KBLI 编号：C1350423

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥23.05
10+
￥19.69
30+
￥16.92
100+
￥14.89
500+
￥13.96
1500+
￥13.54

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型号：IS42S16160J-6TL-TR 编号：C2063457

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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1+
￥24
200+
￥9.29
500+
￥8.97
1500+
￥8.8

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型号：IS34ML02G084-TLI 编号：C1349054

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS34ML02G084-TLI是一款2Gb SLC NAND Flash存储器，支持4位ECC，工作电压为3.3V，接口类型为X8 NAND，适用于工业级应用。该存储器具有高效的读写性能，支持缓存编程和复制回写操作。

数据手册

1+
￥24.63
10+
￥21.19
30+
￥18
100+
￥15.93
500+
￥14.98
1000+
￥14.55

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型号：IS34ML04G084-TLI 编号：C1350113

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS34ML04G084是一款4Gb x8位3.3V NAND Flash存储器，具有4位ECC支持。该设备提供灵活高效的存储架构，支持快速读取和编程模式。具备自动页面读取、坏块保护、硬件数据保护等功能。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用。

数据手册

1+
￥25.9
10+
￥21.95
30+
￥19.6
100+
￥17.23
500+
￥16.13
1000+
￥15.64

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型号：IS25WP256E-JLLE 编号：C5803542

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥26.34
10+
￥25.45
30+
￥24.85
100+
￥24.26

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型号：IS25WP256D-JLLE-TR 编号：C2064066

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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单价：
￥24.538195 / 个

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型号：IS26KS256S-DPBLI00 编号：C1236807

封装：VFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥29.38
10+
￥25.14
30+
￥22.62
100+
￥20.08
338+
￥18.9
1014+
￥18.37

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型号：IS43DR16160B-25DBLI 编号：C1351449

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥29.38
10+
￥25.14
30+
￥22.63
100+
￥20.08
500+
￥18.9
1000+
￥18.38

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型号：IS25LX256-JHLE 编号：C17702462

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥32.69
10+
￥27.98
30+
￥25.1
100+
￥22.69

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型号：IS29GL256-70FLET 编号：C1236804

封装：LFBGA-64(11x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥35.07
10+
￥30.17
30+
￥27.26
100+
￥24.31
500+
￥22.95
1000+
￥22.34

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型号：IS25LP512MG-JLLE 编号：C5772380

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥39.25
10+
￥33.69
30+
￥30.31
100+
￥27.47

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型号：IS25LP512M-JLLE-TR 编号：C2064056

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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