美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS61LV256AL-10JLI 编号：C1499718

封装：SOJ-28

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥4.59
10+
￥3.71
30+
￥3.26
100+
￥2.83
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

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型号：IS25LP032D-JBLA3 编号：C1236833

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下，仍具有高度的灵活性和出色的性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

数据手册

50+
￥12.682515
200+
￥10.642039
500+
￥8.838304
1000+
￥7.440409

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型号：IS25WP016D-JBLA3-TR 编号：C6577438

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥6.34
10+
￥5.15
30+
￥4.56
100+
￥3.97
500+
￥3.61
1000+
￥3.43

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型号：IS25WP064A-JBLE 编号：C190624

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mbit,工作电压：1.65V~1.95V

数据手册

1+
￥7.59
10+
￥6.28
30+
￥5.57
90+
￥4.76
540+
￥4.4
1080+
￥4.24

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型号：IS25LP064D-JBLA3-TR 编号：C5714540

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

10+
￥38.270378
100+
￥33.017582
1000+
￥30.391183

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型号：IS25LP032D-JKLE 编号：C1350858

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

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单价：
￥7.414921 / 个

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型号：IS37SML01G1-LLI 编号：C1351647

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS37SML01G1是一款1Gb SLC SPI-NAND Flash存储器，支持104MHz多I/O SPI接口。具有灵活高效的读写模式，支持SPI-Mode 0和SPI-Mode 3。内部ECC实现1位ECC，最高性能和高级安全保护。

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1+
￥8.4
10+
￥7.01
30+
￥6.24
100+
￥5.37
480+
￥4.99
960+
￥4.81

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型号：IS25LP016D-JULE-TR 编号：C2063555

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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5+
￥4.70902
10+
￥4.62783
15+
￥4.54664

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型号：IS25LP128-JLLE-TR 编号：C2063622

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

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5+
￥94.663499
50+
￥83.155388
500+
￥76.566065

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型号：IS25LP080D-JNLA3 编号：C5741392

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥10.33
200+
￥4.12
500+
￥3.99
1000+
￥3.92

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型号：IS25WP128F-JBLE 编号：C1351270

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥11.5
10+
￥9.75
30+
￥8.66
100+
￥7.54
500+
￥7.03
1000+
￥6.81

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型号：IS61WV5128EDBLL-10TLI 编号：C1349067

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV5128EDBLL是高速4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为524,288字×8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥11.88
10+
￥10.13
30+
￥9.03
100+
￥7.91
500+
￥7.4
1000+
￥7.18

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型号：IS25LP032D-JLLE 编号：C2065985

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下，仍具有高度的灵活性和出色的性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

数据手册

1+
￥13.43
10+
￥11.39
30+
￥10.11
100+
￥8.81
500+
￥8.21
1000+
￥7.96

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型号：IS25WP032D-JBLE 编号：C1349020

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥13.58
10+
￥11.53
30+
￥10.24
100+
￥8.3
500+
￥7.71
1000+
￥7.45

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型号：IS25WP128-JLLE-TR 编号：C1349321

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25WP128 串行闪存存储器在简化引脚封装中提供了一种灵活且高性能的通用存储解决方案。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

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1+
￥21.45
10+
￥20.99
30+
￥20.68
100+
￥20.37

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型号：IS62WV25616EBLL-45TLI 编号：C1349209

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、低功耗，4M位静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE#）控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。

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