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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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型号：IS25LP128F-JBLE 编号：C2980247
封装：SOIC-8-208mil
品牌：ISSI(美国芯成)
IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式
数据手册

  • 单价：

    ￥15.555778 / 个
我要订货
具备166MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的128Mb串行闪存
型号：IS25LP128F-JBLE-TR 编号：C2063014
封装：SOIC-8-208mil
品牌：ISSI(美国芯成)
IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式
数据手册

  • 50+

    ￥17.38355

  • 200+

    ￥14.58673

  • 500+

    ￥12.114403

  • 1000+

    ￥10.19835
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IS43TR16640C 125JBLI
型号：IS43TR16640C-125JBLI 编号：C1236847
封装：BGA-96(9x13)
品牌：ISSI(美国芯成)
128Mx8 DDR3 SDRAM，标准电压1.5V，低电压1.35V，部分自刷新，后向兼容1.5V，异步复位引脚，高速数据传输速率，8个内部bank，可编程的CAS延迟，工作温度范围：工业级-40°C至95°C
数据手册

  • 1+

    ￥25.88

  • 10+

    ￥22.08

  • 30+

    ￥19.81

  • 100+

    ￥17.53

  • 500+

    ￥16.47

  • 1000+

    ￥15.99
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    • 我要订货
    具备多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的256Mb串行闪存
    型号：IS25WP256D-JLLE 编号：C178257
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

    • 1+

      ￥28.41

    • 10+

      ￥24.59

    • 30+

      ￥22.33

    • 100+

      ￥20.04

    • 480+

      ￥18.98

    • 960+

      ￥18.5
  • 订货
    • 我要订货
    256K X 16高速异步CMOS静态RAM带ECC
    型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI 编号：C883296
    封装：TSOP-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
    数据手册

    • 10+

      ￥37.548942

    • 100+

      ￥32.395165

    • 1000+

      ￥29.818277
    我要订货
    256K X 16高速异步CMOS静态RAM，3.3V电源
    型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V
    数据手册

    • 15+

      ￥55.0875

    • 25+

      ￥49.3584

    • 100+

      ￥43.6293

    • 500+

      ￥41.811484

    • 1000+

      ￥40.05963
    我要订货
    64Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32200L-7TL 编号：C427372
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V内存系统，包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。每个16,777,216位的存储体被组织成2,048行×256列×32位。64Mb SDRAM 包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥43.61

    • 10+

      ￥37.73

    • 30+

      ￥34.14
  • 有货
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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S32400F-7TLA2 编号：C17452505
    封装：TFSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均以时钟输入的上升沿为参考。这款128Mb SDRAM的组织形式为1Meg × 32位 × 4个存储体

    • 1+

      ￥54.36

    • 10+

      ￥53.08

    • 30+

      ￥52.23
  • 有货
    • 立即购买
    64Mb异步/页面PSRAM
    型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR 编号：C17334855
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥61.2

    • 200+

      ￥24.42

    • 500+

      ￥23.61

    • 1000+

      ￥23.2
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    2M x 16高速异步CMOS静态RAM，3.3V/1.8V供电
    型号：IS61WV204816BLL-10BLI 编号：C1351316
    封装：BGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
    数据手册

    • 1+

      ￥193.6

    • 5+

      ￥178.25

    • 30+

      ￥168.98
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    512KX8高速CMOS静态RAM
    型号：IS61LV5128AL-10TLI 编号：C40493
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    4-Mbit(512K × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V
    数据手册

    • 1+

      ￥39.92

    • 10+

      ￥34.96

    • 30+

      ￥32.01

    • 135+

      ￥28.23

    • 540+

      ￥26.86

    • 945+

      ￥26.24
  • 订货
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    512M×8、256M×16，4Gb DDR3 SDRAM
    型号：IS43TR16256BL-125KBLI 编号：C1350468
    封装：BGA-96
    品牌：ISSI(美国芯成)
    特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V，-0.067V。 向后兼容 1.5V。 高速数据传输速率，系统频率高达 1066 MHz
    数据手册

    • 单价：

      ￥90.894548 / 个
    我要订货
    512M×8、256M×16，4Gb DDR3 SDRAM
    型号：IS43TR16256B-125KBLI 编号：C1349408
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43TR16256B-125KBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。
    数据手册

    • 1+

      ￥71.06

    • 10+

      ￥60.51

    • 30+

      ￥54.09

    • 100+

      ￥48.7
  • 订货
    • 我要订货
    64Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16400J-6TLI-TR 编号：C17216754
    封装：TSOP-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

    • 1+

      ￥17.12

    • 10+

      ￥14.53

    • 30+

      ￥12.91

    • 100+

      ￥11.25

    • 500+

      ￥10.5

    • 1500+

      ￥10.18
  • 订货
    • 我要订货
    256K X 16 低压超低功耗 CMOS 静态 SRAM
    型号：IS62WV25616BLL-55TLI-TR 编号：C76487
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V
    数据手册

    • 1+

      ￥31.12

    • 10+

      ￥26.75

    • 30+

      ￥24.16

    • 100+

      ￥21.53

    • 500+

      ￥20.32

    • 1000+

      ￥19.77
  • 订货
    • 我要订货
    IS61WV102416BLL 10MLI
    型号：IS61WV102416BLL-10MLI 编号：C1348798
    封装：TFBGA-48
    品牌：ISSI(美国芯成)
    高速16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字x16位。采用高性能CMOS技术制造，此高可靠性工艺结合创新电路设计技术，可实现高性能和低功耗。当CE为高电平时（未选中），设备进入待机模式，可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入（CE和OE）可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。数据字节支持高字节（UB）和低字节（LB）访问。器件封装采用JEDEC标准的48引脚TSOP I型和48引脚迷你BGA（9mm x 11mm）。
    数据手册

    • 1+

      ￥91.84

    • 10+

      ￥87.55

    • 30+

      ￥80.12

    • 100+

      ￥73.63
  • 订货
    • 我要订货
    配备eMMC 5.0接口的8GB eMMC
    型号：IS21ES08GA-JCLI 编号：C17440555
    封装：VFBGA-153(11.5x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI eMMC 产品遵循 JEDEC eMMC 5.0 标准。它非常适合工业应用和汽车应用的嵌入式存储解决方案，这些应用需要在广泛的工作温度范围内具备高性能。eMMC 将 MLC NAND 闪存和 eMMC 控制器封装在一个 JEDEC 标准封装内，为主机提供标准接口

    • 1+

      ￥181.5

    • 30+

      ￥172.5
  • 订货
    • 我要订货
    64Mb异步/页面模式伪静态随机存取存储器（PSRAM）
    型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI 编号：C1350157
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PSRAM）产品相同
    数据手册

    • 1+

      ￥30.5

    • 10+

      ￥26.6

    • 30+

      ￥24.29

    • 100+

      ￥20.54

    • 480+

      ￥19.46

    • 960+

      ￥18.97
  • 订货
    • 我要订货
    IS25WP128 JBLE
    型号：IS25WP128-JBLE 编号：C1349162
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI
    数据手册

    • 1+

      ￥23.88

    • 10+

      ￥20.44

    • 30+

      ￥18.39

    • 100+

      ￥16.32

    • 500+

      ￥15.37

    • 1000+

      ￥14.94
  • 订货
    • 我要订货
    IS43TR16128C 125KBLI
    型号：IS43TR16128C-125KBLI 编号：C1353697
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 10+

      ￥37.528656

    • 100+

      ￥32.377664

    • 1000+

      ￥29.802168
    我要订货
    IS21ES08G JCLI TR
    型号：IS21ES08G-JCLI-TR 编号：C2065377
    封装：VFBGA-153(11.5x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥171.18

    • 200+

      ￥66.25

    • 500+

      ￥63.92

    • 1000+

      ￥62.77
  • 订货
    • 我要订货
    IS25WP016D JKLE
    型号：IS25WP016D-JKLE 编号：C1348868
    封装：WSON-8-EP(5x6)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.2027

    • 10+

      ￥1.1765

    • 30+

      ￥1.1591

    • 100+

      ￥1.1416
  • 订货
    • 我要订货
    具备104 MHz多I/O SPI和QPI接口的串行闪存
    型号：IS25LP040E-JNLE 编号：C5693021
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

    • 1+

      ￥2.91

    • 10+

      ￥2.84

    • 30+

      ￥2.8

    • 100+

      ￥2.75
  • 订货
    • 我要订货
    具有133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的16Mb串行闪存
    型号：IS25LP016D-JKLE 编号：C1350237
    封装：WSON-8-EP(5x6)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式
    数据手册

    • 单价：

      ￥5.980333 / 个
    我要订货
    具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的串行闪存
    型号：IS25LP080D-JBLE 编号：C2940518
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式（请参阅引脚说明）

    • 1+

      ￥8.37

    • 10+

      ￥7.03

    • 50+

      ￥6.29

    • 100+

      ￥5.45

    • 450+

      ￥5.08

    • 900+

      ￥4.91
  • 订货
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    IS62C256AL 45ULI
    型号：IS62C256AL-45ULI 编号：C1348805
    封装：SOP-28-8.4mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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      ￥10.9

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    IS25WP128-JLLE
    型号：IS25WP128-JLLE 编号：C2063153
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥19.8

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    IS25LP128F-RHLE
    型号：IS25LP128F-RHLE 编号：C5656625
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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      ￥18.199244 / 个
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    IS42S16160J 6TLI TR
    型号：IS42S16160J-6TLI-TR 编号：C2065667
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容
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    • 1+

      ￥28.29

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    高速、低引脚数八进制内存产品
    型号：IS25LX064-JHLE 编号：C20884188
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥29.22

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