美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS25LP128F-JLLE 编号：C1351255

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥4.11
10+
￥4.01
30+
￥3.94
100+
￥3.88

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型号：IS61LV256AL-10JLI 编号：C1499718

封装：SOJ-28

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥4.59
10+
￥3.71
30+
￥3.26
100+
￥2.83
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

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型号：IS25LP032D-JBLA3 编号：C1236833

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下，仍具有高度的灵活性和出色的性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

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150+
￥12.310866
200+
￥10.942991
500+
￥9.088248
1000+
￥7.65082

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型号：IS25WP016D-JBLA3-TR 编号：C6577438

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

100+
￥4.4
500+
￥4.32
1000+
￥4.24

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型号：IS25LP064D-JBLA3-TR 编号：C5714540

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥7.87
10+
￥6.5
30+
￥5.75
100+
￥4.9
500+
￥4.53
1000+
￥4.36

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型号：IS25LP128-JLLE-TR 编号：C2063622

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

数据手册

1+
￥9.47
10+
￥7.89
30+
￥7.02
100+
￥5.66
500+
￥5.22
1000+
￥5.02

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型号：IS61C1024AL-12HLI 编号：C1350989

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE1为高电平或CE2为低电平时（未选中），器件进入待机模式，通过使用CMOS输入电平可以降低功耗。通过使用两个片选输入CE1和CE2，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。提供32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP（I型，8x20）和32引脚sTSOP（I型，8 x 13.4）封装。

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1+
￥24.24
10+
￥23.68
30+
￥23.3
100+
￥22.92

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型号：IS43TR81280C-125JBLI-TR 编号：C17377245

封装：TWBGA-78(8x10.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

128M x 8 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输，时钟频率高达1066MHz，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，工作温度范围为-40°C至+95°C。

1+
￥20
20+
￥19.2
100+
￥18.4
200+
￥17.92
500+
￥17.6

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型号：IS46LQ32256EA-062B2LA3 编号：C26619697

封装：BGA-200(10x14.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LQ32256A 和 IS43/46LQ32256AL 是 8Gbit 的 CMOS LPDDR4 SDRAM。该器件采用 2 通道架构，每个通道有 8 个存储体且位宽为 16 位。本产品采用双倍数据速率架构以实现高速运行

1+
￥115
30+
￥109

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型号：IS61WV102416FBLL-8BLI 编号：C7211320

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、16M 位静态随机存取存储器，组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP（I 型）、48 引脚微型 BGA（6mm x 8mm）和 54 引脚 TSOP（II 型）封装。

1+
￥145.41
10+
￥140.98

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型号：IS42S16100H-7TLI-TR 编号：C2063010

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。

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1+
￥4.61
10+
￥4.51
30+
￥4.45
100+
￥4.38

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型号：IS42S16100H-6BL 编号：C1351410

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/4516100H 是一款16Mb的同步动态随机存取存储器，组织为524,288字 x 16位 x 2个bank，支持高带宽数据传输。时钟频率为166 MHz，工作电压为3.3V，支持多种操作模式，包括可编程突发长度和CAS延迟等。

数据手册

1+
￥6.59
10+
￥5.32
30+
￥4.69
286+
￥4.06
572+
￥3.68
858+
￥3.49

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型号：IS25LP032D-JKLE 编号：C1350858

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

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单价：
￥6.970703 / 个

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型号：IS37SML01G1-LLI 编号：C1351647

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS37SML01G1是一款1Gb SLC SPI-NAND Flash存储器，支持104MHz多I/O SPI接口。具有灵活高效的读写模式，支持SPI-Mode 0和SPI-Mode 3。内部ECC实现1位ECC，最高性能和高级安全保护。

数据手册

1+
￥8.4
10+
￥7.01
30+
￥6.24
100+
￥5.37
480+
￥4.99
960+
￥4.81

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型号：IS61WV6416EEBLL-10BLI 编号：C1349959

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥8.49
10+
￥7.04
30+
￥6.24
100+
￥5.34
480+
￥4.94
960+
￥4.76

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型号：IS61WV6416DBLL-10TLI-TR 编号：C2062666

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥8.82
10+
￥7.31
30+
￥6.48
100+
￥5.55
500+
￥5.13
1000+
￥4.94

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型号：IS42S32800J-7BLI 编号：C1348856

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持高带宽数据传输，全同步设计，内部4个Bank，支持自动刷新和省电模式。

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1+
￥9.1
10+
￥7.59
30+
￥6.76
240+
￥5.82
480+
￥5.4
960+
￥5.21

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型号：IS61C3216AL-12TLI-TR 编号：C2062695

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥9.24
10+
￥7.66
30+
￥6.79
100+
￥5.81
500+
￥5.38
1000+
￥5.18

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型号：IS61C1024AL-12JLI-TR 编号：C2062058

封装：SOJ-32

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥10.65
10+
￥9.03
30+
￥8.02
100+
￥6.98
500+
￥6.51
1000+
￥6.31

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型号：IS62C256AL-45ULI 编号：C1348805

封装：SOP-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥10.9
10+
￥9.24
30+
￥8.21
100+
￥7.14
500+
￥6.66
1000+
￥6.46

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型号：IS62WV2568BLL-55HLI 编号：C1349138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

65+
￥28.552563
100+
￥26.393126
1000+
￥24.293673

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型号：IS62WV1288BLL-55TLI 编号：C1349172

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV1288ALL / IS62/65WV1288BLL是高速1M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥11.45
10+
￥11.19
30+
￥11.02
100+
￥10.86

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型号：IS25WP128F-JBLE 编号：C1351270

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥11.5
10+
￥9.75
30+
￥8.66
100+
￥7.54
500+
￥7.03
1000+
￥6.81

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型号：IS62WVS0648FBLL-20NLI 编号：C1351238

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥11.73
10+
￥9.9
30+
￥8.75
100+
￥7.58
500+
￥7.05
1000+
￥6.82

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我要订货

型号：IS25LP128F-JKLE 编号：C521289

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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105+
￥16.2538
1000+
￥14.960884

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型号：IS25LP256D-JMLE 编号：C3024421

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥13.33
10+
￥13
30+
￥12.78
100+
￥12.56

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型号：IS25LP032D-JLLE 编号：C2065985

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下，仍具有高度的灵活性和出色的性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

数据手册