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  • IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM,组织为4个存储库,每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作,所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
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  • 2-Mbit(128K × 16bit),并行接口,工作电压:2.4V to 3.6V
    数据手册
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  • IS41LV16100D 是一款 1,048,576x 16-bit 高性能 CMOS 动态随机存取存储器。支持 EDO 页面模式,具有自刷新模式和扩展数据输出页面模式。适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。
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  • 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 技术:SDRAM-移动LPDDR 存储器接口:并联 写周期时间-字,页:15ns 访问时间:5.5ns 安装类型:表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA(8x10)
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  • 128Mx8 DDR3 SDRAM,标准电压1.5V,低电压1.35V,部分自刷新,后向兼容1.5V,异步复位引脚,高速数据传输速率,8个内部bank,可编程的CAS延迟,工作温度范围:工业级-40°C至95°C
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  • IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM,组织为4个bank,每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作,所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电,具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。
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  • 128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力,支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank,单电源3.3V±0.3V,LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。
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  • 128Mx8 DDR3L SDRAM,低电压1.35V,部分自刷新,后向兼容1.5V,异步复位引脚,高速数据传输速率,8个内部bank,可编程的CAS延迟,工作温度范围:工业级-40°C至95°C
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