EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DS28E04S-100+T 编号：C2653529

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E04-100是一款4096位1-Wire可寻址EEPROM，带有两个通用I/O端口。它支持1-Wire协议，具有寄存器页锁定、写保护和EPROM模式等功能。

1+
￥79.79
10+
￥76.05
30+
￥69.57
100+
￥63.91

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型号：25C040-I/SN 编号：C615257

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25C040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.15
30+
￥1.91
100+
￥1.61
500+
￥1.48
1000+
￥1.4

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型号：25A512-I/SN 编号：C615230

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25A512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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单价：
￥15.6384 / 个

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型号：25LC040XT/ST 编号：C616661

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

1+
￥3.5
10+
￥2.83
30+
￥2.49
100+
￥2.16
500+
￥1.96
1000+
￥1.85

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型号：25LC040X/ST 编号：C619735

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

1+
￥3.5
10+
￥2.83
30+
￥2.49
100+
￥2.16
500+
￥1.96
1000+
￥1.85

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型号：25C040X-I/ST 编号：C619725

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25C040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

1+
￥3.65
10+
￥2.95
30+
￥2.6
100+
￥2.25
500+
￥2.04
1000+
￥1.93

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型号：25AA040XT-I/ST 编号：C616630

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25AA040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

1+
￥3.65
10+
￥2.95
30+
￥2.6
100+
￥2.25
500+
￥2.04
1000+
￥1.93

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型号：CAV25040YE-GT3 编号：C890493

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25040 是一款 EEPROM 串行 4-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 512x8 位。该器件具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。CAV25040 通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25040 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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6000+
￥1.884336
12000+
￥1.86736
18000+
￥1.833408

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型号：IS25LP016D-JNLE 编号：C1348801

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.3
30+
￥2.96
100+
￥2.62
500+
￥2.41
1000+
￥2.3

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型号：25LC080/SN 编号：C153269

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的25LC080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.49
30+
￥3.08
100+
￥2.65
500+
￥2.41
1000+
￥2.28

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型号：NV25020DTHFT3G 编号：C894138

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI - 汽车级 0 (+150°C) 器件，内部组织为 256x8 位。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 NV250x0 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。字节级片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。该器件提供了一个附加标识页，可以对其进行永久性写保护。

数据手册

6000+
￥1.861581
12000+
￥1.84481
18000+
￥1.811268

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型号：25AA640XT-I/ST 编号：C2062640

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640XT-I/ST 是一款64K位SPI总线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为2MHz。该芯片具有低功耗CMOS技术，8192x8位组织结构，32字节页写保护，数据保留时间超过200年。

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.55
30+
￥3.12
100+
￥2.7
500+
￥2.45
1000+
￥2.32

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型号：25C080-E/SN 编号：C615259

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的25C080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

1+
￥5.86
10+
￥4.73
30+
￥4.16
100+
￥3.6
500+
￥3.27
1000+
￥3.1

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型号：GX2505D 编号：C7435605

封装：DFN6

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2505D是16384 位电可编程只读存储器（EPROM），使用一条信号线加地线进行通信，具有经济性

1+
￥9.99
10+
￥8.26
30+
￥7.31
100+
￥6.24
500+
￥5.76
1000+
￥5.55

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型号：M24512-DFCS6TP/K 编号：C2062276

封装：WLCSP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

数据手册

160+
￥11.652783
200+
￥10.358028
500+
￥8.602431
1000+
￥7.241842

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型号：N25S830HAS22I 编号：C136398

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

1+
￥16.03
10+
￥13.67
30+
￥12.19
100+
￥10.67
500+
￥9.99
1000+
￥9.69

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型号：S25FL256LAGMFI001 编号：C2954898

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

单价：
￥34.04 / 个

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型号：FEMDME004G-A8A39 编号：C3249971

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

数据手册

1+
￥85.68
10+
￥74.57
30+
￥59.61
100+
￥53.93

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型号：S-24C02DI-J8T1U5 编号：C2061076

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款低功耗、宽工作范围的2线串行EEPROM，具有2 K-bit的存储容量。该芯片支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高时钟频率为1.0 MHz（Vcc = 2.5 V至5.5 V）和400 kHz（Vcc = 1.7 V至5.5 V）。写周期时间为5.0 ms，数据保留时间为100年。

数据手册

1+
￥1.2555
200+
￥0.4859
500+
￥0.4688
1000+
￥0.4604

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型号：N64S818HAS21I 编号：C897837

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

1+
￥5.58
10+
￥4.5
30+
￥3.97
100+
￥3.43
500+
￥3.11
1000+
￥2.95

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型号：AT25XE161D-UUN-T 编号：C1857754

封装：WLCSP-8(1.7x1.8)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术进行操作。理想适用于将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页面擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

数据手册

1+
￥5.79
200+
￥2.24
500+
￥2.16
1000+
￥2.13

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型号：NT5CC128M16IP-DI 编号：C2904576

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3L SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

数据手册

70+
￥26.05386
100+
￥24.0834
1000+
￥22.167675

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型号：MX25LM25645GXDI00 编号：C20099905

封装：CSPBGA-24(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

是256Mb位八进制接口串行NOR闪存，内部配置为33,554,432 x 8。具有串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。八进制闪存可在整个芯片上提供顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法对指定内容进行编程/擦除和验证。

1+
￥43.45
10+
￥36.34
30+
￥32

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型号：FEMDME016G-A8A43 编号：C3249973

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

数据手册

1+
￥120
10+
￥107.6
30+
￥98.77
100+
￥91.06

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型号：IS46TR16256B-125KBLA2 编号：C17234670

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-125KBLA2 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

1+
￥131.37
10+
￥127.36

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型号：IS25WP016D-JBLA3-TR 编号：C6577438

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

100+
￥4.4
500+
￥4.32
1000+
￥4.24

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型号：N64S830HAS22I 编号：C897839

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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