EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25Q512JVEIQ TR 编号：C7389628

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

1+
￥58.4
10+
￥53.39
30+
￥50.34
100+
￥47.78

有货

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型号：P24C02A-SSH-MIR 编号：C2836794

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C02A是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有256 x 8位的存储阵列，支持页写模式和部分页写。工作电压范围为1.6V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C。

数据手册

10+
￥0.4874
100+
￥0.3816
300+
￥0.3288
1000+
￥0.2891
4000+
￥0.2574
8000+
￥0.2415

有货

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型号：AT24C32M/TR 编号：C2688466

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供32/768/65,536位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096/8192个8位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。有节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP和8引脚MSOP封装，可通过两线串行接口访问。

数据手册

5+
￥0.7421
50+
￥0.5974
150+
￥0.525
500+
￥0.4707
2500+
￥0.4138
5000+
￥0.392

有货

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型号：M24C08-RDW6TP 编号：C283440

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.743
50+
￥0.5784
150+
￥0.4961
500+
￥0.4344
2500+
￥0.385
4000+
￥0.3603

有货

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型号：M24C02-FMN6TP 编号：C114502

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7603
50+
￥0.5968
150+
￥0.515
500+
￥0.4537
2500+
￥0.4046
5000+
￥0.38

有货

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型号：ZD24C128A-SSGMB 编号：C918271

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C128A是一款128Kbit (16,384 x 8) I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的低电压操作。该器件具有64字节的页写模式，1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间，并提供多种封装选项。

数据手册

5+
￥0.7696
50+
￥0.616
200+
￥0.4979
500+
￥0.4403
2500+
￥0.3942
5000+
￥0.3712

有货

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型号：BY25D40ASTIG(R) 编号：C382742

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25D40/20是4M/2M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据传输速度为108Mbits/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7伏至3.6伏

数据手册

5+
￥0.7962
50+
￥0.6426
150+
￥0.5658
500+
￥0.5082
2500+
￥0.4621
4000+
￥0.439

有货

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型号：24LC02BT-I/SN 编号：C5453

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02/24LC02B（24xx02*）是一款 2 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用 2 线串行接口，组织为一个 256×8 位的存储块。低电压设计允许其在低至 1 V 的电压下工作

数据手册

5+
￥1.5969
50+
￥1.2517
150+
￥1.1038
500+
￥0.9192
3300+
￥0.837

有货

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型号：CAT24C64WI-GT3 编号：C13645

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥1.9627
50+
￥1.5094
150+
￥1.3151
500+
￥1.0727
3000+
￥0.9648
6000+
￥0.9

有货

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型号：AT24C512CM/TR 编号：C19193470

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)

5+
￥2.2552
50+
￥1.7718
150+
￥1.5647
500+
￥1.3062
2500+
￥1.172
5000+
￥1.1029

有货

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型号：24LC256T-I/SN 编号：C5458

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24××256*）是一款 32K × 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.55
30+
￥2.28
100+
￥1.94
500+
￥1.79
1000+
￥1.7

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型号：M24M01-RMN6TP 编号：C79990

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥2.81
30+
￥2.4
100+
￥2.07

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型号：AT25256B-SSHL-T 编号：C36901

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装

数据手册

1+
￥3.64
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￥2.91
30+
￥2.55
100+
￥2.19
500+
￥1.97
1000+
￥1.86

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型号：MB85RC16PNF-G-AMERE2 编号：C46681954

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储产品。

1+
￥3.79
10+
￥3.08
30+
￥2.73
100+
￥2.37
500+
￥2.16
1500+
￥2.05

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型号：GD25Q32ESIGR 编号：C2832998

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

1+
￥4.34
10+
￥3.64
30+
￥3.3
100+
￥2.96

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型号：W25Q80DVSNIG TR 编号：C401655

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，掉电时电流消耗低至 1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由 4096 个可编程页面组成，每个页面 256 字节。一次最多可编程 256 字节

数据手册

1+
￥4.57
10+
￥3.94
30+
￥3.67
100+
￥3.34
500+
￥3.19
1000+
￥2.97

有货

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型号：GD25Q32CSIGR 编号：C318845

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

数据手册

1+
￥5.28
10+
￥4.38
30+
￥3.93
100+
￥3.48
500+
￥3
1000+
￥2.86

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型号：W25Q20EWUXIE TR 编号：C401660

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q20EW（2M 位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥5.29
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￥4.64
30+
￥4.36
100+
￥4.01
500+
￥3.86
1000+
￥3.76

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型号：AT45DB321E-SHF-T 编号：C60544

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V

数据手册

1+
￥10.83
10+
￥9.16
30+
￥8.24
100+
￥7.2
500+
￥6.12
1000+
￥5.92

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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥11.42
10+
￥10.21
30+
￥9.6
100+
￥9
500+
￥8.25
1000+
￥8.07

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型号：MKDN064GCL-AA 编号：C2836409

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商用级别。它由NAND闪存和高性能控制器组成，支持SD3.0接口，允许大多数通用CPU利用。

数据手册

1+
￥107.8915 ￥113.57
10+
￥103.0275 ￥108.45
30+
￥91.713 ￥96.54
100+
￥84.3695 ￥88.81

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型号：MT40A512M16LY-075:E 编号：C598779

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）

数据手册

1+
￥200.6
30+
￥193.57

有货

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型号：MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 编号：C5330500

封装：TFBGA-200

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。频率范围：2133-4266 MHz（每引脚数据速率范围）

数据手册

1+
￥491.99
3+
￥471.59
30+
￥451.2

有货

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型号：24C16BN(XBLW) 编号：C18723545

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16K位的串行EEPROM，采用8位宽的存储结构，支持标准2线双向串行接口。该设备适用于低电压和低功耗应用，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。

10+
￥0.25574 ￥0.2692
100+
￥0.21413 ￥0.2254
300+
￥0.193325 ￥0.2035
1000+
￥0.177745 ￥0.1871
4000+
￥0.165205 ￥0.1739
8000+
￥0.15903 ￥0.1674

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型号：AT24C02S 编号：C46550852

封装：SOT-23-5

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

24C02是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，施密特触发器，抑制输入噪声，双向数据传输协议，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，8-byte页，允许部分页写操作，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年，封装形式：DIP8、SOP8、TSSOP8、SOT23-5。