美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS66WVH8M8ALL-166B1LI 编号：C1349099

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥22.13
10+
￥19.04
30+
￥17.2
100+
￥15.34
480+
￥14.49
960+
￥14.1

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型号：IS61WV25616BLL 10TLI TR 编号：C2060968

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

15+
￥26.333453
100+
￥22.719057
1000+
￥20.91186

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型号：IS62C1024AL-35TLI-TR 编号：C6577492

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥24.11
200+
￥9.62
500+
￥9.3
1500+
￥9.14

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型号：IS62C1024AL-35TLI 编号：C397873

封装：TSOP-32-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥24.11
10+
￥20.98
30+
￥19.13
100+
￥17.25
500+
￥16.38
1000+
￥15.99

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型号：IS61C1024AL-12HLI 编号：C1350989

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE1为高电平或CE2为低电平时（未选中），器件进入待机模式，通过使用CMOS输入电平可以降低功耗。通过使用两个片选输入CE1和CE2，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。提供32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP（I型，8x20）和32引脚sTSOP（I型，8 x 13.4）封装。

数据手册

1+
￥24.24
10+
￥23.68
30+
￥23.3
100+
￥22.92

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型号：IS61C3216AL-12TLI 编号：C443415

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥24.27
10+
￥21.01
30+
￥19.08
100+
￥17.12
500+
￥16.22
1000+
￥15.81

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型号：IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 编号：C6211137

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥24.47
10+
￥23.93
30+
￥23.56
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￥23.2

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型号：IS61LV12816L-10TL 编号：C367392

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

1+
￥25.79
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￥25.21
30+
￥24.83
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￥24.44

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型号：IS61WV25616EFBLL-10TLI 编号：C6280218

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EFALL/EFBLL是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造，并集成了ECC功能以提高可靠性。这种高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，包括ECC（SEC - DED：单错误纠正 - 双错误检测），造就了高性能、高可靠性的器件

1+
￥27.08
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￥26.47
30+
￥26.07
135+
￥25.67

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型号：IS66WV51216EBLL-70TLI 编号：C1351837

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥27.88
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￥23.86
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￥21.47
100+
￥19.05
500+
￥17.94
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￥17.43

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型号：IS61WV12816DBLL-10TLI 编号：C11313

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

2-Mbit(128K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥28.38
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￥24.57
30+
￥22.31
100+
￥20.02
500+
￥18.97
1350+
￥18.49

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型号：IS62WV25616BLL-55TLI 编号：C11314

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥28.56
10+
￥24.87
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￥22.67
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￥20.44
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￥19.42
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￥18.96

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型号：IS61LV25616AL-10TLI-TR 编号：C2063046

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV25616AL是一款高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为262,144字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥30.19
10+
￥25.73
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￥23.07
100+
￥20.39
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1000+
￥18.6

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型号：IS62WV51216EFBLL-45TLI 编号：C1351749

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥30.29
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￥25.92
30+
￥23.32
100+
￥20.7
500+
￥19.49
1000+
￥18.94

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型号：IS62WV51216EBLL-45TLI-TR 编号：C2064010

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥30.99
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￥26.88
30+
￥21.83
100+
￥19.36
500+
￥18.23
1000+
￥17.71

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型号：IS61WV5128BLL-10TLI 编号：C412830

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥31.65
10+
￥27.23
30+
￥23.13
135+
￥20.47
540+
￥19.25
945+
￥18.7

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型号：IS42VM32400H-75BLI 编号：C1351527

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM32400H 是一款移动128Mb CMOS同步DRAM，组织为4个bank，每个bank包含1,048,576字x32位。该产品提供完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持3.3V、2.5V和1.8V供电，具有自刷新、突发读写、可编程突发长度和类型等功能。

数据手册

1+
￥32
10+
￥27.75
30+
￥25.23
240+
￥22.67
480+
￥21.5
960+
￥20.96

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型号：IS62WV51216EBLL-45BLI 编号：C3039626

封装：VFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥33.61
10+
￥28.92
30+
￥26.12
100+
￥23.3
480+
￥22
960+
￥21.41

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型号：IS42S32800J-7TLI 编号：C3033371

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥33.65
10+
￥28.76
30+
￥25.79
100+
￥23.29

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型号：IS66WV51216EBLL-55TLI 编号：C1348810

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WV51216EALL和IS66/67WV51216EBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥33.78
10+
￥28.75
30+
￥25.76
135+
￥22.74
540+
￥21.35
945+
￥20.72

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型号：IS42S32400F-7TLI 编号：C1351659

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力，支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank，单电源3.3V±0.3V，LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。

数据手册

1+
￥34.28
10+
￥29.25
30+
￥26.26
100+
￥23.24
500+
￥21.84
1000+
￥21.22

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型号：IS62WV51216BLL-55BLI 编号：C1349053

封装：MBGA-48(7.2x8.7)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥34.69
10+
￥29.65
30+
￥26.58
100+
￥24.01

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型号：IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR 编号：C17334768

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

是集成内存设备，包含32Mb伪静态随机存取存储器，使用自刷新DRAM阵列，组织为4M字x 8位。该设备支持SPI（串行外设接口）和QPI（四路外设接口）协议，信号数量极少（6个信号引脚：CLK、CE#和4个SIO），具有隐藏刷新操作，适用于工业温度和汽车A2级温度范围。支持带内复位，而非专用的RESET#引脚，最小传输数据大小为8位。