美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS25LP256E-JLLE-TR 编号：C6280160

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥34.81
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￥34.04
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￥33.52
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￥33

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型号：IS61LPS12836EC-200TQLI 编号：C1351151

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

4Mb产品系列具备高速、低功耗同步静态随机存取存储器（SRAM），旨在为通信和网络应用提供可突发访问的高性能内存。IS61(04)LPS/VPS12832EC的存储结构为131,072字×36位。IS61(64)LPS/VPS12832EC的存储结构为131,072字×32位

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型号：IS29GL128-70SLET 编号：C1236808

封装：TSOPI-56-18.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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单价：
￥45.447274 / 个

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型号：IS43LD16640C-25BLI-TR 编号：C2061815

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43LD16640C-25BLI-TR是一款1Gb (64M x 16) 的低功耗移动DDR2 SDRAM。该设备具有4位预取架构，支持高速操作。工作电压为VDD1: 1.70-1.95V, VDD2: 1.14-1.30V, VDDCA/VDDQ: 1.14-1.30V。时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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单价：
￥63.6 / 个

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型号：IS43TR16128DL-125KBLI-TR 编号：C17328900

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

128Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz，具有1.5V±0.075V的标准电压和1.35V±0.1V的低电压选项。支持异步复位和TDQS功能。

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型号：IS43QR16512A-075VBLI 编号：C17277462

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

这款 8Gbit DDR4 SDRAM 是一种高速动态随机存取存储器，其内部采用八存储体结构（对于 x16 配置，有 2 个存储体组，每组 4 个存储体；对于 x8 配置，有 4 个存储体组，每组 4 个存储体）。DDR4 SDRAM 使用 8n 预取架构来实现高速运行。8n 预取架构与一个接口相结合，该接口设计为在 I/O 引脚每个时钟周期传输两个数据字

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型号：IS25WP016D-JBLE-TR 编号：C2062811

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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单价：
￥5.621431 / 个

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型号：PM25LQ020B-SCE 编号：C411813

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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型号：IS25LQ040B-JVLE-TR 编号：C2836885

封装：SOP-8-4.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WQ040-JNLE 编号：C411809

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25WQ040-JULE -TR 编号：C2940539

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS25LP032D-JLLE-TR 编号：C5803541

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥4.36
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￥3.08
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型号：IS25LP032D-JNLE 编号：C521283

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，在简化引脚封装的情况下仍具备高灵活性和高性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS62LV256AL-45ULI 编号：C18589

封装：SOP-28

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V 环保托盘

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￥15.02536
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型号：IS25LP016D-JKLE-TR 编号：C5656608

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS42S16100H-6TLI 编号：C1350741

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

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型号：IS62WVS2568FBLL-20NLI 编号：C1353427

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS2568FALLFBLL是2M位的串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字节×8位。它采用高性能CMOS技术制造。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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型号：IS62C1024AL-35QLI 编号：C397875

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62C1024AL/IS65C1024AL是一款低功耗、131,072字×8位的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥17.06
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￥16.48

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型号：IS25WP128F-JKLE 编号：C1351165

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥20.9
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￥20.41
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￥20.09
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型号：IS46TR16640C-125JBLA1 编号：C7598607

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16640C-125JBLA1是一款64Mx16 DDR3 SDRAM，支持1.5V供电，数据传输速率为1600MT/s，时序为10-10-10。适用于汽车A1等级，具有低功耗模式、自刷新模式和写入恢复时间等功能。

单价：
￥17.755 / 个

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型号：IS43DR16320E-25DBLI 编号：C441484

封装：BGA-84

品牌：ISSI(美国芯成)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ns 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA（8x12.5）

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型号：IS66WVH8M8DALL-200B1LI 编号：C17616223

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是集成内存设备，包含64Mbit伪静态随机存取存储器，采用自刷新DRAM阵列，组织为8M字×8位。支持HyperBus接口、极低信号数量（通过8个DQ引脚传输地址、命令和数据）、隐藏刷新操作和汽车温度操作，专为移动和汽车应用而设计。

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型号：IS43TR16256BL-125KBLI 编号：C1350468

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 1066 MHz

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单价：
￥90.894548 / 个

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型号：IS42S16320F-7TLI-TR 编号：C17628178

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16320F-7TLI-TR是一款512Mb同步动态随机存取存储器，采用高速CMOS技术。它支持多种时钟频率，包括200 MHz、166 MHz和143 MHz。该存储器具有完全同步的接口，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部结构为四bank，支持自动刷新和低功耗模式。工作电压范围为2.3V至3.6V，适用于商业和工业温度范围。

单价：
￥70.763541 / 个

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型号：IS43LQ32256A-062BLI 编号：C17416862

封装：TFBGA-200(10x14.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

是8Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM。该设备组织为每个设备2个通道，每个通道为8个存储体和16位。该产品采用双倍数据速率架构实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一个16N预取架构，其接口设计为在I/O引脚的每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径在内部进行流水线处理，并预取16n位以实现非常高的带宽。