EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：WSON-8(5x6)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LP016D-JNLA3-TR 编号：C6969439

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS62LV256AL-20TLI 编号：C1352060

封装：TSOPI-28-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，设备进入待机模式，在CMOS输入电平下功耗降至150 μW（典型值）。通过使用低电平有效芯片使能（CE）可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE）控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP（I型）封装。

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型号：IS25WP064A-JKLE 编号：C1349795

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成的 4 线 SPI 接口进行访问，也可以配置为多 I/O。该器件支持双 I/O 和四 I/O 以及标准、双输出和四输出 SPI。高达 133MHz 的时钟频率允许达到高达 532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于 66Mbytes/s 的数据吞吐量。IS25xR 系列闪存增加了对 DTR（双传输速率）命令的支持，该命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据

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型号：IS25WP128-JKLE 编号：C1349189

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能，适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许等效时钟速率高达532MHz（133MHz x 4），相当于66MB/s的数据吞吐量

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型号：IS25LP128F-RHLE-TR 编号：C5656631

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：AT27C512R-70JU 编号：C1523873

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C512R是一款低功耗、高性能、524,288位、一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），组织形式为64K x 8位。在正常读取模式操作中，它仅需一个5V电源。任何字节都可在小于45ns内访问，无需在高性能微处理器系统上使用降低速度的WAIT状态。

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型号：CY7C1049G-10VXI 编号：C2955765

封装：BSOJ-36

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：MX29LV640ETXEI-70G 编号：C2802731

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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型号：CAT25160YI-GT3 编号：C233781

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。

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型号：AT27C010-70JU 编号：C1523888

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C010是一款低功耗、高性能的1,048,576位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为128K×8位。该器件在正常读取模式下仅需一个5V电源。任何字节都可在45ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：MB85RS256TYPNF-G-BCERE1 编号：C2061789

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS256TY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品专门针对高温环境，如汽车应用。MB85RS256TY采用串行外设接口（SPI）

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型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：IS43TR16256BL-107MBLI 编号：C1349393

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：FEMDRW016G-88A43 编号：C2841376

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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￥133.27
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￥129.93
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型号：IS43TR16512B-125KBL 编号：C1350347

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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￥203.02
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型号：MB85RC512TPNF-G-JNERE1 编号：C126729

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于其他非易失性存储产品。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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1+
￥37.71
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￥33.01
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￥30.22
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￥26.09
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￥25.51

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型号：AS4C256M16D3LC-10BCN 编号：C1012883

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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￥105.46
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￥100.83
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￥92.82

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型号：DS28E04S-100+ 编号：C22414101

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E04 - 100是一款具有七个地址输入的4096位单总线EEPROM芯片。这些地址输入直接映射到单总线64位设备标识号中，便于主机系统在多设备单总线网络环境中识别DS28E04 - 100的物理位置或功能关联。4096位EEPROM阵列被配置为16页，每页32字节，并带有一个32字节的暂存器，用于执行写操作

单价：
￥40.6512 / 个

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型号：AS4C128M16D3LC-12BIN 编号：C17296106

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：Alliance Memory

2Gb Double-Data-Rate-3L (DDR3L) DRAMs 是双数据速率架构，可实现高速操作。它在内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片被组织为 16Mbit x 16 I/O 8 存储体设备。

1+
￥71.3
10+
￥59.86

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型号：AS4C256M16D3LC-12BCN 编号：C1012881

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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1+
￥74.36
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￥71.98

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型号：24LC01B-I/MS 编号：C184449

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC01B是一款1Kbit的I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，具有400kHz的时钟频率。该芯片具有低功耗特性，待机电流仅为1uA，工作电流为1mA。支持多种封装，包括PDIP、SOIC、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和SC-70。

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1+
￥1.9433
10+
￥1.5526
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￥1.3851
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￥1.1762
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￥1.0831
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￥1.0273

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C22407164

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

10+
￥14.244
100+
￥12.991
1000+
￥12.7008
2000+
￥12.636

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型号：25CSM04-I/SN 编号：C1019737

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供4 Mbits的串行EEPROM，采用串行外设接口（SPI）兼容总线。设备组织为524,288个8位字节（512 Kbyte），针对需要可靠和稳定非易失性存储器存储的消费和工业应用进行了优化，能够在2.5V至5.5V的宽电压范围内工作。所需的总线信号包括时钟输入（CSK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。可通过HOLD引脚暂停与设备的通信。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断

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1+
￥35.4
10+
￥30.46
30+
￥27.52
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￥24.55
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￥23.17
1000+
￥22.56

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型号：NT5CC256M16EP-EK 编号：C2846880

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3 (DDR3(L)) DRAM是一款高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八组DRAM。4Gb芯片的组织形式为64Mbit x 8 I/O x 8组和32Mbit x 16 I/O x 8组。这些同步器件在一般应用中可实现高达2133 Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输

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￥56.25
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￥49.04
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￥44.64
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￥37.21

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型号：IS25LP128F-JKLE-TR 编号：C6062482

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥20.72
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￥17.83
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