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IS43TR16640CL 125JBLI

型号：IS43TR16640CL-125JBLI 编号：C1236842

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx8 DDR3L SDRAM，低电压1.35V，部分自刷新，后向兼容1.5V，异步复位引脚，高速数据传输速率，8个内部bank，可编程的CAS延迟，工作温度范围：工业级-40°C至95°C

数据手册

单价：
￥35.991801 / 个

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IS29GL256 70FLET

型号：IS29GL256-70FLET 编号：C1236804

封装：LFBGA-64(11x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥35.07
10+
￥30.17
30+
￥27.26
100+
￥24.31
500+
￥22.95
1000+
￥22.34

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256Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16160J-6BLI-TR 编号：C2063680

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥45.8667
20+
￥44.0022
100+
￥42.8835
200+
￥41.7648
500+
￥41.019

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IS25LP512MG-JLLE

型号：IS25LP512MG-JLLE 编号：C5772380

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥39.25
10+
￥33.69
30+
￥30.31
100+
￥27.47

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512Mb串行闪存，133/112MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP512M-JLLE-TR 编号：C2064056

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

数据手册

1+
￥41.02
10+
￥35.29
30+
￥31.8
100+
￥28.87

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IS66WVS8M8FBLL-104NLI

型号：IS66WVS8M8FBLL-104NLI 编号：C39372041

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥42.8
10+
￥41.85
30+
￥41.21
100+
￥40.57

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256/128Mb串行闪存存储器，八进制I/O，xSPI接口，带片上ECC，200MHz(1.8V)，133MHz(3.0V)

型号：IS25WX256-JHLE 编号：C20945254

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥46.42
10+
￥45.38
30+
￥44.69
100+
￥44

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IS43TR81280C-125JBLI-TR

型号：IS43TR81280C-125JBLI-TR 编号：C17377245

封装：TWBGA-78(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

128M x 8 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输，时钟频率高达1066MHz，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，工作温度范围为-40°C至+95°C。

1+
￥20
20+
￥19.2
100+
￥18.56
200+
￥18.24
500+
￥17.92

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移动同步动态随机存取存储器

型号：IS42VM32800K-75BLI 编号：C443413

封装：BGA-90

品牌：ISSI(美国芯成)

这些 IS42/45SM/RM/VM32800K 是移动用 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM，组织形式为 4 个存储体，每个存储体有 2,097,152 字 × 32 位。这些产品提供完全同步操作，并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步

数据手册

1+
￥66.61
10+
￥57.63
30+
￥52.16
100+
￥47.57

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IS61LV256AL-10TL

型号：IS61LV256AL-10TL 编号：C28481

封装：TSOP-28-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥11.06
10+
￥10.82
30+
￥10.67
100+
￥10.52

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IS62WV1288BLL 55TLI

型号：IS62WV1288BLL-55TLI 编号：C1349172

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV1288ALL / IS62/65WV1288BLL是高速1M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥11.45
10+
￥11.19
30+
￥11.02
100+
￥10.86

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IS62LV256AL 45TLI

型号：IS62LV256AL-45TLI 编号：C1350442

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大存取时间最快可达15 ns

数据手册

1+
￥11.82
10+
￥10.08
30+
￥8.99

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IS66WVE2M16EBLL 70BLI

型号：IS66WVE2M16EBLL-70BLI 编号：C1348975

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥12.75
10+
￥12.48
30+
￥12.29
100+
￥12.11

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IS62WV5128BLL 55TLI

型号：IS62WV5128BLL-55TLI 编号：C1351529

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥13.44
10+
￥13.16
30+
￥12.97
100+
￥12.77

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IS61WV6416DBLL-10TLI

型号：IS61WV6416DBLL-10TLI 编号：C6280226

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

单价：
￥18.02 / 个

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IS61WV6416BLL-12TL 商业级

型号：IS61WV6416BLL-12TL 编号：C53614

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥15.3
10+
￥14.98
30+
￥14.77
135+
￥14.55

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IS66WV1M16EBLL-55BLI

型号：IS66WV1M16EBLL-55BLI 编号：C431491

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

PSRAM 16MB 写周期时间55ns

数据手册

1+
￥15.67
10+
￥13.25
30+
￥11.74
100+
￥10.19
500+
￥9.49
1000+
￥9.18

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IS61C1024AL 12TLI TR

型号：IS61C1024AL-12TLI-TR 编号：C2063409

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C1024AL/IS64C1024AL是一款高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥15.85
10+
￥13.44
30+
￥11.93
100+
￥10.39
500+
￥9.69
1500+
￥9.39

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IS61WV5128EDBLL 10BLI

型号：IS61WV5128EDBLL-10BLI 编号：C1348861

封装：TFBGA-36(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥16.7
10+
￥14.11
30+
￥12.27
100+
￥10.6
480+
￥9.85
960+
￥9.53

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IS62WV5128BLL 55HLI

型号：IS62WV5128BLL-55HLI 编号：C1348772

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥16.91
10+
￥16.52
30+
￥16.26
100+
￥16

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IS62WV10248EBLL 45TLI

型号：IS62WV10248EBLL-45TLI 编号：C1349040

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥16.92
10+
￥16.51
30+
￥16.24
100+
￥15.98

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IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR

型号：IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR 编号：C6211125

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥18.45
10+
￥18.02
30+
￥17.73
100+
￥17.45

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IS62WV5128BLL-55T2LI

型号：IS62WV5128BLL-55T2LI 编号：C427058

封装：TSOPII-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥18.48
10+
￥18.06
30+
￥16.93
100+
￥16.65

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型号：IS61C256AL-12TLI 编号：C3039624

封装：TSSOP-28-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥18.49
10+
￥15.74
30+
￥14.02
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￥11.43
500+
￥10.64
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￥10.29

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IS42VM16400M 75BLI

型号：IS42VM16400M-75BLI 编号：C1351309

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

1+
￥18.56
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￥15.74
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￥13.97
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￥12.16
348+
￥11.35
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￥10.99

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IS64WV6416BLL 15BLA3 TR

型号：IS64WV6416BLL-15BLA3-TR 编号：C2063355

封装：MBGA-48(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥18.74
10+
￥16.04
30+
￥14.43
100+
￥12.81
500+
￥12.06
1000+
￥11.72

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IS62WVS2568FBLL 20NLI TR

型号：IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR 编号：C2063954

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS2568FALLFBLL是2M位的串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字节×8位。它采用高性能CMOS技术制造。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

数据手册

1+
￥18.82
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￥15.97
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￥14.19
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￥12.36
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￥11.54
1000+
￥11.18

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IS62WV1288BLL-55HL

型号：IS62WV1288BLL-55HL 编号：C10005

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

1-Mbit(128K × 8bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥18.98
10+
￥18.58
30+
￥18.31
100+
￥18.05

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128K x 8 低压超低功耗 CMOS 静态 RAM

型号：IS62WV1288BLL-55HLI 编号：C29388

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

1-Mbit(128K × 8bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥19.25
10+
￥16.41
30+
￥14.63
100+
￥12.81
500+
￥11.99
1000+
￥11.63

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IS61WV5128BLL 10BLI

型号：IS61WV5128BLL-10BLI 编号：C1349236

封装：TFBGA-36(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥20.49
10+
￥17.57
30+
￥14.86
100+
￥13.1
480+
￥12.29
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