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25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：S25FL256LAGBHI020 编号：C2947906

封装：TBGA-24

Flash非易失性存储产品采用浮栅技术和65nm工艺光刻。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SIO），以及可选的双比特（DIO）和四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中编程最多256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：AT27C010-70PU 编号：C613524

封装：PDIP-32

AT27C010是一款低功耗、高性能的1,048,576位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为128K×8位。该器件在正常读取模式下仅需一个5V电源。任何字节都可在45ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：THGBMJG7C1LBAIL 编号：C879825

封装：FBGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGBMJG7C1LBAIL是一款容量为16GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG7C1LBAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：CY7C1061GE30-10ZSXI 编号：C2953949

封装：TSOPII-54

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：BY25D40ESMIG(R) 编号：C50176339

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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型号：BY25Q32ESWIG(R) 编号：C50176343

封装：WSON-8(5x6)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：GX2431G 编号：C2979159

封装：SFN-2(6x6)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431G是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：24LC32A-I/P 编号：C1349005

封装：PDIP-8

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的4K x 8位内存单块。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达256 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：IS25WJ032F-JTLE-TR 编号：C7290368

封装：USON-8-EP(3x4)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232

封装：WFDFN-8-EP

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

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型号：25LC040/SN 编号：C615276

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

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型号：CAV25256YE-GT3 编号：C890497

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 32Kx8 位。它具有 64 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273

封装：SOIC-16

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。

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型号：NT5CC64M16GP-DI 编号：C428582

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体，或 8Mbit × 16 I/O × 8 存储体器件

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型号：IS25LP064A-JMLE 编号：C1349157

封装：SOIC-16-300mil

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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型号：25LC512T-E/SN 编号：C615816

封装：SOIC-8

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需这些功能

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型号：CY7C1399BN-12VXIT 编号：C2959513

封装：BSOJ-28

CY7C1399BN是高性能3.3V CMOS静态RAM，组织为32,768字×8位。通过有源低电平芯片使能 (CE)、有源低电平输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低95%以上。

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型号：DS1314S+T&R 编号：C2653356

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS1314 非易失性控制器带有电池监控功能，是一种CMOS电路，可以解决将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。该电路监测输入电源是否超出容许范围。当检测到这种状况时，会禁止芯片使能以实现写保护，并切换到电池供电，为RAM提供不间断的电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，可以在极低的电池消耗下实现精确的电压检测。除了支持电池备份外，DS1314还执行监测锂离子电池剩余容量的重要功能，并在电池接近寿命终点前提供警告。由于锂备份电池在其大部分使用寿命中的开路电压保持相对恒定，因此准确的电池监控需要测量负载下的电池电压。DS1314通过周期性地比较电池在支持内部电阻负载时的电压与精心选择的参考电压来执行这种测量。如果在这种条件下电池电压低于参考电压，则表明电池即将到达寿命终点。因此，电池警告引脚会被激活，以信号提示需要更换电池。

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型号：FEMDNN008G-08A39 编号：C601079

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

替换型号是：FEMDNN008G-A3A55；应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头；

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型号：IS43TR16512BL-107MBLI 编号：C1236815

封装：TWBGA-96(10x14)

IS43TR16512BL-107MBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：AT27C080-90JU 编号：C613961

封装：PLCC-32(11.4x14)

AT27C080是一款低功耗、高性能的8388608位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），组织形式为1M×8位。在正常读取模式下，AT27C080仅需一个5V电源。任何字节都可在90ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：CAT25020VI-GT3 编号：C890360

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI 器件，内部组织为 256x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25020 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：IS25LP020E-JNLE 编号：C3034696

封装：SOIC-8

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：GX2431S 编号：C2913558

封装：SFN-2(3.5x5)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431S是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：M24512-DFDW6TP 编号：C2061091

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：IS25WP128-JBLE 编号：C1349162

封装：SOIC-8-208mil

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：AT27C512R-45JU 编号：C613963

封装：PLCC-32(11.4x14)

AT27C512R是一款低功耗、高性能、524,288位、一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），组织形式为64K x 8位。在正常读取模式操作中，它仅需一个5V电源。任何字节都可在小于45ns内访问，无需在高性能微处理器系统上使用降低速度的WAIT状态。

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型号：F35SQB004G-WWT 编号：C47994714

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款 4G 位（512Mx8 位）串行 NAND 闪存，在单 3.3V VCC 上运行。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#），支持高达 166 MHz 的 SPI 时钟频率。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、唯一 ID、一个参数页和 62 个 OTP 页。芯片内有一个 8 位 ECC 逻辑，默认启用，可通过命令禁用或启用。

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型号：IS43TR16512B-125KBLI 编号：C1349863

封装：TWBGA-96(10x14)