美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS61WV5128BLL-10TL 编号：C52712

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

商业级

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￥36.78
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型号：IS62WV102416DBLL-45TLI 编号：C1350125

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥36.99
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￥36.12
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型号：IS43DR16640C-25DBLI 编号：C427368

封装：BGA-84

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43DR16640C-25DBLI 是一款 64Mx16 的 DDR2 SDRAM，支持 5-5-5 时序，工作电压为 1.8V，具有 8 个内部 bank，支持 4 和 8 位突发长度。

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单价：
￥35.64 / 个

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型号：IS61WV12816DBLL-10BLI 编号：C1351579

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV12816DAxx/DBxx 和 IS64WV12816DBxx 是高速 2,097,152 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 131,072 字×16 位。它们采用 ISSI 的高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥38.79
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￥25.41

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型号：IS46DR16320D-3DBLA2 编号：C441485

封装：BGA-84

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥39.84
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￥36.13
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型号：IS66WVS4M8BLL-104NLI 编号：C6370562

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥39.08
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￥38.48
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￥37.89

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型号：IS61C5128AS-25TLI 编号：C5803546

封装：SOIC-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥40.38
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￥34.55
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￥28.03

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型号：IS43DR16640C-3DBLI 编号：C1351955

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

ISSI的1Gb DDR2 SDRAM，采用双数据率架构，支持高速数据传输。具有1.8V I/O接口，符合JEDEC标准，支持4n预取架构，内部包含8个独立的banks。

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￥26.92

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI-TR 编号：C2063160

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥41.28
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￥35.52
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￥32
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￥29.05

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型号：IS43LD16640C-25BLI 编号：C1349737

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43LD16640C-25BLI是一款1Gb (64M x 16) 的低功耗移动DDR2 SDRAM。该设备具有4位预取架构，支持高速操作。工作电压为VDD1: 1.70-1.95V, VDD2: 1.14-1.30V, VDDCA/VDDQ: 1.14-1.30V。时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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型号：IS42S32400F-7TL 编号：C1349022

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。

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￥42.11
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￥41.07
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型号：IS61C5128AS-25TLI-TR 编号：C2064016

封装：TSOPII-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C5128AL/AS和IS64C5128AL/AS是高速的4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为524,288字×8位。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达12 ns的访问时间

1+
￥43.22
200+
￥16.73
500+
￥16.14
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￥15.85

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型号：IS43LR16640A-6BLI 编号：C443419

封装：BGA-60

品牌：ISSI(美国芯成)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM-移动LPDDR 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:5ns 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TWBGA（8x10）

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￥45.99
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￥39.44
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型号：IS61C1024AL-12HLI-TR 编号：C2063259

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C1024AL/IS64C1024AL是一款高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥46.24
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￥39.78
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￥35.84
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型号：IS42VM16160K-75BLI 编号：C441483

封装：BGA-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16160K 是一款移动268,435,456位CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。

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￥46.32
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￥40.07
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型号：IS62WV102416EBLL-45BLI 编号：C1350446

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥64.7942
10+
￥63.732
50+
￥61.0765
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￥58.421
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￥57.3588

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型号：IS43LD32320C-25BLI 编号：C1349731

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43LD32320C-25BLI是一款1Gb (32M x 32) 的低功耗移动DDR2 SDRAM。该设备具有4位预取架构，支持高速操作。工作电压为VDD1: 1.70-1.95V, VDD2: 1.14-1.30V, VDDCA/VDDQ: 1.14-1.30V。时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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10+
￥40.37
30+
￥36.43
100+
￥33.12

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型号：IS61LV25616AL-10BLI 编号：C427061

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥47.31
10+
￥40.93
30+
￥37.05
100+
￥33.79

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型号：IS62C51216AL-55TLI 编号：C441486

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥49.43
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￥42.36
30+
￥35.72
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型号：IS43TR16128C-15HBLI 编号：C1351945

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥43.35
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￥39.61
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型号：IS61C5128AS-25QLI 编号：C443416

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥49.62
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￥48.52
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￥45.13
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￥44.4

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型号：IS21ES08G-JQLI 编号：C1236826

封装：FBGA-100(14x18)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥50.26
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￥43.23
30+
￥38.96
100+
￥35.37

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型号：IS42S32160F-6TLI 编号：C1352986

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥52.44
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￥51.21
30+
￥50.39
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￥49.57

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型号：IS43DR86400D-3DBLI 编号：C17672531

封装：TWBGA-60(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥54.53
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￥47.18
30+
￥42.7
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型号：IS21ES04G-JCLI-TR 编号：C2065933

封装：VFBGA-153(11.5x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥47.62
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￥42.91
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型号：IS43TR16128CL-125KBL 编号：C427374

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥56.47
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￥48.86
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￥42.17
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型号：IS62WV102416DBLL-55TLI-TR 编号：C2065930

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV102416DALL、IS62/65WV102416DBLL 是超低功耗CMOS 16Mbit静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥59.66
10+
￥51.32
30+
￥46.24
100+
￥41.99

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型号：IS43LD32320C-25BLI-TR 编号：C2061768

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43LD32320C-25BLI-TR是一款1Gb (32M x 32) 的低功耗移动DDR2 SDRAM。该设备具有4位预取架构，支持高速操作。工作电压为VDD1: 1.70-1.95V, VDD2: 1.14-1.30V, VDDCA/VDDQ: 1.14-1.30V。时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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1+
￥62.98
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￥54.49
30+
￥49.32
100+
￥44.98

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型号：IS42S83200J-7TLI 编号：C1350437

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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￥64.65
10+
￥55.65
30+
￥50.17
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￥45.57

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型号：IS43DR16320C-3DBL 编号：C17191913

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43DR16320C-3DBL是一款32Mx16的DDR2 SDRAM，支持高速读写操作，具有4个内部bank，支持突发长度为4或8的数据传输。工作电压为1.8V±0.1V，工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业环境。

1+
￥69.83
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